硅微电子大树上的新枝——SiGe/Si器件和电路

<正> 回顾近半个世纪半导体的发展,无疑,硅材料器件及IC为代表的微电子技术起着核心作用。硅材料的超纯度、硅器件尺寸的微细度、硅IC的集成度神话般地呈现在世人面前。以“硅文化”为心脏的计算机更是改变了传统产业、社会面貌乃至人们的生活。但是,硅亦有其局限性。由于其固有能带结构为间接带隙,非平衡载流子的本征寿命比直接带隙的砷化镓大三个数量级,载流子迁移率比砷化镓低得多,这些无疑都大大限制了硅微电子技术向更高速度进军。另外硅无法实现高效率发光和激光器件,因此在光电子领域也几乎都是化合物半导体的天下。当硅微电子在90年代实现0.1μm、1Gb、一个芯片集成一亿个器件的DRAM以后,硅微电子还能有更大的发展吗?     

GaAs基InAlAs/InGaAsMHEMT直流特性研究

报道了用 MBE技术生长的 Ga As基 In Al As/In Ga As改变结构高电子迁移率晶体管 (MHEMT)的制作过程和器件的直流性能。对于栅长为 0 .8μm的器件 ,最大非本征跨导和饱和电流密度分别为 3 5 0 m S/mm和1 90 m A/mm。源漏击穿电压和栅反向击穿电压分别为 4V和 7.5 V。这些直流特性超过了相同的材料和工艺条件下 Ga As基 PHEMT的水平 ,与 In P基 In Al As/In Ga As HEMT的性能相当     

单片GaAs行波放大器

叙述了一种带有分布输入和输出线的单片GaAs行波放大器,报导了它在0.5～14GHz范围内的实验性能。     

肖特基势垒场效应晶体管的动态特性

一、引言本文的理论是寻求一个最快捷最简单的方法为目的的探索结果,它牺牲数值的精确度,而考虑物理参数对场效应晶体管的动态特性和动态参量有多大的影响,以及介绍一些具有良好的高频性能的场效应晶体管,其材料或结构的恰当选取。     

Ⅲ-Ⅴ族磁半导体材料的研究与进展

Mn、Fe等过渡金属元素的 - 族稀磁半导体 ( DMS)材料和铁磁 /半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性 ,可望广泛应用于未来的磁 (自旋 )电子器件 ,从而使传统的电子工业面临一场新的技术革命。本文将对上述研究领域进行评述     

微机械热对流加速度计

介绍了基于流体运动的加速度计的原理和制作．它的原理是自然对流受到加速度信号而产生对流形变,从而产生温度差,由这个温度差感应了加速度、倾斜、位置变化．这种加速度计由一个充有流体的密闭腔体组成,腔体中包含了一个加热元件和两个对称放置的温度敏感元件．为了实现这种加速度计,采取了微机械制作方法中的前腐蚀工艺,把加速度计和伺服电路集成并封装在一起,测试了加速度效应．     

用于剥离工艺的高分辨率双层光刻胶结构

本文叙述一种用于剥离工艺的制备双层正性光刻胶结构的新工艺方法。此工艺方法的关键工序是在 CF_4等离子体中处理第一层光刻胶的表面以形成一薄的缓冲层,该层对紫外线是透明的,并且在光刻胶溶剂中和碱性水显影液中是不可溶的。选用 AZ-2400和 AZ-1300系列正性光刻胶制作出“凸缘”型光刻胶剖面图形以适合剥离应用。能很干净地剥离出高1μm、宽1μm 的铝线条。制作了一个1μm×1μm 的栅格结构以证实此新双层光刻胶工艺方法的分辨能力和钻蚀控制情况。最后叙述了1μm 栅 GaAs MES-FET 的制作以证实其应用。     

MEMS光开关

采用MEMS体硅工艺,制作了三种结构的微机械光开关:水平驱动2D(二维)光开关、垂直驱动2D光开关和扭摆驱动2D、3D(三维)光开关.水平驱动光开关采用单层体硅结构,另外两种光开关都采用了硅-玻璃的键合结构.它们的工作原理都基于硅数字微镜技术.这三种光开关均采用了静电力驱动,具有较低的驱动电压,其中扭摆式光开关的驱动电压小于15V.对于2D开关阵列,在硅基上制作了光纤自对准耦合槽.对后两种光开关的开关特性进行了计算机模拟与分析,结果表明这两种光开关具有小于1ms的开关时间.