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31.
基于偏振光干涉仪的Interleaver解复用器实验研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
为实现更窄信道间隔的密集波分复用 ,提出了一种基于偏振光干涉仪的新型Interleaver解复用器 ,分析了结构组成与基本工作原理 ,对其进行了初步的测试实验 ,该器件所分开的DWDM系统两组波长功率均衡 ,隔离度分别为 1 0 6dB和 1 4 6 4dB ,- 1dB带宽分别为 0 7nm和 0 4nm。  相似文献   
32.
ICP—AES测定ZnWO4单晶中痕量无素的方法研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   
33.
371雷达目标自动识别系统,是对雷达进行技术改造的一种智能化系统。它利用环境图对消技术进行杂波对消,并充分利用雷达在一个波束内所截获到的目标信息进行自动识别、自动检测,极大地提高了雷达的反应速度,使之智能化。  相似文献   
34.
35.
用Dunning基进行从头计算的结果表明:在B_3H_7(1103)中氢桥三中心键与BBB三中心键间已用σ-共轭效应”融合”为一个四中心键,其特征为f_(B(1)-B(2))=0.1653,f_(B(2)-B(3))=0.1429,f_(B-H_b-B)=0.3416,f_(4center)=0.7193hartree/bohr.但在B_3H_9中三个氢桥三中心键间不相互作用,保持相互独立,其特性为f_(B-B)=0.0558,f_(B-H_b-B)=0.3922,f_(H_b3cen)=0.5115hartree/bohr.  相似文献   
36.
用DFT的B3LYP方法在6-31G(d)基组的水平上, 对闭式多面体簇合物(HAlNH)12及其内含式X@(HAlNH)12和外接式X(HAlNH)12 (X=F, Cl, Br, O2-, S2-, Se2-)复合物的结构进行了构型优化和能量计算, 并讨论了几何构型、自然键轨道(NBO)、振动频率、能量参数及NMR数据与结构的关系, 最后得到复合物结构的稳定性信息, 具有Th对称性的X@(HAlNH)12 (X=F, Cl, Br, S2-, Se2-)复合物和具有C3对称性的O2-@(HAlNH)12复合物为内含式的基态结构, 从能量角度分析, 内含式复合物比外接式复合物的结构稳定.  相似文献   
37.
运用密度泛函理论(DFT)的B3LYP/6-31G*方法, 对羰基硼化合物B2n(CO)n (n=1~6)各种可能的结构进行了优化,对它们的几何构型、电子态、振动频率、核独立化学位移(NICS)和B2CO的分子轨道进行了理论研究, 得到了B2n(CO)n (n=1~6)结构的稳定性信息. 在它们的基态结构中, 羰基的配位方式是端配位(μ1-CO), B2n(CO)n (n=1~5)的基态构型是线形或平面结构, B12(CO)6的基态构型则较为复杂. B2n(CO)n (n=1~3)的基态是三重态, B2n(CO)n (n=4~6)的基态是单重态. 振动频率和轨道的研究为实验提供了重要的理论依据.  相似文献   
38.
本文研究了新显色剂1-(对-偶氮苯)-3-(2-噻唑)-三氮烯在非离子表面活性剂TritonX-100存在下,与锌(Ⅱ)显色反应的适宜条件。结果表明,在pH13.0~14.0范围内,锌(Ⅱ)与题示试剂形成1:3的稳定粉红色配合物,其最大吸收波长为545nm,试剂的最大吸收波长为463nm。配合物表现摩尔吸光系数在545nm处为9.6×10 ̄4L·mol ̄(-1)*cm ̄(-1);0~24μg/25mLZn符合比耳定律。该试剂对锌的选择性良好。方法用于铝合金中锌的直接测定,结果令人满意。  相似文献   
39.
单分子器件电子输运性质的理论研究   总被引:1,自引:2,他引:1  
对当前单分子器件的理论和实验的研究进展作了简短评述,并简要介绍电子输运理论,最后给出一个基于非平衡态格林函数电子输运理论的全自洽方法,研究单个水分子在Au(111)电极之间的输运性质的计算实例.研究结果表明由于水分子与电极之间存在较强的杂化作用,水分子的分立能级间距大,在小偏压范围内,水分子的特征已经被淹没在杂化能级之中.体系的电势变化主要发生在水分子局域区间,其电子输运行为主要是一个单通道过程.  相似文献   
40.
采用溶胶-凝胶法合成了一种V2O5/C复合材料.扫描电镜(SEM)和红外光谱(FTIR)分析表明,这是一种外层V2O5胶体包覆内层乙炔分子的多孔复合材料.以V2O5/C作正极,锌片为负极,Zn(ClO4)2溶液为电解质组成水相锌二次电池,采用循环伏安(CV)和电化学阻抗谱(EIS)等方法研究发现:V2O5:C质量比为1:1时电极具有最好的电化学性能,电池开路电压达1.64 V; Zn2+能分别在1.01 V和1.26 V处分步嵌入V2O5/C结构中A、B两种位置,其嵌入电流密度峰值最高可达70 mA•g-1,并且具有较好的循环充放电性能;在一定放电深度下,V2O5/C电极反应速率受Zn2+的扩散过程控制.  相似文献   
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