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31.
从一个具体的物理问题入手,探讨了如何将第一类曲面积分转化为两个第一类曲线积分的累次形式,从而给出了这两类积分之间的关系,并通过举例说明该公式可以用来直观简便地计算第一类曲面积分. 相似文献
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内部欺诈风险是我国商业银行面临的一个重大风险来源。本文针对内部欺诈具有的低频率高损失的特点,采用不同分布分段刻画其损失统计分布规律,对于低于和高于门限值的样本点,采用Box-Cox变换和全Paretian分布模型进行分析,然后采用贝叶斯估计对全Paretian分布模型的参数进行估计,接着在此基础上对建立了一个内部欺诈风险度量模型,然后使用所构建的风险度量模型对操作风险在险风险值、经济资本和最大可能损失进行了测算,最后提出了防范操作风险的政策建议。 相似文献
33.
本文是欧阳鬯所作文“关于任意边界缺口或裂纹群问题的一类解法(I)解析方法”的继续。这里我们利用该文提出的理论和公式对缺口群问题进行了实际计算。在计算中对该文陈述的参数平面上边界条件计算方法作了改动。数值计算实例表明:在所研究的特征参数,例如本文中的L,的适当范围内,所叙述的方法是行之有效的。 相似文献
34.
研究一类脉冲时滞抛物型偏微分方程组解的振动性,利用一阶脉冲时滞微分不等式获得了该类方程组在两类不同边值条件下所有解振动的若干充分条件.所得结果充分反映了脉冲和时滞在振动中的影响作用. 相似文献
35.
以2-噻吩甲醛为原料,通过与盐酸羟胺的肟化反应制得2-噻吩甲醛肟,然后将其在氢氧化钠水溶液中用锌粉还原生成了2-噻吩甲胺。提供了一条合成2-噻吩甲胺的新路线,2步反应的总收率为64%。文中对上述2步反应的条件分别进行了优化。考察了溶液酸碱度,温度和时间对肟化反应的影响,并 相似文献
36.
37.
38.
“道家的养生修炼就是修道.听起来玄乎但实际上就是以平常之心,作平常之举,一切皆合于自然.合乎道。而抚琴的过程就可以使人安静下来.气息中和.心智得到提升,有助于修道养生。” 相似文献
39.
本文首次以钛宝石飞秒激光振荡级为抽运源,搭建了国内首套宽频时域太赫兹雷达(带宽0.1—1.3 THz)并进行了基于标准球的系统校正验证.利用该雷达测量了太赫兹波段三种缩比模型的散射时域信号.通过改进后的后向投影算法对模型的轮廓外形进行了成像研究,验证了新型时域散射信号成像机理.太赫兹雷达更高的频率,宽谱的特征和高分辨率成像的能力有望用于隐形外形设计过程,成为新兴的太赫兹散射特征研究平台. 相似文献
40.
Xiao-Fang Ouyang 《中国物理 B》2022,31(7):77304-077304
Exploring the half-metallic nanostructures with large band gap and high carrier mobility is a crucial solution for developing high-performance spintronic devices. The electric and magnetic properties of monolayer zigzag black-phosphorene nanoribbons (ZBPNRs) with various widths are analyzed by means of the first-principles calculations. Our results show that the magnetic ground state is dependent on the width of the nanoribbons. The ground state of narrow nanoribbons smaller than 8ZBPNRs prefers ferromagnetic order in the same edge but antiferromagnetic order between two opposite edges. In addition, we also calculate the electronic band dispersion, density of states and charge density difference of 8ZBPNRs under the action of out-of-plane electric field. More interesting, the addition of out-of-plane field can modulate antiferromagnetic semiconductor to the half metal by splitting the antiferromagnetic degeneracy. Our results propose a new approach to realize half-metal in phosphorene, which overcomes the drawbacks of graphene/silicene with negligible band gap as well as the transitional metal sulfide (TMS) with low carrier mobility. 相似文献