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在二维正方Heisenberg铁磁系统的基础上建立了磁振子-声子相互作用模型. 利用松原格林函数理论研究了系统的声子衰减,计算了布里渊区的主要对称点线上的声子衰减曲线. 发现在第一布里渊区,在Δ线上,横向声频支声子无衰减,在Z线上,纵向声频支声子无衰减;横向声频支声子衰减比纵向声频支声子衰减至少大一个数量级,并讨论了各项参数的变化对横向声频支声子衰减与纵向声频支声子衰减的影响. 根据声子衰减与声子寿命的关系,声子衰减与声子态密度的关系,可以讨论横向声频支声子与纵向声频支声子的寿命与态密度.
关键词:
磁振子-声子相互作用
横向声频支声子衰减
纵向声频支声子衰减
声子寿命 相似文献
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无人机载小型合成孔径雷达的发展 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了无人机载小型合成孔径雷达的发展及其应用,简述了其基本组成和主要战技指标,并以小型合成孔径雷达(MSAR)和STacSAR的实例,展示了合成孔径雷达技术的发展水平和发展趋势。 相似文献
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宏孔硅阵列(MSA)在光子晶体、硅微通道板、MEMS 器件等领域应用前景广阔,引起人们广泛关注。为制备理想的MSA结构,本文开展了MSA光电化学方法腐蚀实验,重点研究了腐蚀电流密度对宏孔形貌的影响。给出了n型硅抛光片背面光照情况下在氢氟酸溶液中的电流-电压扫描曲线,讨论了临界电流密度JPS的意义和MSA稳定生长的基本电流密度条件。提出了一种间接地测量JPS与腐蚀时间关系的方法,并根据JPS的测量结果调整腐蚀电流,实现了理想的MSA等径生长,制备出孔深度为295m,长径比为98的MSA结构。 相似文献
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对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论. 采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件,观察到明显的库仑阻塞效应;在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件,在室温下测得其峰谷电流比高达13.98,峰电流密度大于89kA/cm2;概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展. 相似文献