微波介质陶瓷材料介电性能间的制约关系

微波介质陶瓷材料的三个主要参数相对介电常数εr、品质因数Q和谐振频率温度系数之间存在一定的关系。采用一维双原子线性振动模型,分析了微波介质陶瓷材料的εr、Q影响因素和它们之间的相互制约关系;采用Clausius-Mosotti方程,分析了谐振频率温度系数的影响因素以及它和εr之间的相互制约关系。讨论了提高高介微波介质陶瓷材料性能的途径,发现采用同电价质量较轻的离子取代,在基本不影响介电常数的情况下具有提高材料的Q·f值的可能性。     

非高斯勒维过程驱动下随机粘弹性波动方程的不变测度

本文研究非高斯勒维过程驱动下一类带有阻尼项的随机粘弹性波动方程.我们在适当的条件下,给出温和解生成的转移半群不变测度的存在唯一性.     

新型低介微波介质陶瓷的结构及性能

介绍了相对介电常数低于15的四种低介微波介质陶瓷材料系列(R2BaCuO5(R=Y,Sm,和Yb等)系、Al2O3系、AWO4(A=Ca,Sr和Ba)系和Zn2SiO4系等)的结构和微波介电性能,并指出其目前普遍存在的问题和发展趋势。     

一种新耦合结构的介质滤波器的设计与仿真

设计并研究了一种电容负载型的同轴介质滤波器,它采用新颖的耦合结构,以及高介电常数低损耗的微波陶瓷材料,大大减小了同轴介质滤波器的体积。同时用HFSS软件对其进行仿真,讨论了部分结构参数对滤波器性能的影响,最后设计出性能良好的带通滤波器,其中心频率f0=999MHz,插入损耗Li=1.489dB,3dB带宽B=17MHz,带外抑制在f0±30MHz时>20dB。     

滤波器耦合槽直径对其性能的影响仿真

采用高频结构模拟软件模拟1／4λ同轴型带通微波陶瓷滤波器结构,讨论了耦合槽直径对滤波器的性能如带宽、插损、带内波动、阻带抑制等的影响。结果表明,随着耦合槽直径的增大,滤波器中心频率、插入损耗和阻带抑制减小,3dB带宽增大。讨论结果表明,可通过调整滤波器耦合槽直径的大小,得到理想性能的介质滤波器。     

通带耦合特性独立可调的双频微带滤波器设计

引入一种新型双通带滤波器耦合结构,采用微带线型SIR结构分别设计了切比雪夫型和准椭圆函数型2.4GHz/5.2GHz双频带通滤波器。运用电磁数值分析软件讨论了结构参数对双通带滤波器耦合性能的影响,以及准椭圆函数型滤波器耦合结构参数对其传输零点位置的影响,并在文中给出其变化规律。基于该耦合结构的新型双频带滤波器,设计自由度更高,两个通带所需耦合系数可以独立调节。根据以上结构参数所制备的样品,其性能测试结果与仿真结果吻合良好。     

Ti-V基储氢合金及其氢化物的物相结构与组分优化设计

Ti-V基储氢合金在室温、常压下即可表现出良好的储氢特性,且质量储氢容量明显高于传统AB₅型储氢合金,从而在氢气的精制和回收、运输和储存及热泵等方面有较早的应用。 此外,在混合气体分离、核反应堆中处理氢的同位素、镍氢电池及燃料电池负极材料等方面也得到了广泛的研究与关注。 基于目前Ti-V基储氢合金的研究现状,概述了该类合金的优势、限制性因素(包括成因)及改性手段。 此外,为了进一步理解Ti-V基合金储氢机理、构建合金组分与储氢特性之间的对应关系,本工作重点围绕Ti-V基储氢合金及其氢化物的结构、组分优化设计展开综述,并对其未来研究方向做出展望。     

基于非对称共地λ/4谐振器对的三频带滤波器设计

提出了一种全新的谐振器结构——非对称共地λ/4谐振器对.此谐振器对由一个4 UIR谐振器和λ/4 SIR谐振器通过共用一个接地通孔组合而成.其中SIR谐振器工作于2.4 GHz与5.2 GHz频段,UIR谐振器工作于3.6 GHz频段,据此设计制作了一个四级三频带切比雪夫型滤波器并进行了测试和仿真.结果表明,该滤波器的测试结果与仿真符合良好.利用此谐振器对设计的滤波器不仅体积大大减小,而且每个通带的位置及其耦合特性都能够独立调谐.     

900 MHz独块同轴微波介质滤波器的仿真

采用HFSS软件讨论介质滤波器耦合(包括谐振器间的互耦合以及谐振器与外电路的耦合)性能以及中间谐振器谐振长度与其频率的相互关系,得到滤波器外界品质因数与其输入输出端口大小、滤波器级间耦合系数与其耦合孔直径以及中间谐振器谐振长度与其频率之间相互关系曲线,并以此确定所设计的介质谐振器滤波器结构尺寸。根据讨论结果,最终设计出的滤波器性能指标为:中心频率899.5MHz,带宽14MHz,带内波动0.8dB,通带损耗1.5dB,性能满足移动通讯要求。