基于GSM/GPRS的无线数据采集系统

本文针对远程测控问题,研制了基于MC35i的GSM/GPRS远程测控终端,对数据采集和无线通讯所涉及到的理论和实践进行了分析研究,阐述了设计思路、调试过程及实验数据。     

磁控溅射法沉积SiN_x非晶薄膜的生长机制及结构分析

利用磁控溅射技术在单晶Si衬底上沉积了Six非晶薄膜.样品的傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SNx非晶薄膜在812～892 cm-1范围内存在一个较强的吸收谱带.该吸收谱带对应于Si-N-Si键的伸缩振动吸收(stretching vibration mode),其吸收峰峰位随着溅射功率的增大明显红移;但退火后,该吸收峰又逐渐蓝移.结合中心力模型和自由结合模型,分析了磁控溅射过程中Six非晶薄膜的生长机制和内部结构.研究认为,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-N4四面体,Si-N-Si3,Si-N2-S2及Si-N3-Si等结构,这几种结构分别对应着Si-N-Si键的不同模式的振动吸收.随着退火温度的升高,分子热运动逐渐加剧,非晶SiNx薄膜发生相分离,生成Si3N4和Si纳米晶颗粒,因此,S-N-Si键的吸收峰逐渐向Si3N4的特征振动吸收峰位870 cm-1靠近.     

新疆博格达峰南坡岩面生地衣群落特征的研究

本文以样点为对象,以岩面生地衣的盖度为指标,采用聚类分析和除趋势对应分析对博格达峰南坡的岩面生地衣群落进行数值分类,应用典范对应分析法研究岩面生地衣种类分布与环境因子间的关系. 结果表明:博格达峰南坡岩面生地衣共有68种,隶属于10目17科25属. 依据多元数据分析结果,可将该地区岩面生地衣群落划分为4个群丛. 群丛1...     

氢钝化对硅纳米晶发光强度的影响

通过热蒸发方法在单晶硅衬底上沉积了SiO/SiO₂超晶格样品,在氮气保护下对样品进行高温退火,得到硅纳米晶/SiO₂超晶格结构。随后将该结构样品分别注入3.0×1014和3.0×1015 cm-2两种剂量的H+。通过对样品的光致发光光谱的分析发现,H+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降;二次退火后的样品,随着退火温度的升高,发光强度逐渐增强;注入足够剂量的H+,其发光强度可以远远超过未注入时的发光强度。研究表明,样品发光强度的变化取决于样品内部缺陷面密度的改变,而缺陷面密度是由氢离子的注入剂量和注入后再退火的温度等因素决定的。     

溅射气氛和退火方式对硅纳米晶的形成及发光特性的影响

利用磁控溅射技术溅射硅靶,通过调节溅射气氛在硅衬底上生长了SiO/SiO₂超晶格,热退火处理后超晶格中的SiO发生相分离得到硅纳米晶。通过比较不同退火方式对于硅纳米晶的形成的影响发现,管式炉退火处理的样品给出非常强的室温光致发光,其发光峰的峰位随着硅纳米晶尺寸的增大而红移,且管式炉退火比快速热退火更有利于硅纳米晶的形成。     

浅析NAS架构和SAN架构网络存储系统

专用数据存储服务器架构可扩展性数据量的迅速增长为企业的发展提出了新的问题和要求。本文简要的介绍了NAS和SAN架构形式、安全性和管理及NAS架构和SAN架构优缺点和互补性进行的论述。     

周期性锯齿型通道内流动和换热研究

用非稳态层流模型对锯齿型通道内周期性充分发展流动与换热进行了数值模拟．Re=600时数值结果已发生明显振荡,而从入口段算起的第9、10个几何周期的平均Nu数与用周期性充分发展条件计算得到的平均Nu数吻合良好;在此基础上,计算通道周期长度L与通道垂直高度b的比值及通道倾角α等几何结构尺寸对周期性充分发展流动和换热的影响,计算结果表明,增大α和减小L／b都易促使流动产生涡旋,从而增强换热．     

砷化镓共面波导内部微波信号的电光取样检测

本文报道了共轴反射式电光取样系统。该系统时间分辨率不低于２０ｐｓ，空间分辨率不低于３μｍ。用它检测了砷化镓共央波导内部的微波信号，这套系统将应用于砷化镓调整集成电路内部特性的在片检测。     

Si基CeO_2薄膜的发光特性

利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的CeO2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰。结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明:CeO2薄膜在高温下容易发生失氧反应,出现Ce4+→Ce3+离子转变,Ce3+离子在紫外光的激发下,电子由O2p跃迁到5d能级,再由5d能级向4f能级跃迁,从而产生强烈的蓝紫外发射,而445 nm左右的发光峰则来自于SiO2薄膜的缺陷发光。样品选择900~1 200℃不同温度退火,并且在1 200℃下进行了不同时间的退火。研究结果显示:在1 200℃下进行2 h的退火,薄膜发光强度达到最大。     

Organic Light Emitting Diodes Using Doped Alq3 as the Hole-transport Layer

Effects of 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane （F4TCNQ） doping on the hole conductivity of Alq3 layer are measured. In the hole-only device of Alq3, the current densities increase in 1-3 orders of magnitude upon doping with F4TCNQ, suggesting that the doping can effectively enhance the hole-injection and hole- transport ability of Alq3. An organic light-emitting device using an F4TCNQ doped Alq3 layer as the hole- injection and hole-transport layer, and pristine Alq3 as the electron-transport and emitting layer is fabricated and characterized. Bright emission is achieved in the simple OLED with p-doped Alq3 as the hole-transport layer and the intrinsic Alq3 as the electron-transport and emitting layer. The emitting efficiency and brightness of the device are further improved by inserting a thin electron block layer to confine the carrier recombination zone in the middle of the organic layers.