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利用密度泛函理论,通过几何优化和态密度计算了AunAgm-(n+m=2~4)团簇的光电子光谱,结果显示只有Au2Ag2-团簇的第一个峰发生了0.5eV的红移,而其它团簇的峰位置符合的很好,因此理论计算给出的团簇结构是合理的. 相似文献
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研究了两个双稳系统级联的随机共振特性,由于第一级双稳系统的作用是将白噪声转变为色噪声,因此它是整个级联系统中最重要的环节,以后各级系统近似按洛伦兹分布将噪声能量不断向低频区域集中,从而减弱高频抖动,突出波形的基本轮廓.频谱中信号谱峰随噪声强度的变化规律表明,级联双稳系统只在有限的低频范围内,通过一定量的噪声强度来增强信号频率处的谱峰高度,如果前一级系统未达到随机共振状态,那么其后一级并不能对前一级的输出进行“优化”而形成随机共振.级联双稳系统级数的增加,会使噪声能量集中的低频区域变窄,信号谱峰易被压缩和受到噪声干扰.虽然可以用二次采样方法进行改善,但其改善程度有限.因此对于信号检测而言,使用单级双稳系统即可.
关键词:
级联双稳系统
随机共振
频谱
噪声 相似文献
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应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此建立了器件阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子面密度和阈值电压的关系,分析了器件几何结构参数和材料物理参数对器件量子阱沟道静态电子面密度和阈值电压的影响.随着δ-掺杂层杂质浓度的减小和间隔层厚度的增加,量子阱沟道中电子面密度减小,阈值电压绝对值减小. 相似文献
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为了实现一次性在八芯带纤上不同波长阵列光纤光栅刻写,采用专门设计的带纤夹具夹持光纤,使用电控位移平台对带状光纤整体施加拉力,利用相位掩膜工艺对光纤逐根曝光,采用扫描写入的方法进行汉明切趾,仅用单一相位模板就实现了八芯带纤上不同波长阵列布喇格光纤光栅刻写。刻栅过程由电脑编程控制,中心波长、波长间隔以及切趾方式可以灵活调整。结果表明,获得的光栅其3dB带宽为0.2nm、波长间隔为0.5nm、波长偏差小于50pm、反射率达到80%~85%。此种带状光纤多波长阵列光栅刻写工艺是完全可行的。 相似文献
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