求动点轨迹方程最简捷的四种方法

求符合某种条件的动点轨迹方程,实际上就是利用已知的点的坐标之间的运动规律去寻找变量间的关系.求轨迹方程的常规思路,就是想方设法地把题目中的几何问题转化为代数方程问题来解决.     

SSRF中BPM支撑的机械稳定性分析

主要对上海光源(SSRF)束流位置监视器(BPM)支撑的机械稳定性进行了研究.受有限元计算与初始设计方案的振动测试结果不一致的启发,对BPM支撑与地面的连接考虑了三种方案:膨胀螺母、半灌浆与全灌浆连接.通过采用改进的全灌浆连接来代替初始设计的膨胀螺母连接,BPM支撑的横向最低共振频率由20.2Hz增加到50.2Hz,支撑顶部与地面的横向均方根位移(4-50Hz)之比由4.36降低到1.32,机械稳定性能得到大大的提高.     

玻尔理论与量子力学矛盾析

众所周知，玻尔理论与量子力学在处理氢原子结构时存在着某些不同的结论．本文从波粒二象性和不确定关系出发，解释了存在不同结论的原因，从而进一步阐明了两者之间的联系和本质的区别．     

改进的协同训练框架下压缩跟踪

针对基于传统协同训练框架的视觉跟踪算法在复杂环境下鲁棒性不足,该文提出一种改进的协同训练框架下压缩跟踪算法。首先,利用空间布局信息,基于能量熵最大化的在线特征选择技术提升压缩感知分类器的判别能力,分别在灰度空间和局部二值模式空间建立起基于结构压缩特征的两个独立分类器。然后,基于候选样本信任度分布熵的分类器联合机制实现互补性特征的自适应融合,增强跟踪结果的鲁棒性。最后,在级联的梯度直方图分类器辅助下,通过具备样本选择能力的新型协同训练准则完成联合外观模型的准确更新,解决了协同训练误差的积累问题。对大量具有挑战性的序列的对比实验结果验证了该算法相比于其它近似跟踪算法具有更优的性能。     

维哈柯文通用软件标准符合性检测方法与实施

提出一种维哈柯文通用软件标准符合性的自动测试方法。该方法适用于Windows等操作系统的被测试软件,首先建立测试软件与被测试软件的通讯机制,再利用脚本语言模拟键盘鼠标消息和对剪贴板的监控,通过检测被测试软件的输入信息、输出结果,实现维哈柯文通用软件标准符合性的自动检测。该研究成果已应用于维哈柯文通用软件标准符合性测试,有利于促进维哈柯文标准化的实施。     

单晶金刚石飞秒激光加工的烧蚀阈值实验

采用不同功率的飞秒激光对单晶金刚石分别进行了单脉冲分离烧蚀实验和多脉冲累积烧蚀实验,计算得到了单晶金刚石材料的单脉冲烧蚀阈值和多脉冲累积烧蚀阈值,并研究了多脉冲作用下单晶金刚石烧蚀阈值的变化。结果表明:单晶金刚石的飞秒激光单脉冲烧蚀阈值为8.80 J/cm^2;随着有效脉冲数增加,烧蚀阈值逐渐减小;当有效脉冲数小于124时,烧蚀阈值随有效脉冲数的增加而急剧减小;当有效脉冲数增加到486后,烧蚀阈值减小的趋势趋于平缓。有效脉冲数486、激光平均功率10.7 W是最优的激光加工工艺参数。     

大连极紫外相干光源

先进光源的发展在前沿科学研究中发挥的作用越来越重要。近十年来,飞速发展的自由电子激光技术为科学家们提供了探索未知世界、发现新科学规律和实现技术变革的重要工具。建成的大连极紫外(EUV)相干光源的运行波段为50～150nm,单脉冲能量大于100μJ,且可提供10-12 s和10-13 s量级的超快激光脉冲,是我国第一台自由电子激光用户装置,并且是国际上唯一运行在极紫外波段的自由电子激光用户装置,在世界范围内为用户提供具有高峰值亮度和超短脉冲的极紫外激光。大连EUV相干光源是由国家自然科学基金委资助、由中国科学院大连化学物理研究所和上海应用物理研究所共同承担的重大科学仪器研制项目,目标是打造一个以先进极紫外光源为核心、主要用于能源基础科学研究的光子科学平台。     

基于强跟踪五阶容积卡尔曼滤波的眼睛跟踪算法

非侵入式眼睛跟踪在许多基于视觉的人机交互应用中扮演十分重要的角色,但由于眼睛运动的强非线性,如何确保眼睛跟踪过程中对外界干扰的鲁棒性以及跟踪精确度是其应用的关键问题。为提高眼睛跟踪的鲁棒性和精确度,提出强跟踪五阶容积卡尔曼滤波算法(ST-5thCKF),将强跟踪滤波(STF)次优渐消因子引入具有接近最少容积采样点且保持五阶滤波精确度的五阶容积卡尔曼滤波(5thCKF),获取5thCKF对强非线性良好滤波精确度同时具备STF对外界干扰的鲁棒性。真实条件下的实验结果验证了所提算法在眼睛跟踪中的有效性。     

熔盐法合成片状Bi4Ti3O12粉体的研究

以Bi2O3和TiO2为原料,采用熔盐法合成了纯的铋层状结构的Bi4Ti3O12粉体。利用XRD和SEM等手段对其结构和形态进行了表征。结果表明,熔盐法合成的Bi4Ti3O12粉体呈现规则的片状。当温度从800℃升高到1050℃时,粉体片状尺寸增大,径高比增加;当盐与反应物的质量比为0.8时,所得粉体片状尺寸较小,形状不规则;盐与反应物质量比增加到1时,粉体的尺寸明显增大。     

GaSb衬底上InAsxSb1-x合金的低压MOCVD生长和表征

采用自制的低压金属有机化学气相淀积设备,用三甲基镓、三甲基铟作为Ⅲ族源,三甲基锑和砷烷作为Ⅴ族源在(100)面GaSb和GaAs单晶衬底上分别外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、原子力显微镜、扫描电镜和电子探针能谱仪等对材料特性进行了表征,研究了生长温度、Ⅴ/Ⅲ比、过渡层等生长参数对外延层质量的影响.获得了与GaSb衬底晶格失配度为0.4%的表面光亮且晶体质量较好的InAs0.85Sb0.15外延层.