金属剥离技术在声表面波滤波器中应用研究

本文采用金属剥离技术在ＬｉＮｂＯ３基片上成功地制备了１４０ＭＨｚ声表面波带通滤波器。通过选择最佳工艺参数，提高了声表面波滤波器的性能。     

辉光放电等离子体鞘层的计算机模拟

本文利用蒙特卡罗方法,模拟了氩气辉光放电鞘层内离子的运动过程,得到了不同气压和不同放电电压下离子入射阴极的能量分布和角度分布。模拟基于离子与中性原子的电荷转移碰撞和弹性散射两种物理过程,并且分别考虑了碰撞截面与能量相关和不相关两种情况。同时较为系统地研究了放电参数对离子能量分布和角度分布的影响。     

不同工艺制备的GaAs MESFET阈值电压均匀性研究

分别采用离子注入隔离凹栅工艺、自隔离平面工艺、离子注入隔离平面工艺在非掺杂半绝缘 Ga As衬底上制备 MESFET,对三种工艺制备的 MESFET的阈值电压均匀性进行了研究。结果表明 ,器件工艺对 MESFET阈值电压有一定的影响 ,开展 Ga As MESFET阈值电压均匀性研究应采用适宜的工艺 ,以尽可能减少工艺引起的偏差。     

基片表面预处理对热丝CVD法生长金钢石薄膜的影响

本文研究了在热丝CVD方法生长金刚石薄膜中,基片表面的研磨处理对金刚石成核密度以及生长膜结构的影响。发现基片表面的预处理一方面可以提高金刚石的成核密度,另一方面又使生长膜的结构变得不利于应用。最后讨论了基片表面预处理对金刚石成核作用的机理和两种新的表面预处理方法。     

HFCVD方法沉积金刚石薄膜的生长研究

本文讨论了金刚石薄膜应用于光学领域所偶到的问题，研究了热丝方法生长应用于光学膜的金刚石薄膜过程中，衬底表面的预处理和沉积条件如碳源浓度、衬底温度等对制备膜晶粒尺度和晶粒间界以及膜表面形貌的影响。     

DLC膜改善扬声器性能的研究

本文介绍了在普通扬声器上涂覆ＤＬＣ膜的工艺，并测试了其性能，结果表明ＤＬＣ膜对扬声器的性能有明显改善。     

非金刚石衬底生长金刚石薄膜中过渡层存在的机理研究

 应用界面能量理论，研究了非金刚石衬底低压气相生长金刚石薄膜中的过渡层问题。提出了过渡层存在的理论机制，较好地解释了一些关于过渡层研究的实验现象。     

CVD金刚石薄膜的表面形貌研究

本工作采用HFCVD方法在Si、Mo衬底上生长出不同晶粒形貌的多晶金刚石薄膜,研究了生长条件(衬底温度、碳源浓度、反应压强)对金刚石薄膜晶粒形貌的影响。结果表明,在HFCVD方法中,金刚石薄膜晶粒形貌对生长条件十分敏感,生长条件的变化会导致不同形貌晶粒的生长。     

DLC膜作为Ge片减反射膜的研究

本文采用rfPCVD方法,以甲苯为工作气体,制备出DLC膜,研究了它的光学性能,以及作为激光窗口材料Ge片的减反射膜的应用。     

DLC膜作为半导体器件表面钝化膜的研究

本文以甲苯为工作气体,采用rfPCVD方法在各种衬底上制备出DLC膜,研究了Al-DLC-Si结构的高频C-V特性,以及作为半导体器件的表面钝化膜的应用。