前言

<正> “863”,高技术! “863”精神:“团结、献身、求实、创新”! “863”,它将造就一支自觉献身、勇于创新、苦干实干、团结奋斗的队伍! 机电部13所光荣地承担了“863”任务,承担了“光电子器件及光电子微电子系统集成”中的任务。通过科技攻关,完成了预定的阶段项目,与此同时培养了一支勇于攻坚、善于攻坚的科研集体。这次提交鉴定和验收的项目共有两个子系统,十七个模块,共十九项科研成果。 1.140Mb/s混合集成光发射盘; 2.140Mb/s混合集成光接收盘; 3.140Mb/s混合集成LD驱动模块; 4.140Mb/s混合集成LD APC模块;     

GaAsMESFET 的低频优值

本文通过对 GaAsMESFET 直流特性的理论分析,提出一个能起衡量 GaAsMESFET 微波特性作用的低频优值。并借助电子计算机,计算了各种栅长下的低频优值,以及它们与栅偏压的函数关系,确定出低频优值与沟道参数的关系,明确了提高低频优值的途径,最后论证了低频优值与微波特性(特别是噪声系数)的相关性。     

HEMT器件的非线性模型分析

本文提出了一种新的ＨＥＭＴ器件非线性ＣＡＤ模拟方法，即可以利用ＰＳＰＩＣＥ程序中ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ的非线性ＣＡＤ模型（Ｓｔａｔｚ模型）对ＨＥＭＴ器件进行非线性模拟，并用实验验证了这种方法的正确性。     

半导体器件的弹道传输

当距离尺度在十分之几微米量级时,在硅和砷化镓器件中可能发生电子和空穴的“弹道”(Ballistic)传输,这种传输不会受到品格本身、晶格缺陷、杂质或界面互作用的障碍,即近似一个子弹在自由空间中运动一样。由于没有受这些互作用影响的“阻碍”,载流子可以达到几倍于大尺寸器件时的速度,结果是器件的工作速度倍增。尽管纯弹道传输是很难达到的,但是当器件尺寸逼近载流子的平均自由程时,器件速度还是会有所提高。本文要讨论很薄器件中电子传输的本质,在此薄器件中通常描述的材料的速度-电场关系不再适用。     

半导体照明灯

半导体晶体管以及集成电路的发明和发展使计算机成为人类社会不可或缺的东西,这数得上是20世纪最重要的技术革命。那么,半导体引起的下一个技术革命将是什么呢?那就是半导体灯。半导体照明灯将逐步取代电真空灯泡和日光灯管,成为又一个影响人类社会物质文明的电子革命的产...     

微波微电子机械开关

介绍了微波微电子机械开关(MEMS开关)的形式、物理特性,分析了其工作原理.文中采用一端固定、一端自由运动的悬臂梁的力学模型,给出了MEMS开关设计的经验公式.最后,对微电子机械开关在MMIC中的发展前景作出了预测.     

6～18GHz宽带功率放大器模块

研究了ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ的小信号特性、大信号特性和其宽带匹配网络。选用ＴＷＴ－２型功率器件，设计研制出了单级宽带功率放大器。在６～１８ＧＨｚ的工作频率范围内，小信号增益等于５．０±１．０ｄＢ，１ｄＢ压缩输出功率等于２５．０±０．８ｄＢｍ，输入输出驻波比小于２．５。     

一种抗辐射加固功率器件──VDMNOSFET

采用 Si3N4- Si O2 双层栅介质及自对准重掺杂浅结 P+区研制出了一种抗辐射加固功率器件—— VDMNOS-FET (垂直双扩散金属 -氮化物 -氧化物 -半导体场效应晶体管 ) .给出了该器件的电离辐射效应及瞬态大剂量辐射的实验数据 ,与常规 VDMOSFET相比获得了良好的抗辐射性能 .对研制的 2 0 0 V VDMNOSFET,在栅偏压 +10 V,γ 总剂量为 1Mrad (Si)时 ,其阈值电压仅漂移了 - 0 .5 V,跨导下降了 10 % .在 γ瞬态剂量率达 1× 10 1 2 rad(Si) /s时 ,器件未发生烧毁失效 .实验结果证明 Si3N4- Si O2 双层栅介质及自对准重掺杂浅结 P+区显著地改善了功率 MOS器件的