首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2170篇
  免费   447篇
  国内免费   529篇
化学   615篇
晶体学   24篇
力学   59篇
综合类   24篇
数学   279篇
物理学   739篇
无线电   1406篇
  2024年   16篇
  2023年   75篇
  2022年   90篇
  2021年   71篇
  2020年   57篇
  2019年   73篇
  2018年   75篇
  2017年   53篇
  2016年   74篇
  2015年   67篇
  2014年   150篇
  2013年   107篇
  2012年   119篇
  2011年   130篇
  2010年   176篇
  2009年   155篇
  2008年   170篇
  2007年   176篇
  2006年   131篇
  2005年   108篇
  2004年   115篇
  2003年   137篇
  2002年   94篇
  2001年   117篇
  2000年   78篇
  1999年   82篇
  1998年   58篇
  1997年   59篇
  1996年   40篇
  1995年   40篇
  1994年   32篇
  1993年   21篇
  1992年   29篇
  1991年   19篇
  1990年   18篇
  1989年   17篇
  1988年   9篇
  1987年   18篇
  1986年   18篇
  1985年   26篇
  1984年   12篇
  1983年   5篇
  1982年   8篇
  1981年   4篇
  1980年   6篇
  1978年   2篇
  1977年   3篇
  1965年   2篇
  1963年   1篇
  1956年   1篇
排序方式: 共有3146条查询结果,搜索用时 531 毫秒
61.
62.
The work proposes a three-laser-beam streak tube imaging lidar system. Besides the main measuring laser beam,the second beam is used to decrease the error of time synchronization. The third beam has n+0.5 pixels' difference compared to the main measuring beam on a CCD, and it is used to correct the error caused by CCD discrete sampling. A three-dimensional(3D) imaging experiment using this scheme is carried out with time bin size of 0.066 ns(i.e., corresponding to a distance of 9.9 mm). An image of a 3D model is obtained with the depth resolution of 2 mm, which corresponds to ~0.2 pixel.  相似文献   
63.
In this paper,we present a monolithic integration of a self-protected AlGaN/GaN metal-insulator field-effect transistor(MISFET).An integrated field-controlled diode on the drain side of the AlGaN/GaN MISFET features a selfprotected function for a reverse bias.This diode takes advantage of the recessed-barrier enhancement-mode technique to realize an ultra-low voltage drop and a low turn-ON voltage.In the smart monolithic integration,this integrated diode can block a reverse bias(> 70 V/μm) and suppress the leakage current(< 5 × 10-11 A/mm).Compared with conventional monolithic integration,the numerical results show that the MISFET integrated with a field-controlled diode leads to a good performance for smart power integration.And the power loss is lower than 50% in conduction without forward current degeneration.  相似文献   
64.
配电线路作为电力系统中重要的组成部分之一,其工程质量的好坏直接影响到电力系统的安全性、可靠性和经济性。文章主要结合笔者工作实践,主要阐述10kv线路设计流程,从中针对配电线路的设计中相关要点进行了探讨与研究,以供大家参考。  相似文献   
65.
基于组合双向拍卖的物联网搜索任务分配机制   总被引:1,自引:0,他引:1  
如何合理地分配搜索任务,进而激励用户加入到搜索中是物联网搜索亟需解决的关键问题。针对物联网中数据实效性强的特点,结合物联网搜索中用户的高异构性和动态性,提出一种基于组合双向拍卖的搜索任务分配模型,从市场供求关系的角度描述了搜索发起者、搜索参与者和搜索引擎之间的关系。首先引入了竞价价值的概念,提出了一种基于贪心策略的启发式算法确定竞拍成功的用户集合,然后提出一种基于临界价格的定价算法,确保用户的竞价反映了其真实估价。理论分析及实验结果证明所提任务分配机制在保证激励相容性、合理性的基础上,有效提高了物联网搜索引擎的效率。  相似文献   
66.
工作流将业务过程分解为有序的步骤并分配人力资源加以执行.资源分配受访问控制约束及资源异常干扰,存在可满足性和鲁棒性问题.而其鲁棒性验证又依赖于其可满足性判定,目前通过求可满足性的一个解来完成.本文提出另一种途径,通过统计解的个数来完成判定.特别地,通过多项式计数归约为有求解器可用的#SAT问题,给出了互斥和绑定约束下的可满足性计数算法.实验表明,相对目前时间复杂度最低的可满足性求解算法,该可满足性计数算法显著提高了实际判定效率和适用规模.  相似文献   
67.
分区域的医学图像高容量无损信息隐藏方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对医学图像的分区域典型特征,提出一种基于区域和直方图平移的高容量无损信息隐藏方法。本方法用最大类间距分割法求得原始图像的前景区域,再用聚合多边形逼近和图像拟合法得到其数据嵌入区域。在数据嵌入过程中,提出利用差值直方图循环平移和基于编码的直方图平移方法分别在前景和背景区域嵌入数据,提高了原始直方图平移方法容量和解决了溢出问题。实验结果表明该方法总的嵌入容量可达1 bit/packet以上,并且隐秘图像质量在40dB左右,适用于具有区域特征的质量敏感图像的大容量信息隐藏。  相似文献   
68.
导波激励模态单一性与衰减特性是导波激励效果的重要指标。采用PZT传感器,在建立基于PZT-5材料传感器并置于管道一端均匀对称分布的导波激励系统的基础上,以模态单一性与降低衰减特性为目标,研究了在低频段内模态特性以及传感器对T(0,1)模态的影响,得出了激励T(0,1)模态的最优激励方案。  相似文献   
69.
银纳米颗粒与光子晶体光纤、表面增强拉曼散射效应结合而成的PCF SERS传感器得到了科研界的广泛关注.而PCF结构、SERS基底的性能是传感器的重要影响因素.为了进一步提高SERS PCF传感器的性能,通过研究对比PCF和SERS基底结构参数对传感性能的影响,设计出适用于PCF SERS传感的空芯PCF以及SERS基底的结构参数.通过数值计算,设计的空芯PCF空气填充率为56.30%,当激发光波长785 nm时存在光子带隙,并能够实现单模传输.而半径为38 nm的银纳米球在间距为0.7 nm时能够产生最大的SERS增强因子.研究证明,设计的空芯PCF在785 nm输入波长下既能够基模传输激发光,又能够为SERS提供理想的活性面积,而且银纳米颗粒的形状、尺寸、间距对SERS性能影响严重,而且与入射波长有很强的依赖关系.  相似文献   
70.
纳米颗粒分散是无机纳米材料在有机体系中应用的关键.本文提出了采用纳米颗粒液相分散体制备高度分散纳米透明有机无机复合材料的新方法,发明了超重力反应-萃取相转移方法制备纳米颗粒液相透明分散体技术,介绍了其制备原理和实施效果,以及其在纳米复合节能膜、纳米润滑油脂和高固含量光学材料等有机无机纳米复合材料中的最新研究进展.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号