酞菁铜成膜特性的多重分形谱

运用多重分形理论,研究了酞菁铜颗粒的团聚生长成膜特性.研究表明薄膜生长是远离平衡态过程,在团聚生长中,颗粒分布有很大随机性,存在大范围的非均匀区域,这些区域具有多重分形特征.测试了酞菁铜对二氧化氮的气敏特性,结果表明通气前后,涂膜通道的频率有明显移动.     

基于压缩感知的~(252)Cf源驱动核材料浓度识别技术研究

针对252Cf源驱动噪声分析测量法中核材料浓度识别问题,采用压缩感知理论,在K最近邻(KNN)识别算法基础上,研究了一种基于压缩采样的K最近邻(CSKNN)分类识别方法,进而研究并分析了CSKNN方法的识别概率。实验结果表明,CSKNN分类识别方法只需少量的观测值(观测比M/N≥0.1),即可达到分类识别的目的;当信噪比提高时,识别概率将会以更快的速度收敛至100%,且对K值的敏感程度也会随之降低。这样,不仅提高了核军控核查的实时性,而且还有效降低了采样成本,为核材料浓度的在线判读提供了一种新的理论基础和实现方法。     

对首钢水城钢铁4号高炉工程的现实分析

设计、制图如果表达不清楚,就会给现场施工带来难度,影响施工进度。了解和认识整个炼铁工艺的流程有助于现场施工管理。     

Floquet分波法与修饰势的引入研究

在研究激元激光场中电子与库仑势散射时,一般采用FCC藕合方法(Floquet-coupled-channel)并引入修饰势进行求解与计算.本文对弱外光场条件下修饰势的引入进行了分析与推导,认为仅当自由电子的颤动半径小于原子尺度时,分数形式的修饰势的引入才是可行的,否则,分数形式的修饰势的引入是不严谨的,尽管修饰势的引入会给求解与计算带来极大的方便与可能.     

我国第一部《电信条例》出台

据悉 ,今年 9月 2 5日 ,朱基总理签署了国务院令第 2 91号 ,公布施行《中华人民共和国电信条例》(以下简称《电信条例》)。此前 9月 2 0日 ,《电信条例》已经国务院第 31次常务会议通过。同时公布施行的还有《互联网信息服务管理办法》。《电信条例》是我国第一部有关电信业的综合性行政法规。它的出台 ,是我国在电信领域实行有法可依的一个重大突破。《电信条例》与《互联网信息服务管理办法》的同时出台 ,标志着我国电信业进入到一个依法发展的新的历史阶段 ,结束了我国电信业长期以来处于无法可依的状态。《电信条例》共分七章 81条。…     

我国一级长途光缆干线网工程全部竣工

据今年 11月 1日《人民邮电》报道 ,10月 2 7日 ,铺设广 (州 ) -昆 (明 ) -成 (都 )光缆主干线已竣工并通过验收。至此 ,历时 8年 ,总长 8万 km的“八纵八横”通信光缆干线网工程全部落下帷幕。“八纵八横”光缆网是我国在公用网中最具代表性的光纤通信建设 ,它由 4 8条光缆骨干线组成。“七五”特别是“八五”时期完成了 2 2条 ,比如构成纵贯东部沿海地区长途通信纽带的京济宁 (北京 -天津 -济南 -南京 )干线 ;被称为我国通信干线脊柱中轴、南北主动脉的京汉广 (北京 -武汉 -广州 )干线 ;西北内陆地区通往首都和东部地区主要通道的京呼银兰…     

气相掺杂区熔硅单晶及其生产技术

环欧公司首次在国内研制出了气相掺杂区熔硅单晶，设计出了一整套合理的气相掺杂区熔硅单晶的生长工艺，该工艺技术是具有自主知识产权的技术创新成果．2007年8月22日获国家知识产权局授予的生产发明专利，专利号ZL200610013497．6。环欧公刊的气相掺杂区熔硅单晶及其生产技术获得2007年半导体创新产品和技术奖。     

基于表面重建螺旋型铂铱电极的葡萄糖生物传感器

通过对螺旋型铂铱电极表面进行化学腐蚀和电化学沉积铂纳米粒子实现电极表面的重建和优化,研究了螺旋型铂铱电极在不同腐蚀时间和电沉积时间下的形貌及对过氧化氢(H2O2)的催化活性.对表面重建的工作电极涂覆氧化酶和半透膜,制备出了铂纳米粒子/葡萄糖氧化酶/环氧聚氨酯酶电极,并将其用作葡萄糖传感器的工作电极.传感器计时电流检测结果表明,表面重建后的酶电极传感器对葡萄糖的检测范围扩大为2~45 mmol/L,优于裸铂铱酶电极传感器,电流响应值和灵敏度得到明显提升,同时传感器还具有良好的稳定性和选择性.     

基于BTHQZn的黄色有机电致发光器件

通过研究新型荧光材料2-(2-溴-5-乙烯-噻吩)-8-羟基喹啉锌(BTHQZn)的电致发光特性,发现BTHQZn具有良好的电致发光特性和空穴传输特性,利用此特性制备了掺杂型有机电致黄光器件,结构为ITO/2T-NATA(30nm)/CBP∶5%Ir(ppy)3∶10%BTHQZn(20nm)/Alq3(50nm)/LiF(0.5nm)/Al,器件在12V时实现了黄绿光发射,最大发光亮度为4552cd/m2,色坐标为(0.3954,0.4976),在11V电压下的最大发光效率为2.82cd/A。     

第一性原理研究Fe掺杂SnO2材料的光电性质

采用基于第一性原理的线性缀加平面波(FP-LAPW)方法,研究Fe掺杂SnO₂材料电子结构和光学性质,包括电子态密度、能带结构、介电函数和其他一些光学图谱. 研究结果表明,掺Fe后材料均属于直接跃迁半导体,且呈现半金属性;随掺杂浓度增加,费米能级进入价带,带隙逐渐减小,Fe原子之间耦合作用增强;通过掺杂能够在一定程度上改变成键性质,使其具有金属键性质. 光学谱线(吸收谱、消光系数等)与介电函数虚部谱线相对应,均发生蓝移,各峰值与电子跃迁吸收有关,从理论上指出光学性质和电子结构的内在联系. 关键词： 能带结构 态密度 光学性质 介电函数