有效对话——让数学课堂充满生命活力

《数学课程标准》中指出：“教师应向学生提供充分从事数学活动的机会,帮助他们在自主探索和合作对话的过程中真正理解和掌握基本的数学知识与技能、数学思想和方法,获得广泛的数学活动经验．”但在实际数学教学中出现了大量的只学其形不见其神,表面热闹实际低效的“伪数学对话”现象：表面平等的“假对话”,脱离文本的“空对话”,浅尝辄止的“浅对话”．     

萜品油烯的DeMayo光环加成产物的反应研究

通过萜品油烯和2，6-二氧代戊酸甲酯的de Mayo反应，使[2 + 2]环加成产物 3-6经retro-aldol重排，开环生成取代环己烯7和12。在不同反应介质中对开环产 物进行再环合，并对其反应机理进行研究。在碱性条件下，经分子内Claisen缩合 反应形成螺环化合物；以对甲本碘酸为催化剂的环合，除生成正常的Claisen缩合 产物以外，7和12均发生烯键亲核加成反应，生成具有二环[3.3.1]结构的桥环化合 物9-11和二环[3.2.1]结构的桥环化合物16-18。所得新化合物的化学结构均经IR, ~1H NMR，~(13)C NMR及元素分析予以确定。     

美地那对土壤溶液含盐量变化的影响

在田间利用盐分传感器对土壤溶液电导率连续观测表明，施用美地那可在灌水期间增加表层，10cm,30cm，深土壤溶液盐分淋洗量，在未灌水期间抑制这些土层土壤溶液中盐分累积,60cm深土壤液电导率变化较以上土层缓和，田间施用美地那对该层土壤液含盐量影响不大。     

基于层层自组装碳纳米管的应变检测仪

通过对微小应变检测意义的分析,提出了本检测仪在实际应用方面的价值和前景。基于对碳纳米管导电机理的分析、制备薄膜电阻,利用其电阻随形变变化较为灵敏的特性,将电阻的变化转换为电压值的变化,经过数据采集、放大和数字处理设计了应变传感器。     

合肥光源储存环的离子俘获与直流离子清洗

研究了合肥光源(HLS)电子储存环中离子产生、俘获的过程,离子对束流的影响,直流离子清洗的作用及清洗效果.为光源的高效率的运行提供了理论指导及实验依据.     

用转移矩阵法数值研究二维正方介质柱光子晶体的传输特性

利用转移矩阵方法对二维正方介质柱光子晶体的传输特性进行了研究,数值计算研究了不同晶格、同一晶格柱体截面面积不同、放置方位角不同时光子晶体的传输特性。数值结果表明光子禁带的宽度与中心频率和晶格结构有很大关系,正方晶格更易形成平坦光子禁带,柱体截面面积大,则形成的禁带较宽,在其他因素相同的条件下柱体放置的方位角对光子禁带有重要影响。数值研究表明在正方介质柱下设计宽平坦光子禁带时,可以首先考虑正方晶格结构,其次设法使柱体截面尽量大一些,最后可通过柱体放置方位角来微调光子禁带的宽度与中心频率以达到设计要求。     

集成模块化Cantor网络的控制和光学实现

提出光学集成模块化Ｃａｎｔｏｒ网络，并建立了Ｃａｎｔｏｒ网络的快速控制体系，该网络是基于极化多通道技术，利用晶体的双折射效应和电光特性实现网络的互连变换，该网络易安装，抗干扰。     

注氢铁基二元合金中辐照位错环演化及退火温度影响研究

本文基于注氢纯铁和铁基二元合金(Fe-3%Cr、Fe-1.4%Ni和Fe-1.4%Mn,质量分数)开展常规透射电镜(200 kV)的原位表征观察,揭示了材料中辐照位错环的形态、尺寸演化行为及退火温度影响,并依据辐照损伤演化理论、退火过程中位错环平均尺寸变化推断得到空位型位错环形成温度的范围.注氢纯铁中空位型位错环的形成温度(T_c)约为500℃;添加Ni可使T_c降低至～450℃,添加Cr可使T_c升高至600℃以上,而Mn的作用与Cr相似,亦可使T_c升高.注氘实验和热脱附谱分析进一步表明,纯铁和铁基二元合金中空位型位错环的形成温度受氢同位素与空位结合、释放过程影响.合金元素Ni对氢同位素与空位的结合、释放有促进作用,故导致T_c降低;而Cr和Mn均对氢同位素与空位的结合、释放产生抑制作用,故导致T_c升高.本文展示的有关合金元素对空位型位错环形成温度影响的研究将有助于更深刻理解铁基合金体系中损伤结构演化和辐照肿胀产生机理.     

碰撞诱导钠分子A1Σ+u→X1Σ+g的荧光光谱

用532.0 nm激光激发Na2分子到B1Πu电子态,记录了Na(3P)原子的跃迁和Na2分子的A1Σ+u-Χ1Σ+g的谱带.由Na与Na2激发态发射的光谱及其强度可以认定在Na-Na2系统中的碰撞过程,Na(3P)原子线是Na2(B1Πu)到Na(3P)的碰撞能量转移产生的,预解离过程也可产生原子线.而A1Σ+u-Χ1Σ+g谱带是由B1Πu到21Σ+g的碰撞转移后再由21Σ+g到A1Σ+u的辐射而引起的.在360℃,根据辐射衰变率和荧光强度,得到Na2(B1Πu)到Na2(21Σ+g)碰撞转移率系数为7.1×10-10 cm3s-1,而B1Πu的预解离率为2.3×106 s-1.     

高频PCB快速发展 供应商积极布局

目前,中国大陆地区已经是全球最大的印制电路板生产基地,截止2006年底生产总值已达128亿美元,预计到2008年中国大陆的PCB出货量将占到全球总产量的三分之一。与此同时,受益于下游终端产品需求快速增长的拉动,中国PCB产业的结构也在向着更高技术含量的方向发展。美国电子工业联接协会主席Dennis P．McGuirk指出：“中国已经不只是一个成本低廉的生产地,她正以高水准的小型线路板和HDI制造领导着世界线路板制造。”