高压SOI LDMOS设计新技术——电场调制及电荷对局域场的屏蔽效应在高压SOI LDMOS设计中的应用

针对SOI基LDMOS结构的特殊性，结合高压器件中击穿电压和比导通电阻的矛盾关系，以作者设计的几种新型横向高压器件为例，说明了利用电场调制和电荷对局域场的屏蔽效应来优化设计新型SOI LDMOS的新技术；同时，指出了这种新技术较传统设计方法的优缺点。     

换白一新 多普达S1莹润白版

在我们的印象中,商务手机大都是在单调的黑色和银色之间徘徊,严谨有余而时尚不足。不过,多普达却总有创新之举,当年便曾突破这一局限,为智能商务手机830装扮了绚丽粉、智慧蓝及浪漫紫等多种时尚色彩,使商务人士展现出了多样的个性。如今,多普达又在智慧触屏手机S1(详细评测见《移动信息》2007年第8期)的经典黑和香槟绿两种颜色款式之外追加了全新配色——莹润白,这种在时装界经久不衰、可塑性极强的经典色彩带来了简约、高贵、纯洁、优雅的白色时     

HTC智能电话全新出击

HTC Touch DUAL RMB 5000 HTC Touch在全球各地上市近半年以来,创下了不错的成绩,于是HTC(宏达电)趁热打铁,推出了第二代产品——HTC Touch DUAL。HTC Touch DUAL延续了前代产品备受用户喜爱的筒约时尚外观,同时新添了一块滑盖键盘,增多了一种操作方式,让用户使用起来更加方便自由。针对不同的地区,HTC Touch DUAL的键盘分为两种版本,一种是配备传统数字键盘的16键版本,另一种则是类似索尼爱立信M608c、P1c那种编排方案(一个按键上包含两个英文字母)的QWERTY键盘,共有20个按键。在硬件规格方面,虽然屏幕从2.8英寸缩减到了2.6英寸,但HTC Touch DUAL整体看来却是明显升级。首先,处     

基于基团贡献法的HFC＋HC混合物气液相平衡性质预测

基于基团贡献法的思想,本文采用改进的SRK状态方程和修正的MHV1混合规则,将UNIFAC基团贡献法扩展用于HFC HC二元混合物气液相平衡性质的描述,给出了基团划分表和基团间的相互作用参数,使用该方法可以较好地再现HFC HC二元混合物的气液相平衡性质,并且具有良好的预测效果.     

New Power Lateral Double Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistor with a Folded Accumulation Layer

A new lateral double diffused metal oxide semiconductor field effect transistor with a double-charge accumulation layer using a folded silicon substrate is proposed to improve the performance of the breakdown voltage and specific on-resistance. Three kinds of technologies, which are the additional electric field modulation effect, majority carrier accumulation and increasing the effective conduction area, are applied simultaneously by a semi- insulating polycrystalline silicon layer deposited over the top of thin oxide covering the drift region. It is indicated that by the simulator, the ideal silicon limits of the breakdown voltage and specific on-resistance have been broken due to the complete three-dimensional reduced surface field effect and the doubled majority carrier accumulation layer.     

立方非线性Schr?dinger方程的Weierstrass椭圆函数周期解

利用Weierstrass椭圆函数展开法对非线性光学、等离子体物理等许多系统中出现的立方非线性 Schr(o)dinger方程进行了研究.首先通过行波变换将方程化为一个常微分方程,再利用Weierstrass椭圆函数展开法思想将其化为一组超定代数方程组,通过解超定方程组,求得了含Weierstrass椭圆函数的周期解,以及对应的Jacobi椭圆函数解和极限情况下退化的孤波解.该方法有以下两个特点:一是可以借助数学软件Mathematica自动地完成;二是可以用于求解其它的非线性演化方程(方程组).     

基于平行坐标的天线结构优化过程可视化研究

将可视化技术引入天线结构优化计算过程中,采用平行坐标技术实时显示优化过程中设计空间中敏度信息、约束函数信息等的相关状态,克服了笛卡儿坐标系无法描述多维数据空间的困难,使优化过程变得"透明"、"可视",实现了对计算过程的跟踪和驾驭,提高了优化的质量与效率。     

逆变器的工作原理及应用（一）

这里首先介绍恒频恒压逆变器，分析其电路结构和工作原理，讨论逆变器中的变压器的直流不平衡及控制方法等实用问题，还介绍几个SPWM逆变器产品的原理电路。     

m面蓝宝石衬底上ZnO外延薄膜的性能

采用自行研制的CVD设备在m面蓝宝石衬底上成功生长了微米级的ZnO外延薄膜.采用X射线衍射(XRD)和双晶X射线摇摆曲线(DXRD)研究了所生长ZnO薄膜的结构特征.利用扫描电子显微镜(SEM)观测了ZnO样品的截面,并测得其厚度.同时利用室温光致发光(PL)谱及霍尔(Hall)测试研究了ZnO外延薄膜的光学性质和电学性质.     

基于氟代苯乙胺有机阳离子的准二维钙钛矿发光二极管EI北大核心CSCD

近年来,钙钛矿发光二极管(PeLEDs)发展非常迅速,其性能得到了大幅提升,而构筑具有量子阱结构的准二维钙钛矿是开发高性能PeLEDs的有效方法之一。大尺寸有机阳离子是构成准二维钙钛矿的关键组分,对调节准二维钙钛矿的薄膜结构和光电性质具有重要作用。本文通过在铯铅卤化物(CsPb X3)钙钛矿中引入两种单氟取代的溴化苯乙胺(o-FPEABr(邻位取代)和p-FPEABr(对位取代)),采用无反溶剂的一步法制备了准二维钙钛矿薄膜和发光器件,研究了它们对准二维钙钛矿成相分布和器件性能的影响。研究发现,pFPEABr使准二维钙钛矿形成了大量的低维相,特别是具有强激子-声子耦合的二维相,而高维相含量较少。相反地,o-FPEABr能够有效地抑制低维相,并促进高维相的形成,有利于降低非辐射复合和提高辐射复合。形成能计算结果显示,基于p-FPEABr的低维相比基于o-FPEABr的低维相具有更好的热力学稳定性,导致了准二维钙钛矿中成相分布的差异,表明改变氟原子的取代位置能够调控准二维钙钛矿的结晶动力学过程,进而影响器件的发光性能。基于o-FPEABr,我们制备出高效的绿光和蓝光PeLEDs。其中绿光器件的最大外量子效率(EQE)达到了10.27%,发光峰位于521 nm;而蓝光器件的最大EQE也达到了8.88%,发光峰位于488 nm。