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231.
DEPOSITION OF HIGH QUALITY AMORPHOUS SILICON FILMS WITH STRONG HYDROGEN DILUTED SILANE AS REACTANT GAS SOURCE 下载免费PDF全文
By using strongly hydrogen diluted silane as a reactant gas source [C(=SiH4/(SiH4+H2))<5%] in a conventional diode PECVD system, we have deposited high quality a-Si:H films which exhibit almost no Steable-Wronski (S-W) effect, The [H] radical in rf plasma erodes the growing surface and eliminates the weak Si-Si bonds, thus re-ducing the density of metastable defects of a-Si:H films and causing the amorphous network to be more perfect. Our results show that as C value decreases from 5.4 % to 0.8 %, the peak location of TO mode in Raman spectra changes from 480 to 500 cm-1, the average distortion of bond angles Δθ, which is calculated from the width of half full height of TO peaks, reduces from 9.0° to 3.8°. The hydrogen content CH of the samples which show almost no S-W effect is less than 10at%. 相似文献
232.
不需纯样的定量分析方法研究 总被引:1,自引:0,他引:1
殷志刚 《光谱学与光谱分析》1984,(2)
本文在杨赞熹[1],Kimmer[2,3]等人工作的基础上,对方法的误差来源及多组分间的干扰作了较深入的研究。以二元体系为例,应用数学分析导出了误差公式,并对公式的物理意义作了阐述,同时应用数学分析导出了在多组分体系中非计算组分的存在对计算结果的影响。最后,简要地介绍了运用本法测定聚丁二烯中三个异构体的吸收系数的实例。 相似文献
233.
渐变型聚合物光纤研究进展 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了渐变型聚合物光纤(GIPOF)制作方法的进展,以及界面凝胶法制备的GIPOF的热稳定性全氟聚合物基GIPOF的最佳折射率分布及其色散性质,理论上全氟聚合物的损耗极限,差模衰减和模式耦合对GIPOF带宽的影响,最后介绍了一个综合各种影响因素的较完整的带宽预测模型。 相似文献
234.
我们班从初一年级开始成立了“智多星”数学兴趣小组 ,其主要任务是攻克学习中的疑难问题 ,探讨解题方法 .对于班级黑板报中的每期一题“征解” ,我们“智多星”数学兴趣小组成员积极撰稿 .请看一例 :题目 已知如图 1,梯形ABCD中 ,AB∥CD ,以AD和AC为边作平行四边形ACED ,DC的延长线交BE于点F ,求证 :EF =FB .图 1 图 2证法 1 如图1,连结AE交DC于点O .∵四边形ACED是平行四边形 ,∴AO=EO .∵OF∥AB ,∴EF =FB .证法 2 如图 2 ,过点F作FM∥AD交AB于点M .∵DF∥AM ,∴四边形AMFD是平行四边形 .∴FM∥AD … 相似文献
235.
引言 按照Petrov-Galerkin方法(也称广义Galerkin方法)构造差分格式已经有一些工作(例如[2]、[3]).本文把[3]中构造广义差分格式的方法推广到声热耦合方程组. 熟知,关于声热耦合方程组,Richtmyer给出了三个条件稳定的格式.我们用广义差分法构造出三种新的差分格式.对其中的格式Ⅰ、Ⅱ进行了稳定性分析,它们具有绝对稳定的特点.而格式Ⅲ指出了进一步提高精度的途径. 本文写作过程中得到了李荣华教授的热情指导,谨致谢意。 相似文献
236.
低压差分信号(Low Voltage Differential Signaling,LVDS)在航天通讯领域有着广泛的应用,为解决LVDS驱动器电路在宇宙辐射环境中的单粒子闩锁和总剂量问题,给出了低成本抗辐射解决方案,提出了一种改进结构的抗辐射加固技术,不仅解决了现有工艺下带隙基准电路的温漂问题,而且还可以利用设计的抗辐射单元库来满足抗辐射加固要求,简化了电路设计。基于0.18μm CMOS工艺模型库,利用Hspice进行仿真,该电路传输速率达到400 Mb/s,具有抗单粒子特性,满足航空航天领域对抗辐射LVDS驱动电路的使用要求。 相似文献
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238.
纳米材料的辐射合成法制备 总被引:27,自引:0,他引:27
概述了辐射合成法制备钠米材料的基本原理及最新进展,比较了辐射合成法相对于一般纳米材料制备方法的优点,并对辐射合成方法的一步发展作了展望。 相似文献
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