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21.
最佳(F,K,1)光正交码的构造算法研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
李晓滨  宋建中 《中国激光》2003,30(5):417-420
(F ,K ,1)光正交码 (OOC’s)是适合于光码分多址 (OCDMA)通信的最佳地址码 ,但成功构造最佳 (F ,K ,1)光正交码十分困难。针对该问题 ,研究了一种构造算法 ,给出了构造该光正交码的具体算法及相应的计算机辅助设计方法。通过该方法可以容易地构造出最佳 (F ,K ,1)光正交码。  相似文献   
22.
光学颗粒计数测量技术,以激光器作光源利用高灵敏度光电探测器件逐个测量被测颗粒的散射光,从而获得微米级颗粒的尺寸和数量参数。该技术对微电子、医药、机械工程、石没等许多工业领域具有重要意义。本文拟对该技术所需的理论基础,从物理和数学的角度较全面地加以阐述,从而建立超一套实用化的理论模型。  相似文献   
23.
脉冲激光冲击LD31薄板变形的实验和数值模拟   总被引:3,自引:0,他引:3  
激光冲击板料变形是利用高能脉冲激光和材料相互作用诱导的高幅冲击波的力效应使板料产生塑性变形的新技术 ,本文利用Nd :Glass脉冲激光对厚度为 0 .8mm的LD31薄板进行激光冲击变形实验。所用激光参数为 :脉冲能量 15~ 30J,脉冲宽度 2 5ns ,光斑直径Φ8mm。利用ABAQUS软件对激光冲击下板料的变形过程进行了数值模拟 ,建立了激光冲击波加载的数学模型 ,探索激光冲击的主要参数和板料变形之间的相互关系 ,为激光冲击变形工艺参数的优化、板料变形的理论分析 ,实现大面积金属板料的柔性激光冲压成形提供依据。  相似文献   
24.
SOI CMOS技术在一些特殊应用领域中有着体硅无法比拟的优势文中叙述采用SIMOX材料和0.8μm SOI CMOS工艺加固技术成功研制出抗辐射性能较好的器件和电路,并且给出了SOI CMOS器件的特性随辐照总剂量的变化关系,试验电路通过了总剂量500 Krad(Si)钴60γ射线辐照实验。  相似文献   
25.
尹传历  向长波  刘冬梅  宋建中   《电子器件》2008,31(3):935-937
应用模式识别和电视跟踪原理测量眼球在视靶信号刺激下的运动,为分析飞行员、车辆驾驶员的前庭功能提供一种先进的检查方法.采用均衡化、形态滤波和形心计算等方法实现了瞳孔区域的自动定位和实时跟踪;通过Harris角点检测和Lucas-Kanade光流跟踪实时测量出虹膜的旋转角度,为前庭功能分析奠定了良好的基础.通过实验验证,所介绍的眼球跟踪算法已达到了预期的效果,并已成功应用在前庭功能检查分析系统中.  相似文献   
26.
谷畅霞  李天阳  陶建中 《微电子学》2012,42(1):107-110,114
同/异步串口集成了同步和异步串口的功能,相比于单一功能的串口,配置灵活,且节约芯片资源。通过模块化设计方法实现同/异步串口的设计与仿真,并着重在内部模块设计中体现同步和异步功能的有效结合,合理复用逻辑功能。利用寄存器实现模块同异步功能及参数的可配置性,设计实现了9位唤醒模式,以支持多处理器通信。逻辑综合的结果显示,该串口具有良好的性能。目前,该串口已应用于高端32位DSP,工作稳定。  相似文献   
27.
在活性炭上负载银离子,制备具有抗菌性能的吸附材料载银活性炭.首先,优选了分散剂的种类为聚乙烯吡咯烷酮(PVP),得出PVP:银离子最佳质量比为1:1;其次,探讨了在不同碳化温度下改性活性炭载银量,未经碳化处理时载银量为17.09%,碳化温度为500℃时,载银量为18.24%;碳化温度800℃时,载银量增加到18.61%...  相似文献   
28.
在高校建设“大思政”格局的背景下,发挥出专业课程立德树人的作用是教学改革的根本目标。本文在“课程思政”的理念下,以热学课程为例,从热学课程的教学理念、教学设计和教学评价三方面展开教学改革的研究。基于对热学专业知识中蕴含思政资源的深入挖掘,重新设置知识、能力及育人三者并重的教学目标,设计融入思政资源的教学活动、构建多元化的评价体系,旨在探索出一条能够使专业学习与思政教育相互促进、协同发展的教改之路。  相似文献   
29.
利用计算机辅助设计软件,研究了不同条件下28 nm体硅器件的单粒子瞬态(SET)效应,分析了不同器件间距、线性能量转移值和粒子入射角度对器件SET效应的影响。随着器件漏极间距的减小,SET脉冲幅度和脉冲宽度随之减小。与垂直入射的情况相比,倾角入射下SET脉冲幅度和宽度的减小程度更加明显,电荷共享效应更加显著。仿真结果表明,合理调节反相器相异节点的器件间距,利用器件间的电荷共享可以有效减弱重离子产生的SET脉冲,减少单粒子效应的反应截面。  相似文献   
30.
本文采用0.25μm CMOS工艺,设计和研制了800MHz频段低噪声放大器.放大器采用共源共栅结构,芯片内部埋置了螺旋电感.放大器的增益为16.4dB、噪声系数小于1.3dB、工作电压2.5V时,功耗为35mW.测试结果达到了设计指标,一致性良好.  相似文献   
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