Enhanced Total Ionizing Dose Hardness of Deep Sub-Micron Partially Depleted Silicon-on-Insulator n-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors by Applying Larger Back-Gate Voltage Stress

Owing to the fifll isolation and minimization of the silicon active volume, silicon-on-insulator （SOI） tech- nology has better resistance against transient ionizing effects like single event effects （SEE） or latch up.However, the total ionizing dose （TID） irradiation responses of SOI transistors are more complex than bulk-silicon devices. In addition to the gate and par- asitic field leakage current, which are common to SOI and bulk-silicon devices, irradiation induced charges trapped in the SOI buried oxide （BOX） can also affect SOI device performance. Typically, there is a par- asitic edge transistor in the back-gate of SOI devices paralleled with the main transistor, which is formed by the corner region of the silicon island. Due to the high electric field induced by the back-gate voltage at the corner of the silicon island, the threshold of the parasitic edge transistor is lower than the main transistor, resulting in a sub-threshold hump in the transfer characteristic of the back-gate transistor. Even though the threshold of the parasitic edge tran- sistor is lower than the main transistor, it is still larger than zero, which has no effect on the front- gate of devices. However, the sub-threshold hump in the back-gate is the ＇Achilles heel＇ for total dose responses of deep sub-micron SOI n-type metal-oxide- semiconductor field-effect transistors （MOSFETs） iso- lated by shallow trench isolation （STI）. As reported in Refs., the threshold of the parasitic edge transis- tor is negative shifted by radiation-induced charges trapped in STI, leading to off-state leakage in the front-gate of devices.     

空气斜槽浓相煤粉输送的实验研究

在一个长7 m的空气斜槽内进行浓相输送煤粉的实验研究.实验结果表明,随着空气表观速度增加,煤粉饱和输送量先增加,随后达到稳定,约为0.25kg/s.槽倾角低于5°时,煤粉不流动.倾角在5°～7°内,煤粉的饱和输送量和最大固气质量比随角度变化不明显,但随倾角增大,处于最大固气比下的工作空气速度范围增大.输送槽高度对煤粉的...     

应用于可穿戴式设备的超低功耗SAR ADC研究与设计

针对便携式可穿戴移动设备的低功耗要求,提出了一种超低功耗逐次逼近型（SAR）模数转换器（ADC）。所提出的SAR ADC在数模转换器（DAC）电容阵列中设计了改进型电容拆分电路来降低系统的功耗和面积;并采用双尾电流型动态比较器架构降低比较器功耗。采用0.18μm CMOS工艺对所提出的SAR ADC进行设计并流片。测试结果表明在1.8V供电电压,采样率为50kHz的条件下,其有效位数为9.083位,功耗仅为1.5μW,优值55.3fJ,所设计的ADC适合于可穿戴式设备的低功耗应用。     

浅析电子签章应用安全与技术

随着信息技术的快速发展,电子签章作为数字办公系统的一种重要工具,应用范围越来越大,涉及的行业越来越广。当前电子签章的规范性不够完善,安全性令人担忧,而云密码技术与电子签章技术的结合必将促使电子签章向云端迁移,推动密码泛在化和安全服务化的发展。因此,从电子签章的规范化、安全化和云密码技术下电子签章的应用3个层面分析电子签章应用的安全与技术发展,提出了当前电子签章产品的设计思路和方向,以期为电子签章应用产品的设计提供技术参考。     

多壁碳纳米管功能化及其在电化学葡萄糖传感器中的应用

利用硅烷偶联剂的表面修饰技术,将氨基丙基三乙氧基硅烷(APS)共价接枝到酸处理后的碳纳米管的表面.红外光谱数据证实了该反应的可行性.修饰后的碳纳米管在水中具有良好的分散性.利用西夫碱反应将氨基化的碳纳米管与醛基化的葡萄糖氧化酶共价层层自组装到电极表面,获得灵敏度可控的葡萄糖传感器.用电化学交流阻抗法和扫描电镜对成膜过程...     

石墨炉原子吸收光谱法测定人血清中微量锰

采用石墨炉原子吸收光谱法测定人血清中微量锰 ,回收率为 10 5 .0 % ,检出限为 7.7× 10 -10 g/ m L,相对标准偏差为 6 .5 16 %。本方法简单、快速和准确 ,已用于血中微量锰的测定 ,结果令人满意。     

通信辐射源个体特征提取技术

个体特征选择和提取是辐射源个体识别的关键,直接决定分类识别性能的好坏。由于在实际工程应用中,利用暂态特征进行通信辐射源个体识别难以实现,本文从稳态特征出发,对通信辐射源个体特征提取技术进行了综述,对特征的产生机理、在信号传播过程中所受到的污染以及在实际工程应用中的可行性做了归纳与分析。最后,指出了目前通信辐射源个体特征提取技术存在的问题,展望了个体识别技术未来可能的研究方面。     

H∞滤波和自适应卡尔曼滤波在消除重力异常畸变中的对比研究

为了有效地消除重力异常畸变对海洋重力仪测量精度的影响，得到更高精度的重力异常测量值，根据随机过程理论，分析了重力异常状态方程，并对H∞滤波算法和自适应卡尔曼滤波算法进行了理论对比分析，将其应用到消除重力异常畸变系统中。为了避免滤波发散，自适应卡尔曼滤波采用降阶的Sage—Husa算法。理论分析和仿真实验表明：H∞滤波算法和自适应卡尔曼滤波算法都具有较好的滤波收敛特性，并能在一定程度上有效地消除重力异常畸变对重力异常测量精度的影响，但自适应卡尔曼滤波的性能优于H∞滤波。     

低电压,低噪声BBD的原理和应用

ＢＬ３２０８是一种单电源工作的低噪声，低电压ＢＢＤ器件。经具有失真小、动态范围宽，外围元件少等特点，所以被广泛在各种音响装置中。文中主要介绍它的性能特点、工作原理和实际应用电路。     

试论电子信息工程的现代化技术

随着网络技术的发展和电子信息技术的发展,电子信息工程正在蓬勃发展.如今,电子信息工程成为各行业发展的驱动性因素,对我国的经济发展起到了很大的促进作用.但是,电子信息工程的现代化技术仍有很大的发展空间,并且其在发展过程中存在着一些问题,本文将对其进行探讨.