基于模糊神经网络的声母识别

模板匹配法技术是汉语声母识别中较为成功的算法,但它的缺陷影响了其恢复错误、改善识别性能。神经网络(NN)和模糊系统的结合,保留了双方的优点,充分利用了模糊神经网良好的容错性能、计算性能、分类性能和决策性能。本文重点研究了两种基于模糊神经网的声母识别方案,通过对其结构、识别率和特点的分析,可看出模糊神经网的声母识别性能明显优于模板匹配法,是更适于语音识别的网络。     

将词类信息融入三元文法统计模型的汉语音字转换方法

本文给出了一种将词类信息融入三元文法模型的汉语组合语言模型。理论分析和实验均表明:该模型不仅复杂度低于三元文法模型,而且对测试文本域的依赖性也优于前者。     

8×40 Gbit/s全光OFDM系统的传输性能研究

通过对基于傅里叶变换过程的全光OFDM(正交频分复用)进行理论模型分析,采用马赫-曾德干涉仪级联的方式构造出复用/解复用模块,在光域上直接进行IDFT/DFT(离散型傅里叶逆变换/离散型傅里叶变换)过程。在DPSK(差分相移键控)调制、DQPSK(差分四相相移键控)调制、4QAM(2阶正交幅度调制)和16QAM(4阶正交幅度调制)下,利用全光复用/解复用模块模拟了8×40Gbit/s无保护间隔的OFDM系统传输,对误码率等性能作出分析。     

便携式数控系统ARM监控平台的设计

在数控系统中,通常需要利用串口或者CAN总线进行数据监控,针对满足其数据采集与发送及存储的技术要求,提出一种便携式的数控系统监控平台设计方法;基于Freescale的ARM芯片MCIMX357与Linux操作系统,利用外围接口电路,实现大容量数据存储、串口多模式通信、CAN总线数据监控,同时附加人机友好界面,利用配套电源管理方案实现低功耗便携功能;通过测试表明设计合理可靠,功耗为3.5W,串口通信频率为115200bps,CAN通信速度为500K,同时该设计成果成功应用于我单位某型数控系统中。     

热激励硅基双梁谐振型压力传感器

针对热激励硅基谐振型压力传感器温度漂移严重的问题,提出了一种双梁硅基谐振型压力传感器结构,利用不测试压力的谐振梁感应温度对谐振梁的变化,并与测试压力的谐振梁相减,消除测试压力的谐振梁随温度变化的部分,补偿热激励硅基谐振型压力传感器的温度漂移.通过实验,研制出双梁结构的硅基谐振型压力传感器样品,初步测试结果显示,温度漂移的影响已降低到原来的1/30,大大提高了热激励硅基谐振型压力传感器的测试精度.     

河流模型水流流速测量系统的研制

本文介绍了某河流模型水流流速测量系统的硬件设计方案、上位机软件实现以及与PC机通信协议的制定。本系统功能强大，能在线设置测量参数、自动存储，实现了河流模型多点流速同步测量。     

面向三维球体空间温度场的对射式超声波测量研究

温度测量在航空航天、公共安全、智能制造及智能家居等方面具有重要意义。基于超声波原理的测温技术是近年来发展起来的一种新型温度测量方式,超声波测温技术具有非接触式,温度测量范围广,响应速度快和测量准确度高等特点,在航空发动机、微波干燥等领域表现出了良好性能。该文面向三维球体空间温度场测量的需求背景,基于超声波飞行速度与介质温度相关原理,采用收发同体式超声波换能器,设计了针对二维圆形平面的8换能器结构和针对三维球体空间的26换能器结构,提出了分时轮训超声波换能器接收控制策略,建立了基于径向基函数的空间温度重构算法,并基于Matlab平台对测温方法进行仿真。仿真结果表明,对于构建的对角偏斜和中心对称二维圆形平面温度场模型,以及中心对称三维球体温度场模型均具有良好的重建效果,同时在超声飞行时间的测量中还叠加了标准差分别为0.02%、0.03%和0.05%的三类高斯白噪声,进一步验证了该文提出的对射式超声波温度场测量方法具有较好的鲁棒性。     

基于纳米修饰导电高分子的电化学气体报警器

针对公共安全领域对甲基膦酸二甲酯(DMMP)等神经性毒剂模拟剂的高灵敏度检测的需求,该文提出了一种基于纳米修饰导电高分子电化学阻抗型气体传感方法,通过开展改性修饰导电高分子聚合物材料和平面叉指微电极研究,制备了电化学阻抗型气体传感器,并设计了传感器阵列化结构和报警器总体架构;研制出电化学阻抗型气体报警器,并开展了性能测试。实验结果表明,该电化学阻抗型气体报警器可对质量浓度低至1 μg/L的DMMP进行有效检测,响应时间低至52 s。     

Experimental and theoretical study of an improved breakdown voltage SOI LDMOS with a reduced cell pitch

An improved breakdown voltage （BV） SOI power MOSFET with a reduced cell pitch is proposed and fabricated. Its breakdown characteristics are investigated numerically and experimentally. The MOSFET features dual trenches （DTMOS）, an oxide trench between the source and drain regions, and a trench gate extended to the buried oxide （BOX）. The proposed device has three merits. First, the oxide trench increases the electric field strength in the x-direction due to the lower permittivity of oxide （eox） than that of Si （esi）. Furthermore, the trench gate, the oxide trench, and the BOX cause multi-directional depletion, improving the electric field distribution and enhancing the RESURF （reduced surface field） effect. Both increase the BV. Second, the oxide trench folds the drift region along the y-direction and thus reduces the cell pitch. Third, the trench gate not only reduces the on-resistance, but also acts as a field plate to improve the BV. Additionally, the trench gate achieves the isolation between high-voltage devices and the low voltage CMOS devices in a high-voltage integrated circuit （HVIC）, effectively saving the chip area and simplifying the isolation process. An 180 V prototype DTMOS with its applied drive IC is fabricated to verify the mechanism.     

石墨膜表面临界热流密度实验研究

本文以光滑石墨膜作为加热表面,在标准大气压下以去离子水为工质进行了饱和池式沸腾实验。实验研究表明,在热流密度达到1.83 MW/m^2时,石墨膜发生膨胀并使其表面局部破裂,随着热流密度的进一步升高,破裂的面积逐渐扩大,石墨膜的电阻呈现阶跃式升高。在2.40 MW/m^2的热流密度下,石墨膜表面全部破裂,此后随着热流密度增加,电阻上升幅度变小,最终,在热流密度达到3.17 MW/m^2时,石墨膜发生烧毁。可见,石墨膜通过膨胀破裂的方式能自适应地强化沸腾传热临界热流密度,强化比例达到73%。同时,通过高速摄像机的观察发现,在相同热流密度条件下,与光滑表面相比,膨胀表面的气化核心数增多,气泡脱离直径变小,气泡脱离频率变大。