氢化非晶碳膜与硅的界面特性

利用直流辉光放电分解碳氢气体来淀积ａ－Ｃ：Ｈ膜，通过测量Ａｌ／ａ－Ｃ：Ｈ／ＳｉＭＩＳ结构的高频Ｃ－Ｖ曲线讨论了ａ－Ｃ：Ｈ／Ｓｉ界面的电子特性，结果表明ａ－Ｃ：Ｈ／Ｓｉ膜有可能用作半导体器件的表面钝化膜。     

GaAs MESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系

采用平面选择注入隔离工艺制作MESFET及旁栅电极,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响.发现当延迟时间超过2s时,迟滞现象基本消失,旁栅效应达到稳态,而且准静态地改变旁栅电压,沟道电流的变化会达到一稳定值,与过程无关,于是可以避免迟滞现象.并从理论上解释了所发现的现象.     

旁栅阈值电压与旁栅距的关系研究

旁栅效应是制约 Ga As器件及电路性能的有害寄生效应。文中理论推导并实验研究了旁栅阈值电压 Vth SG与旁栅距 LSG的关系 ,发现 Vth SG与 LSG成正比关系。这一结论对数字电路设计具有重要指导意义 ,在设计电路版图时可根据电路的逻辑电平摆幅 VSW选择器件之间的最小距离 L     

CVD金刚石膜在光滑衬底表面成核研究的进展

本文叙述了化学气相沉积金刚石薄膜过程中，金刚石在光滑非金刚石衬底表面的成核行为，讨论了目前用于提高金刚石成核密度的一些典型方法的优点和不足。     

热丝CVD方法生长金刚石薄膜中石墨成份控制

 在用热丝CVD方法生长金刚石薄膜中，研究了生长条件对制备膜中石墨和非晶碳成份的影响，发现较高的碳源浓度或较低的衬底温度会使制备膜中非金刚石相碳成份增加。     

类金刚石碳膜作为红外元件减反射膜的研究

本文以甲苯为工作气体,先用高频辉光放电等离子体CVD方法制备出类金刚石碳膜,研究了它的光吸收和红外增透性,以及在Si、Ge等红外元件上作为减反射膜的应用。     

类金刚石薄膜的结构和光学特性研究

本文用PCVD方法在Si、Ge、玻璃等基片上制备出品质较好的类金刚石薄膜,用Raman光谱和红外吸收谱等研究了制备膜的结构,并且研究了膜的光吸收和在Si、Ge等基片上的红外增透作用。     

Mo衬底生长金刚石薄膜表面晶形研究

 用HFCVD方法在Mo衬底上进行了金刚石薄膜生长研究，观察到在不同的反应压强条件下，金刚石薄膜晶粒的三种形貌，并且讨论了反应条件对晶粒形貌的影响以及菜花状大晶粒的构成机理。