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GaAs(100)衬底上自组织生长InAs量子点的研究 总被引:4,自引:1,他引:3
本文利用在GaAs(100)衬底上自组织生长超薄层InAs的方法得到了InAs量子点结构.当InAs的覆盖度小于1.7ML(Mono-Layer)时,InAs层仍保持二维生长模式,而当InAs的覆盖度大于1.7ML时,InAs层将会成岛生长,得到的量子点的尺寸和分布相当均匀.我们还研究了不同覆盖度的InAs层的光致发光(PL)特性,结果发现在成岛前后,它们的PL特性有明显差异. 相似文献
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GaN材料可以发蓝光 ,具有非常重要的实际应用价值。GaN的结构分析中 ,确定各种畴的极性是非常重要的。在过去的研究中 ,对于GaN这类非中心对称极性晶体 ,主要利用会聚束电子衍射的方法来测定极性[1] 。最近 ,N .Jiang等人利用通道效应对X 射线能量色散谱 (EDS)强度的影响测定GaN的极性[2 ] 。但利用电子能量损失谱的方法研究晶体的极性目前尚不多见。入射电子在GaN晶体中传播时 ,由于布洛赫波的相干效应 ,使得N原子对入射电子的非弹性散射强度在g =0 0 0 2双束条件和g =0 0 0 2双束条件下并不相同。通过比较这… 相似文献
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深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%. 而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强. 利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%. 在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器), EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物. 相似文献
76.
文章简要介绍了高分辨电子显微学方法和电子能量损失谱的进展.文中特别指出,随着电子显微技术的发展,原子分辨电子显微图像对结构问题的深入研究有重要作用.装备有能量单色器的新一代电子显微镜,可以直接给出高能量分辨率的电子能量损失谱(优于 0.1eV).这些先进技术方法的应用,推动了晶体结构学、材料科学、物理学、纳米科学及生命科学的发展,也为解决很多重要结构问题奠定了基础.文章重点讨论了几个典型功能材料体系的结构问题:利用大角度会聚束电子衍射技术,分析了应变硅器件中的应变分布;利用原位电子显微技术,研究了新型电子铁电体LuFe2O4电荷序和物理性能的关系;深入探讨了强关联体系中电子关联效应对电子能量损失谱和电子结构的影响. 相似文献
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从理论上设计并研制了一种用于可重构光分插复用技术中的具有多波长处理功能的单片集成光探测器阵列,器件在GaAs基衬底上集成了GaAs/AlGaAs材料的法布里一珀罗谐振腔和InP-In0.53 Ga0.47 As-InP材料的PIN光探测器.为了能够实现对多路波长的探测,首先利用湿法腐蚀,改变不同区域谐振腔的厚度,然后通过二次外延完成谐振腔的生长,最后利用低温缓冲层技术在GaAs材料上异质外延高质量的InP基的PIN结构.器件的工作波长位于1500 nm左右,可实现对4路波长,间隔为10 nm的光信号探测,光谱响应线宽低于0.8 nm,峰值量子效率达到12%以上,响应速率达到8.2 GHz.实验测试结果与理论分析进行了对比,并得到了很好的解释. 相似文献
79.
(111)Si上外延生长六方GaN的TEM观察 总被引:3,自引:0,他引:3
利用衍衬、SAED、HRTEM对在 (111)Si上外延生长的六方GaN进行了观察分析。GaN外延层与缓冲层和基底的取向关系为 (0 0 0 1) GaN (0 0 0 1) AlN (111) Si,[112 0 ]GaN [112 0 ]AlN [110 ]Si。GaN外延层中存在倒反畴。GaN中位错以刃型位错为主。In0 1Ga0 9N GaN的多重量子阱结构 (MQW )具有阻挡穿透位错 ,降低位错密度的作用。由于在室温下具有 3 4eV的直接带隙 ,GaN已经成为制备一些光电子器件如蓝色、紫色、紫外发光二极管及激光二极管等的最佳候选材料[1,2 ] 。通常是在各种… 相似文献
80.
目标形状对激光测距机测距能力影响的数值模拟研究 总被引:1,自引:0,他引:1
根据激光测距方程,引入了等效散射面积的概念,分别建立了对点目标、扩展目标和线形目标测距的理论模型.通过数值计算,研究了目标距离、束散角与探测器接收功率及信噪比的函数关系,讨论了不同目标形状对激光测距性能的影响.结果表明,目标形状在较近距离情况下对测距机的接收功率和信噪比有显著影响,而在较远距离时,其影响可忽略. 相似文献