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无线电 | 122篇 |
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2002年 | 6篇 |
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2000年 | 5篇 |
1999年 | 9篇 |
1998年 | 4篇 |
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1971年 | 1篇 |
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81.
82.
83.
本文给出一个新的PIN光电二极管的等效电路模型,该模型基于速率方程和微波端口特性并在TMS(TsinghuaMicrowaveSpice)中完成,可以进行线性、非线性信号分析和噪声分析。利用该模型对其非线性谐波特性进行了预测,模拟结果表明和文献数值求解结果基本一致,最后讨论了适用于金属-半导体-金属(MSM)光电二极管的修正模型. 相似文献
84.
85.
研究了GaAs功率MESFET的小信号特性,大信号特性和其宽带匹配网络。选用TWT-2型功率器件,设计研制出了单级宽带功率放大器,在6~18GHz的工作频率范围内,小信号增益等于5.0±1.0dB,1dB压缩输出功率等于25.0±0.8dBm,输入输出驻波比小于2.5。 相似文献
86.
87.
88.
在5cm波段GaAs FET研究的基础上,采用氧离子注入代替化学腐蚀台面作隔离,用普通接触式光刻曝光一金属剥离技术制作0.8~1.μ的栅条,并采用深挖槽等方法,我们已试制出3cm的GaAs FET。这种用生陶瓷管壳封装的器件,在10GHz下,噪声系数N_F=4.7dB、增益G_(N_F)=4.7dB,或者N_F=5.8dB、G_(N_F)=7dB。其管芯照片示于下图。 相似文献
89.
<正> 继硅微波晶体管(MWT)独占60年代之后,砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAs MESFET)在70年代和80年代出尽了风头,无论是通信、雷达、电子对抗,还是计算机都离不开它。正可谓掀起了一场微波领域的革命! 但是,无论是SiMWT,还是GaAs MESFET,都没有离开“掺杂工程”的概念。器件尺寸的缩小和限制都没有到量子尺寸,也就是说,这些器件仍然属于三维器件,用经典力学可以描述其粒子运动的范畴。随着分子束外延(MBE)和金属有机化合物化学汽相淀积外延(MOCVD)的兴起和发展,半导体 相似文献
90.
用网络分析仪测量了1μm栅(Al,Ga)As/GaAs调制掺杂FET(MODFET)的微波特性。计算了等效电路参数,并与等同结构的GaAsMESFET相比较。比之MESFET,MODFET的电流增益和功率增益截止频率均较高(18和38GHz对14和30GHz),电路参数g_(mo),C_(gs)和R_(ds)呈现较陡的夹断效应。由于沟道中势阱展宽,MODFET中C_(gs)呈现栅偏压依赖关系。在发展MODFET电路模拟的计算机模型中将证明此资料是很有价值的。 相似文献