高功率超短激光脉冲特性的三阶相关测量

为了准确测量皮秒量级超短脉冲的信噪比,扩大测量仪器的可测动态范围,针对高功率超短激光脉冲在相关过程中产生参量荧光的问题,研制了一台重复频率扫描测量的三阶相关仪,并在皮秒域短脉冲光学参量啁啾脉冲放大(OPCPA)抽运源上开展了测量技术研究。研究实验表明,通过采用大角度非共线匹配方式,消除了参量荧光对测量过程的影响,进而通过结构优化降低了背景噪声的影响,使可测动态范围达到107左右。由于互相关技术的非对称性,该测量系统可同时提供时间波形的分析功能。测量结果显示,激光脉冲前沿与双曲正割(sech)型曲线比较吻合,而脉冲后沿与高斯型曲线吻合得比较好。     

SEO技术在大型鞋服企业的应用研究

近年来,随着电子商务时代的到来,泉州大型鞋服企业在电子商务的浪潮中结合自身实际进行深刻的营销变革,纷纷选择采用官网加商城的网站模式进行营销。但是在运用网站模式进行营销的过程中,不少企业却面临了这样一个瓶颈——如何更好地进行企业电子商务网站的推广。大多数企业选择采用传统广告、竞价等推广方式,但是此种推广方式不仅高投入而且效果不显著。而SE0技术的出现,无疑能够在一定程度上帮助企业突破瓶颈。因此,作为大型鞋服企业,应该认识到SEO技术对于大型企业电子商务营销的重要作用,合理有效地利用SEO所具有的投入小、回报率高的优势,从而更好地对企业网站进行推广,加速企业的转型,为企业创造高效的回报率。     

喷流方式对电镀填孔影响分析

电子产品更轻、更薄的发展趋势,使印制电路板在高密度互连技术上面临挑战。微孔堆叠技术是一种用来实现高密度互连的方法。如今,电镀填孔工艺已得到广泛的应用,主要是通过对流使填孔光剂产生吸附、消耗和扩散,从而填充盲孔。本文着重从底喷的对流的方式来介绍其对盲孔填孔的影响。     

基于逐步回归分析的激光惯导温度补偿研究

针对激光陀螺惯导的温度补偿,将影响激光陀螺零偏的各种可能的变量作为零偏补偿的状态变量,利用逐步回归分析方法,挑选出对零偏贡献较大的显著变量,建立精准的数学物理模型,并对实测的激光陀螺进行温度补偿建模。结果表明,温度变化率以及与温度的交叉积对温度补偿模型的影响不显著,得到的温度补偿模型可以对陀螺的零偏进行实时补偿,提高了陀螺的精度。     

温度对CaO-MgO-Al_2O_3-SiO_2系纳米晶玻璃陶瓷结构影响的拉曼光谱研究

采用熔融法制备了CaO-MgO-Al2O3-SiO2系纳米晶玻璃陶瓷材料。在-190~310℃温度范围,利用显微共聚焦拉曼光谱测量分析了该体系纳米晶玻璃陶瓷硅氧四面体结构的变化规律。结果表明,随着温度的降低具有不同非桥氧键的硅氧四面体结构单元变化并不一致,位于三维硅氧四面体结构边缘的具有二个非桥氧键的硅氧四面体(Q2)和具有三个非桥氧键的硅氧四面体(Q1),以及完全独立于三维硅氧网络结构外的具有四个非桥氧键的硅氧四面体(Q0)受温度影响明显,其拉曼光谱均向高波数移动,键的力常数变强,硅氧键长变短。为丰富外环境对纳米晶玻璃陶瓷材料结构与性能影响的研究提供了实验依据,也为控制该体系纳米晶玻璃陶瓷材料的膨胀系数提供了一定的实验依据。     

缩比模型的宽频时域太赫兹雷达散射截面(RCS)研究

本文首次以钛宝石飞秒激光振荡级为抽运源,搭建了国内首套宽频时域太赫兹雷达(带宽0.1—1.3 THz)并进行了基于标准球的系统校正验证.利用该雷达测量了太赫兹波段三种缩比模型的散射时域信号.通过改进后的后向投影算法对模型的轮廓外形进行了成像研究,验证了新型时域散射信号成像机理.太赫兹雷达更高的频率,宽谱的特征和高分辨率成像的能力有望用于隐形外形设计过程,成为新兴的太赫兹散射特征研究平台.     

基于高光谱技术的蛋白粉掺假检测研究

蛋白粉是健身者必备的营养补剂,市场需求在不断增加,一些不法商家为了谋取利益,在蛋白粉中加入廉价的粉末售卖。传统的蛋白粉掺杂的检测方法费时、费力,操作复杂,且成本昂贵。高光谱技术具有易于操作、在不损害实验样本的情况下可快速检测等优点,因此,提出使用高光谱技术以实现蛋白粉掺假检测。在蛋白粉中分别加入质量百分数5%～60%,浓度间隔5%的三类掺假物（玉米粉、大米粉和小麦粉）,并采集所有样本的光谱信息。在对蛋白粉中的玉米粉、大米粉和小麦粉三类掺假物进行定性判别时,首先分别采用卷积平滑（SG）、标准化（Normalize）、多元散射校正法（MSC）、基线校正（Baseline）和标准正态变换（SNV）的预处理方法对光谱数据进行处理,然后建立基于主成分回归（PCR）、反向传播神经网络（BPNN）和随机森林（RF）的模型,其中基于全波段光谱MSC预处理方法下建立的RF模型最优,其整体准确率达到了100%,其对应的R_P和RMSEP分别为0.997 9和0.018 9。在对蛋白粉中不同掺假物浓度进行定量分析时,对三类掺假样本的光谱分别进行SG,Normalize,MSC,Baseline和SNV的预处理,并建立LSSVM模型;比较不同预处理方法下的各模型之间的性能,在蛋白粉中掺玉米粉、大米粉和小麦粉的LSSVM预测模型最佳预处理方法分别是无、Baseline和Normalize,然后,采用连续投影算法（SPA）和竞争性自适应重加权算法（CARS）对其筛选,并建立LSSVM模型,三类掺假样本的SPA-LSSVM模型对应的R_P为0.989 0,0.986 0和0.997 9,CARS-LSSVM模型对应的R_P为0.991 0,0.994 6和0.999 1,故三类掺假样本的CARS-LSSVM模型预测效果更佳。研究表明：高光谱技术可以实现对蛋白粉掺假的定性、定量的检测,并且操作简单、检测快速和无损。     

Half-metallicity induced by out-of-plane electric field on phosphorene nanoribbons

Exploring the half-metallic nanostructures with large band gap and high carrier mobility is a crucial solution for developing high-performance spintronic devices. The electric and magnetic properties of monolayer zigzag black-phosphorene nanoribbons (ZBPNRs) with various widths are analyzed by means of the first-principles calculations. Our results show that the magnetic ground state is dependent on the width of the nanoribbons. The ground state of narrow nanoribbons smaller than 8ZBPNRs prefers ferromagnetic order in the same edge but antiferromagnetic order between two opposite edges. In addition, we also calculate the electronic band dispersion, density of states and charge density difference of 8ZBPNRs under the action of out-of-plane electric field. More interesting, the addition of out-of-plane field can modulate antiferromagnetic semiconductor to the half metal by splitting the antiferromagnetic degeneracy. Our results propose a new approach to realize half-metal in phosphorene, which overcomes the drawbacks of graphene/silicene with negligible band gap as well as the transitional metal sulfide (TMS) with low carrier mobility.     

一种双嵌套区域与简单区域间的拓扑关系模型

本文通过将经典4-交集矩阵中的区域内部替换为区域外部,使其可以表示RCC5关系。在此基础上定义了4×4交集矩阵,构建了双嵌套区域与简单区域间的拓扑关系模型。给出约束条件,得到双嵌套区域与简单区域间实际存在的53种拓扑关系,给出其关系示意图及概念邻域图,在此基础上建立了拓扑关系的推理系统,给出关系复合表。应用本文所建立的拓扑关系模型,可用于对台风降水区域与指定目标地区的拓扑关系进行定性模拟,对台风及降水的预警机制具有一定的指导意义。     

高空核爆炸X射线电离的时空分布数值模拟

利用数值模拟程序模拟了高空核爆炸辐射的X射线对不同高度大气的电离及演化过程,给出了电子的时空分布曲线．结果表明：在80km爆高1kt小当量高空核爆炸情况下,电子数密度随高度只出现一个极大值,而在80kin以上爆高情况下,电子数密度出现两个极大值,一个位于爆点附近,另一个位于90km高度附近,在这个高度电离的影响范围最大;高空核爆炸辐射的X射线在70km高度附近截止,对70km以下高度没有电离影响;随着辐射角度的增加,电子数密度出现第二个极大值的高度有所上升,X射线截止高度也有所上升．