3,5-二氯水杨醛缩异亮氨酸邻菲啰啉铜(Ⅱ)三元配合物的合成与晶体结构表征

采用分步溶液法,在碱性条件下合成出了3,5-二氯水杨醛缩异亮氨酸邻菲啰啉铜(Ⅱ)三元配合物,并培养出[Cu3L3(Phen)3].5H2O单晶(其中H2L=3,5-二氯水杨醛席夫碱缩异亮氨酸),其晶体结构经元素分析,红外光谱及X射线单晶衍射表征.     

基于改进 PSO 算法的红外气体传感器温度补偿

针对红外型气体传感器测量精度受环境温度影响较大的问题,提出一种基于嵌入自适应列维变异的动态拓扑免疫粒子群-最小二乘支持向量机（DLIPSO-LSSVM）温度补偿算法。DLIPSO 算法在粒子群优化过程中采用动态拓扑 Dbest 机制以更好地适应粒子群进化过程;为确保粒子多样性,平衡局部搜索与全局搜索,算法嵌入自适应列维变异对粒子进行变异。利用基准测试函数对 DLIPSO 算法进行性能对比评价,仿真结果表明算法具有较强的全局搜索能力、精度高且稳定性较好。利用 DLIPSO算法对 LS-SVM 的参数进行优化,将混合算法用于实际红外气体传感器的温度补偿,实验数值结果表明算法可将补偿结果的相对误差控制在5%范围内。     

台面PN结InSb红外探测器响应时间研究

分析了光伏InSb探测器响应时间与量子效率、反向饱和电流的关系,设计出量子效率为0.61～0.56、响应时间为20～60 ps的锑化铟(InSb)红外探测器,实验制备了台面p+-on-n结构的探测器.通过I-V、C-V测试验证了制备的器件物理参数与设计值吻合.采用脉冲响应测试了InSb探测器的响应时间(0.3?s),由于封装和其他分布电容的限制,响应时间测试值与理论计算值存在差距.     

InSb芯片表面抛光及腐蚀研究

表面抛光及腐蚀是InSb红外焦平面探测器芯片制备的重要工艺.本文针对腐蚀后粗糙表面、腐蚀坑和精抛后\     

中外合作办学模式下物理类课程体系对接建设

基于多年的中外合作办学经验,以及物理基础课程教学实施情况,综合学生对课程的评价和课程体系的评价结果,提出了在整个教学工程中存在一些问题.针对这些问题采用一系列行之有效的解决方案,并在此基础上提出一些思考和应对策略.     

基于SIS框架和蚁群算法的非线性多目标跟踪

该文提出一种新的非线性多目标跟踪方法用蚁群算法实现数据关联和SIS(Sequential Importance Sampling)实现对单目标的跟踪。首先根据数据关联问题对蚁群算法进行修改,考虑目标运动中的约束条件对关联概率的影响,重新定义蚁群算法中的路径和路径长度,从而利用蚁群算法寻找最短路径的能力实现对数据关联。由于SIS框架是针对非线性系统的一种较好的状态估计方法,该文将其作为对单目标进行跟踪的框架,和蚁群算法共同解决非线性情况下的多目标跟踪问题。实验对一维平面和二维平面中的多个目标进行了仿真,结果表明,将蚁群算法应用于解决数据关联问题是行之有效的。     

聚苯胺电致变发射率器件的制备及性能研究

本文采用电化学聚合方法制备了基于聚苯胺的电致变发射率器件,对器件的电致变色性能,电致变发射率性能及器件响应时间和循环使用寿命进行了研究.研究结果表明:器件在可见光波段具有良好的电致变色性能,不同电压下器件颜色在黄绿、深绿及蓝黑之间可逆变化;器件呈柔性,在工作状态下可弯折,具有一定的颜色记忆效应.发射率测试表明,不同电压下器件在8～12 μm波段平均发射率的变化幅度为0.23.器件在室温条件下的响应时间为秒级,具有一定的循环使用寿命.     

基于四元同质微分的彩色光流估计

该文通过将颜色3维矢量表示为一个4元数(quaternion)形式的超复数,将彩色图像序列映射为3维时-空空间上定义的4元超复变函数,并以颜色常数模型假设为基础,建立了描述彩色图像序列中运动模式的4元光流方程。为了对超复数4元光流方程中的运动参数进行有效估计,定义了4元同质微分的概念,进而得到了基于4元同质颜色常数模型的光流方程,并给出了该光流方程的优化求解方法。最后,与已有算法的对比实验验证了该文方法的有效性。     

基于生成函数的格雷对分析与构造

该文由传统的格雷对构造方法交织和级联出发,提出了一种新的称之为生成函数的格雷对构造方法,该方法适用于长度为2n 的格雷对。文中分析了格雷对生成函数和希尔维斯特Hadamard矩阵之间的关系,这不仅有助于计算给定长度的格雷对的数量,而且有助于将Hadamard分解应用于格雷对的生成中。采用生成函数,可以很方便地产生一系列的格雷对应用于多目标的环境。格雷对生成函数由二进制向量,与和或逻辑运算组成,极大地方便了序列生成器的硬件实现。     

热释电红外探测器PZT晶片粘接质量控制

热释电红外探测器芯片研制中,晶片粘接是芯片研制中的关键工艺之一。本文详细论述了粘接胶的选择依据及晶片粘接质量控制。确定了适合器件研制的粘接胶和粘胶工艺流程。对粘接中出现的问题及解决办法进行了讨论。研制出了完全能满足器件工艺要求的热释电探测器PZT晶片。