一种新型大驱动、低功耗和高精度的电荷泵电路

提出一种适用于NOR结构快闪存储器应用的,具有大驱动能力、低功耗和高精度特性的电荷泵系统。它通过对八个子电荷泵的并联来提高电荷泵的驱动能力,并采用电容分离法来动态地自洽改变每个子电荷泵的驱动能力,仿真结果表明,在擦除模式、一位编程模式和八位编程模式工作下,其瞬态平均电流分别约为2.5mA、4 mA和12 mA,电荷泵的输出高压精度可达±2.3%以下,达到了节省功耗和提高输出高压精度的目的。     

嵌入式视频系统中高速信号完整性分析

在高速数字系统设计中,信号完整性（SI）问题以及互连延迟引起的时序问题致关重要。分析了嵌入式视频系统高速数字的信号完整性问题,使用串行端接和分支总线拓扑解决信号完整性问题,通过Protel DXP 2004进行SI仿真验证;并以DM642与SDRAM之间的时序为例,对信号时序进行分析。     

TD-SCDMA系统中智能天线的重复迭代自适应算法

提出一种用于TD-SCDMA系统的重复迭代自适应智能天线算法。通过在自适应算法中把阵列输入信号和作为参考信号的训练序列重复使用,可以在短训练序列情况下实现较好的收敛,提高通信系统的传输效率。对LMS算法中全训练序列重复迭代和滑动窗口重复迭代算法进行了仿真,结果表明,在有限训练序列时本算法比传统LMS算法更好地逼近最佳解。     

新型Si3N4层部分固定正电荷AlGaN／GaNHEMTs器件耐压分析

为了优化传统AlGaN／GaNhighelectronmobilitytransistors结构表面电场分布,提高器件击穿电压和可靠性,本文利用不影响AlGaN／GaN异质结极化效应的Si3N4钝化层电荷分布,提出了一种sbN4钝化层部分固定正电荷AIGaN／GaNhighelectronmobilitytransistors新结构．SiaN4钝化层中部分固定正电荷通过电场调制效应使表面电场分布中产生新的电场峰而趋于均匀．新电场峰使得新结构栅边缘和漏端高电场有效降低,器件击穿电压从传统结构的296V提高到新结构的650V,而且可靠性改善．通过Si3N4与AlGaN界面横、纵向电场分布,说明了产生表面电场峰的电场调制效应,为设计SiaN4层部分固定正电荷新结构提供了科学依据．Si3N4钝化层部分固定正电荷的补偿作用,使沟道二维电子气浓度增加,导通电阻减小,输出电流提高．     

以巯基丙酸为稳定剂的水溶性CdTe量子点的水热合成及表征

以巯基丙酸(MPA)为稳定剂,采用水热合成方法在160 ℃下合成水溶性CdTe量子点。研究了不同反应时间及反应前驱体溶液的不同pH值对合成的CdTe量子点光学性质的影响。结果表明:所制得的CdTe量子点的荧光发射波长在510~661 nm范围内连续可调,并且CdTe量子点的光学性质强烈地依赖于反应前驱体溶液的pH值,最佳pH值为9。透射电子显微镜和X射线衍射分析表明所制备的CdTe量子点的形状接近于球形,粒径分布较均匀。与回流方法制备的水溶性量子点相比,高温条件下的水热合成方法简单,反应时间短,CdTe量子点生长速度快,100 min就可生长到3.5 nm,并且所制得的CdTe量子点荧光强度高,稳定性好,荧光量子产率也较高,最高可达44.6%。     

硅薄膜的短波红外光学特性和1.30μm带通滤光片

在短波红外区域(1～3μm),硅薄膜材料因其具有折射率高、透明性好、膜层应力易匹配等诸多优点而得到广泛应用。基于改进后的Sellmeier模型拟合出了制备的硅薄膜的短波红外光学特性,以此为基础,选用硅和二氧化硅两种材料,设计并制备出中心波长在1.30μm,相对带宽2.46%的带通滤光片。利用了硅薄膜在波长小于1.0μm波段的吸收特性较好地扩展了带外截止范围。测量结果表明,具有2个谐振腔的带通滤光片峰值透射率达到85.8%,半功率带宽控制在约32nm,带外截止范围覆盖了波长小于1.75μm的光谱区域。     

声波导管对圆柱型共鸣腔声场扰动的研究

声学共鸣法是目前测量流体热物性、热力学温度和玻尔兹曼常数最精确的方法之一,声波导管为共鸣腔提供声源和气体进入口,但是会破坏共鸣腔的理想表面从而导致腔体内气体介质共鸣频率的偏移(△f)和共鸣峰半宽的增加(g)。本文从一阶声学微扰出发建立了声波导管对共鸣腔声场的扰动模型,分析了导管位置、长度和半径大小对腔体中介质共振频率的影响。进一步测量了52～1763 mm之间六个不同长度的导管在T=332 K和p=50～500 kPa时,圆柱共鸣腔中轴向共鸣模式的共鸣频率和半宽的变化,测量结果与理论计算值吻合较好,证明了理论模型的正确性。     

Modeling of the drain-induced barrier lowering effect and optimization for a dual-channel 4H silicon carbide metal semiconductor field effect transistor

A new analytical model to describe the drain-induced barrier lowering(DIBL) effect has been obtained by solving the two-dimensional(2D) Poisson’s equation for the dual-channel 4H-SiC MESFET(DCFET).Using this analytical model,we calculate the threshold voltage shift and the sub-threshold slope factor of the DCFET,which characterize the DIBL effect.The results show that they are significantly dependent on the drain bias,gate length as well as the thickness and doping concentration of the two channel layers.Based on this analytical model,the structure parameters of the DCFET have been optimized in order to suppress the DIBL effect and improve the performance.     

模拟淬火算法结合Gupta势研究Rh_n(n=2～100)团簇的基态特性北大核心CSCD

采用Gupta多体势结合分子动力学模拟淬火方法及遗传算法、分别求解了Rhn(n=2～100)团簇的最低能几何结构及能量,结果表明:与模拟淬火方法所得最低能结构(视为基态结构)相比,当铑团簇尺寸为60以下时,遗传算法基本可以找到全部基态(除Rh50以外);但随团簇尺寸增大遗传算法寻找基态结构效率明显下降.通过系统分析淬火结构势能分布图得出模拟淬火算法寻找团簇基态能量(结构)的有效温度区间,同时也进一步说明了该方法在寻找团簇基态结构时与团簇尺寸的非简单依赖关系.     

随机参数反射面天线机电集成稳健优化设计

针对反射面天线风荷与结构参数具有随机性的特点,提出了随机因素下机电集成设计方法.首先,导出了随机因素下反射面天线电磁场与位移场的场耦合关系式.其次,提出了基于新关系式的机电集成稳健优化设计模型,给出了求解的策略与方法.最后,将所提出的理论与方法应用于某8m与40m天线中,得到了满意的结果.