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191.
氧化镓(Ga2O3)作为一种新型的超宽禁带半导体材料,与目前常用的半导体材料SiC和GaN相比,具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强等优良特性。设计了一种基于α-Ga2O3的垂直型肖特基二极管(SBD),采用场板终端结构降低阳极边缘电场强度,研究了不同绝缘材料下阳极附近的电场分布,并探讨了场板结构与长度对其击穿特性的影响。仿真结果表明,在选取HfO2作为α-Ga2O3垂直型SBD场板结构的绝缘材料时,场板结构可以增大该器件的反向击穿电压,最大反向击穿电压可达约1 100 V,对于现实中制备α-Ga2O3 SBD具有非常重要的参考意义。 相似文献
192.
在低压台区中,由于分支线路复杂,节点多,量测点少,台账数据不完整,理论线损率计算困难。提出了一种基于聚类划分与双向LSTM网络的台区线损率计算方法。首先,基于城农网标识、户均容量、运行年限等影响线损率的台区静态参数特征,采用K-medoids聚类算法将台区划分为不同类别;接着,基于台区静态参数特征以及负载率、三相不平衡度、环境温度等台区运行参数特征,采用双向LSTM网络构建每一类台区的线损率计算模型;最后,基于该模型开展台区线损率理论值计算。以某公司28167个台区样本数据进行仿真计算,结果验证了所提算法的准确性明显优于支持向量机与回归树算法的准确性。 相似文献
193.
为了检测管道焊缝表面质量,建立了基于线结构光的检测系统。首先通过图像处理提取中心线与特征点,测量出轮廓仪回转中心与待测管道的轴线偏差。然后对平台空间位姿进行校正,获取了焊缝表面形貌信息,通过数值运算和点云处理,重建了管道焊缝表面的三维形貌。再通过最小二乘改进算法拟合母材平面,提取焊缝的边缘轮廓。最后根据测量出的余高和焊缝宽度等参数,建立理想焊缝模型,设定空间阈值,识别焊缝缺陷,检测焊缝成形质量。实验结果表明,与直接在每一帧轮廓线上进行检测的方法相比,所提方法的效果优良。 相似文献
194.
195.
196.
197.
198.
199.
Immobilization of HX:[Hmim]X as Halogenating Agent, Recyclable Catalyst and Medium for Conversion of Alcohols to Alkyl Halides 总被引:2,自引:0,他引:2
HX is immobilized by reaction of halogen acid with methylimidazole, and the formed ionic liquid [Hmim]X was used as halogenating agent, catalyst as well as medium for conversion of alcohols to alkyl halides. Excellent yields were obtained. The halides produced could be easily separated from the reaction mixture via simple decantation, and the ionic liquid [Hmim]X could be regenerated conveniently by adding equivalent of halogen acids followed by removal of water. 相似文献
200.
产品装配过程中起吊螺栓连接产品和吊具,完成产品上升、翻转和下降等操作。文中用ANSYS软件分析模块分析起吊螺栓的应力,并根据螺栓尺寸、物理特性和载荷的随机分布,得到应力的随机分布。 相似文献