基于FPGA的RFID板级标签设计与实现

在分析射频识别原理和特点的基础上,讨论超高频射频识别系统中电子标签设计技术,并采用EP1C6Q240FPGA对超高频电子标签进行了板级设计及其实现.利用Verilog语言实现了标签数字电路,并在板级标签中进行了验证.测试结果表明,该设计实现了ISO18000-6C标准的标签读写功能,读写性能优异,为下一步设计出符合该标准的电子标签芯片提供了有力保证.     

不同调制周期Cu/TaN多层膜的微结构与表面形貌

采用磁控溅射方法在Si(111)基底上沉积不同调制周期的Cu/TaN多层膜,用X射线衍射仪(XRD)与原子力显微镜(AFM)表征薄膜微结构与表面形貌,研究了不同调制周期L薄膜的微结构与表面形貌.结果表明:不同L的TaN调制层均为非晶结构,多晶Cu调制层的晶粒取向组成随着L改变而变化; Cu调制层的表面粗糙度Rrms.大于TaN调制层的Rrms;与Cu单层膜相比,最外层为Cu调制层的Cu/TaN多层膜的Rrms较小;与TaN单层膜相比,最外层为TaN调制层的Cu/TaN多层膜的/Rrms较大;随着L增加,多层膜与对应的单层膜之间的兄Rrms差值逐渐减小.     

与顶点A-划分有关的上可嵌入图类

图G的顶点A-划分是指:G的顶点集划分{V1,V2,···,Vs},其中G[Vi](1≤i≤s)为多重完全图或多重完全二部图.文中结合图的顶点A-划分,顶点度及边连通性等条件确定了一些新的上可嵌入图类,从而将已有类似结果进行了推广,且完整地刻画了这类图的上可嵌入性情况.     

High-mobility germanium p-MOSFETs by using HCl and(NH_4)_2S surface passivation

To achieve a high-quality high-κ/Ge interfaces for high hole mobility Ge p-MOSFET applications,a simple chemical cleaning and surface passivation scheme is introduced,and Ge p-MOSFETs with effective channel hole mobility up to665 cm2/V·s are demonstrated on a Ge(111) substrate.Moreover,a physical model is proposed to explain the dipole layer formation at the metal–oxide–semiconductor(MOS) interface by analyzing the electrical characteristics of HCl- and(NH4)2S-passivated samples.     

一种改进的差分环型振荡器相位噪声模型

在Razavi模型和Weigandt模型的基础上,提出了一种改进的差分环型振荡器相位噪声模型.新模型考虑了环振非线性对相位噪声的影响,从新的角度讨论了相位噪声的三种发生机制和影响,讨论了闪烁噪声的优化方法,得到了新的相位噪声模型,并依此着重分析了对管尺寸和环振级数对相位噪声的影响.最后,分析了低噪声设计的一些原则.采用CSM0.35μm工艺进行了流片验证,模型与测试结果能够很好地吻合     

扫描电路测试功耗综述

随着集成电路制造技术的发展.高集成度使得测试时的功耗成为集成电路设计必须考虑的一个重要因素,低功耗测试也就成为了测试领域一个令人关注的热点.目前,低功耗测试技术的研究还在发展之中,工业生产中低功耗测试方法还没有得到充分的应用.在集成电路中采用扫描结构的可测试性设计方法,能够提高测试覆盖率.缩短测试时间,已在集成电路测试中得到大量应用.基于扫描结构的数字集成电路,学术界已提出了许多方法降低该电路的测试功耗,本文对此方面的研究进行综述.随着测试技术的发展,测试功耗的理论也将日益深入.     

基于单片机的多路低速数据串行传输

在数据采集和传输系统中,常需进行多路数据的传送和处理。以单片机为核心,研究多路低速数据串行传输的一种实现方法,给出硬件连接图,阐述各部分工作原理及软件设计思路。该实现方法硬件简单,所需芯片少,成本低,可实用于以单片机为核心的多路低速数据串行传输系统中。     

作为Be2+磷光探针的含9-冠-3的铱配合物

以4′-(2-苯并噻唑基)苯并-9-冠-3(BTZ9C3)为主配体,用2,2′-联吡啶(bpy)及3-三氟甲基-5-(2′-吡啶基)-1,2-二唑(Hfppz)辅助配体分别合成了离子型铱配合物[Ir(BTZ9C3)2(bpy)]PF6(1)和中性铱配合物[Ir(BTZ9C3)2(fppz)](2)。配合物的结构通过核磁、高分辨质谱进行了表征,并测定了配合物1的单晶结构。对它们光物理性能的研究表明,2种配合物掺杂在PMMA中的发光为黄绿光发射,配合物1的发光波长为535 nm,配合物2的发光波长为541 nm,发光量子效率分别为10.8%,45.0%,发光寿命分别为3.01和2.58μs,为典型的磷光发射。通过循环伏安法测得配合物1和2的HOMO能级分别为-5.60和-5.35 eV。2种配合物对Be2+都有发光增强的选择性识别效果,化学计量比为1∶2,最低检测限低至6.0μmol·L-1。抗干扰能力方面,离子型配合物1的抗干扰能力较好,而中性配合物2受Al3+的干扰较大。