Modeling of Fano Resonance in High-Contrast Resonant Grating Structures

A new model is presented for Fano resonance in resonant grating structure based on the temporal coupled mode theory. By using this model, the reflection spectrum can be reproduced with the information of eigenmode of the structure, which can be numerically calculated by the finite element method. Therefore, the eigenmode plays a key role in determining the profile of the line shape of the Fano resonance in the resonant grating structure. When the space of two grating modulations is decreased, the line shape experiences a significant change. Such a drastic change can be attributed to the increase of quality factor of the eigenmodes. Thus, our model not only provides a simple and intuitive understanding on the mechanism of Fano resonance, but it also offers a convenient way to engineer the line shape of the Fano resonance. The proposed model can be used in many applications, such as biosensors, optical filters, and optical switchers.     

激光辐照HgCdTe探测器的温度场数值分析

建立激光辐照下HgCdTe光电导探测器的非稳态物理模型，进行温升计算，得到温度场分布的数值解。分析瞬态温度场分布随时间变化的关系，讨论了激光辐照对探测器性能参数的影响，实践证明，本研究方法简便有效，能够对器件机理的分析提供理论依据。     

强激光对星载光电探测系统的干扰与破坏研究

建立了激光辐照星载光电探测器的数学模型,对激光干扰和破坏星载光电系统的机理进行了研究,分析了激光光束与探测器光轴的偏角对干扰和破坏的影响.以CO2激光辐照HgCdTe探测器的实例,研究了强激光对探测单元的破坏,得到其损伤阈值曲线,并从理论上证明了强激光对星载光电探测系统干扰和破坏的可行性.     

基于ADV212的JPEG2000静态图像压缩系统设计

研究了JPEG2000压缩标准及单片实现该标准的专用编解码芯片ADV212,并在分析ADV212的硬件结构及工作原理的基础上,设计了一种ADV212组合Field Programmable Gate Array(FPGA)的静态图像数据压缩电路.其中,系统数据接口采用Universal Serial Bus(USB),FPGA用来实现时序控制和输入输出数据格式的组织,ADV212则进行小波分解和码流组织,以完成图像数据的压缩.利用该系统对标准静态图像的压缩试验表明,系统工作正确可靠,可用于实际图像压缩.     

Xilinx FPGA抗辐射设计技术研究

针对Xilinx FPGA在航天应用中的可行性,文章分析了Xilinx FPGA的结构以及空间辐射效应对FPGA的影响,结合实际工程实践给出了提高其可靠性的一些有用办法和注意事项,如冗余设计、同步设计、自检等.表明配置信息的周期刷新和三模冗余设计是减轻单粒子效应的有效方法.     

暗场电子全息技术及其在应变分析中的应用

暗场电子全息是近年来出现的实验技术,是测量半导体器件中应变分布的有力手段。它将莫尔技术与离轴电子全息结合起来,具有空间分辨率高、视场范围大、精确度高、结果直观等优点。本文简要介绍了该技术的原理、实验方法和应用。     

GaAs（100）衬底上自组织生长InAs量子点的研究

本文利用在ＧａＡｓ（１００）衬底上自组织生长超薄层ＩｎＡｓ的方法得到了ＩｎＡｓ量子点结构．当ＩｎＡｓ的覆盖度小于１．７ＭＬ（Ｍｏｎｏ－Ｌａｙｅｒ）时，ＩｎＡｓ层仍保持二维生长模式，而当ＩｎＡｓ的覆盖度大于１．７ＭＬ时，ＩｎＡｓ层将会成岛生长，得到的量子点的尺寸和分布相当均匀．我们还研究了不同覆盖度的ＩｎＡｓ层的光致发光（ＰＬ）特性，结果发现在成岛前后，它们的ＰＬ特性有明显差异．     

利用能量过滤成像技术对注氮SOI的研究

本文报道了利用能量过滤成像技术对注氮SOI结构的研究。能量选择狭缝分别置于△E=16eV和△E=25eV,对应于Si和Si_3N_4的等离子能量损失的非弹性散射,电子显微照片可以给出更多的结构信息。顶层单晶硅和上氮化硅层之间的过渡层可以明显地划分成两个亚层:氮化硅亚层和硅亚层。从衬底的〈111〉衍射束成的暗场像看出硅亚层的晶粒取向与顶层单晶硅的取向是不同的,这说明硅亚层中的硅晶粒的形成与长大与顶层单晶硅的形成无关。     

电子能量损失谱研究GaN的极性

ＧａＮ材料可以发蓝光 ,具有非常重要的实际应用价值。ＧａＮ的结构分析中 ,确定各种畴的极性是非常重要的。在过去的研究中 ,对于ＧａＮ这类非中心对称极性晶体 ,主要利用会聚束电子衍射的方法来测定极性[1] 。最近 ,Ｎ .Ｊｉａｎｇ等人利用通道效应对Ｘ 射线能量色散谱 (ＥＤＳ)强度的影响测定ＧａＮ的极性[2 ] 。但利用电子能量损失谱的方法研究晶体的极性目前尚不多见。入射电子在ＧａＮ晶体中传播时 ,由于布洛赫波的相干效应 ,使得Ｎ原子对入射电子的非弹性散射强度在ｇ =0 0 0 2双束条件和ｇ =0 0 0 2双束条件下并不相同。通过比较这…     

Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格X-射线双晶衍射的运动学研究

本文利用X射线双晶衍射对应变层超晶格进行了研究.我们从超晶格的台阶模型出发,运用运动学理论,推导出了X射线衍射强度的表达式,清楚地揭示了合金成分x,应变,层厚比与迴摆曲线强度分布的关系.对Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格双晶X射线衍射强度的模拟结果与实验结果符合很好.