飞行试验颤振数据实时监控系统

颤振试飞是＂I类风险＂试飞科目,试飞风险巨大。而原型机和涉及到结构及外型重大更改的改型机都必须进行颤振科目试飞。因此要制定严格的保障措施,高效、准确的监控保证。由于颤振数据的高采样率,为保障整个监控系统的性能,采用单独的服务器与独立的局域网,并在颤振服务器上加装A/D转换器,结果该颤振数据实时监控系统可按512点/s的采样率无丢点采样存盘,条图仪均匀输出。通过前期原理论证及后期使用证明该系统能满足高采样率下颤振数据的实时监控要求,而且它解决了在UDP传输协议的网络中高采样数据条图仪输出的时间均匀性问题。     

低仰角对流层折射修正快速算法

大气的折射效应引起电波传播延迟和路径弯曲,测量数据对流层修正的精度直接影响到飞行目标轨（弹）道确定的精度。考虑到对流层折射修正的精度和效率以及5°以下低仰角数据传统修正方法具有较大的误差,通常不对测量数据进行实时对流层折射修正,这使得实时定位的精度受到较大影响。研究设计了一种能够应用于实时数据处理快速有效的对流层折射修正迭代算法。经大量外场实测数据验证,该算法能够有效地消除低仰角对流层折射偏差,对高仰角测量数据的对流层折射修正亦具有较高的精度。     

无接触智慧云测温系统

由于海外愈加严重的疫情形势以及传播能力更强的新冠病毒变异毒株,我国的复工复产复学面临着严峻的考验.在新冠病毒的常态化防控中,体温测量是最简单而且最有效途径.然而传统的水银体温计测量需要耗费过长的时间且因接触需要反复消毒,体温枪又无法对测量的体温数据进行记录保存.本系统以STC8A8K64S4A12单片机为核心,MLX9...     

硅胶支载稀土氯化钐一步催化合成多取代Mannich碱

采用硅胶与稀土氯化钐在甲苯或四氯化碳中反应,制备了硅胶支载稀土氯化钐. 与已报道的支载型催化剂相比,所制备的硅胶支载稀土氯化钐作为催化剂具有支载量稳定、催化反应时间短、产率高和选择性强等优点,同时催化反应条件温和、操作简便、不污染环境且催化剂重复利用率高. 室温条件下,以硅胶支载稀土氯化钐作为催化剂催化对甲氧基苯乙酮、芳香醛和芳香胺的三组分体系,利用“一锅法”合成了28种新的β-氨基酮类化合物,并探索了不同反应条件对产率的影响. 催化剂经过IR和XRD表征,催化反应产物通过IR、¹H NMR和元素分析确定.     

纳米二氧化钛光催化材料研究进展

近年来,对纳米二氧化钛光催化材料的研究主要集中在如何提高其光催化效率和开发新的应用领域。在介绍了半导体光催化技术、纳米二氧化钛主要制备方法的同时,从纳米材料复合体系、复杂结构以及晶面诱导等方面列举了最新的提高纳米二氧化钛催化活性的改性方法,最后重点阐述了纳米二氧化钛光催化材料的应用领域和发展瓶颈。     

Q型腔自混合散斑实时速度测量

研究基于Q型腔的自混合散斑速度实时传感。利用掺铒光纤、耦合器、波分复用器等组建激光散斑速度传感系统,理论分析动态物体散射光反馈进入激光腔内与原光混合产生的自混合散斑现象,推导出Q型腔输出功率的表达式。以一圆形铝盘为速度传感对象,开发LabVIEW程序对散斑信号进行实时波形采集、滤波去噪及数值计算,得出自混合散斑信号能量密度与物体速率之间的线性关系。基于此关系,对该铝盘侧面的线速率进行实时测量,在175～456mm/s速率范围内可获得较好的测量结果。研究表明,Q型腔内自混合激光散斑的能量密度测速方法,可用于粗糙表面物体的实时速度传感。     

功能化的H2QS-CdS纳米微粒的合成及表征

采用新颖的方法配体交换法制备8-羟基喹啉-5-磺酸(H2QS)功能化的CdS纳米微粒,通过IR、1H-NMR等测试,证明H2QS成功的修饰在ME-CdS纳米微粒表面,TEM和XRD测试表明,功能化的H2QS-CdS纳米微粒均匀分散没有聚集,且其粒径与纯的ME-CdS纳米微粒比较基本没有发生改变,仍为2～4nm左右。功能化的H2QS-CdS纳米微粒的最大发射峰与ME-CdS相比发生蓝移,且发光效率显著提高,并对其发光机理进行理论分析。     

Spatial heterogeneity in liquid–liquid phase transition

Molecular dynamics simulations are performed to investigate the liquid–liquid phase transition(LLPT) and the spatial heterogeneity in Al–Pb monotectic alloys. The results reveal that homogeneous liquid Al–Pb alloy undergoes an LLPT,separating into Al-rich and Pb-rich domains, which is quite different from the isocompositional liquid water with a transition between low-density liquid(LDL) and high-density liquid(HDL). With spatial heterogeneity becoming large, LLPT takes place correspondingly. The relationship between the cooling rate, relaxation temperature and percentage of Al and the spatial heterogeneity is also reported. This study may throw light on the relationship between the structure heterogeneity and LLPT, which provides novel strategies to control the microstructures in the fabrication of the material with high performance.     

具有纵向辅助耗尽衬底层的新型横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

为了优化横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(lateral double-diffused MOSFET,LDMOS)的击穿特性及器件性能,在传统LDMOS结构的基础上,提出了一种具有纵向辅助耗尽衬底层(assisted depletesubstrate layer,ADSL)的新型LDMOS.新加入的ADSL层使得漏端下方的纵向耗尽区大幅向衬底扩展,从而利用电场调制效应在ADSL层底部引入新的电场峰,使纵向电场得到优化,同时横向表面电场也因为电场调制效应而得到了优化.通过ISE仿真表明,当传统LDMOS与ADSL LDMOS的漂移区长度都是70μm时,击穿电压由462 V增大到897 V,提高了94%左右,并且优值也从0.55 MW/cm~2提升到1.24 MW/cm~2,提升了125%.因此,新结构ADSL LDMOS的器件性能较传统LDMOS有了极大的提升.进一步对ADSL层进行分区掺杂优化,在新结构的基础上,击穿电压在双分区时上升到938 V,三分区时为947 V.     

具有部分本征GaN帽层新型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性分析

为了优化传统Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)器件的表面电场,提高击穿电压,本文提出了一种具有部分本征GaN帽层的新型Al GaN/GaN HEMTs器件结构.新型结构通过在Al GaN势垒层顶部、栅电极到漏电极的漂移区之间引入部分本征GaN帽层,由于本征GaN帽层和Al GaN势垒层界面处的极化效应,降低了沟道二维电子气(two dimensional electron gas,2DEG)的浓度,形成了栅边缘低浓度2DEG区域,使得沟道2DEG浓度分区,由均匀分布变为阶梯分布.通过调制沟道2DEG的浓度分布,从而调制了Al GaN/GaN HEMTs器件的表面电场.利用电场调制效应,产生了新的电场峰,且有效降低了栅边缘的高峰电场,Al GaN/GaN HEMTs器件的表面电场分布更加均匀.利用ISE-TCAD软件仿真分析得出:通过设计一定厚度和长度的本征GaN帽层,Al GaN/GaN HEMTs器件的击穿电压从传统结构的427 V提高到新型结构的960 V.由于沟道2DEG浓度减小,沟道电阻增加,使得新型Al GaN/GaN HEMTs器件的最大输出电流减小了9.2%,截止频率几乎保持不变,而最大振荡频率提高了12%.