1.25Gb/s InP基多量子阱激光器与HBT驱动电路的单片集成

描述了一种基于InP材料沿[011]晶向湿法化学腐蚀形成平滑侧壁实现的InP基多量子阱激光器和异质结双极晶体管驱动电路单片集成.通过一个横向缓冲台面结构,降低了激光器阳极和晶体管集电极互连工艺的难度,改善了光发射单片光电集成电路的可制造性.采用该方法制作的光发射单片直流功耗为120mW,在码长223-1传输速率1.5Gb/s伪随机码信号调制下有清晰的眼图,光输出功率为2dBm.     

高速低阈值半导体激光器速率方程模型参数的直接确定

针对高速低阈值半导体激光器提出一种模型参数的直接确定方法。该方法仅利用阈值附近端口阻抗特性和阈值以上弛豫振荡频率特性来提取半导体激光器的模型参数 ,无需拟合激光器的强度调制 (IM)频率响应特性或者相对噪声强度特性 ,但是需要器件的有源区结构参数和对光限制因子 Γ的估算。研究表明当光限制因子Γ确定时 ,器件模型参数是唯一的     

串联MEMS开关的瞬态电磁场分析

提出了一种串联MEMS开关的电磁耦合模型 ,并且应用该模型 ,对采用表面硅工艺和体硅工艺制作的MEMS开关 ,采用全波分析方法 ,进行了瞬态电磁场分析。由于开关尺寸为微米量级 ,而驱动电压高达 4 0～ 6 0V ,这样的瞬态高压有可能对开关上的信号产生影响。理论仿真结果显示 ,开关驱动路对信号路有很强的耦合场存在。实验结果同样显示 ,耦合到信号路的信号可以输入信号产生最大值为 6 0 %的失真     

推动科技创新见证我国微纳电子技术的发展——创刊周年献辞

~~推动科技创新见证我国微纳电子技术的发展——创刊周年献辞@梁春广     

1.55μm光发射OEIC技术研究

采用一种新的基于InP材料在[0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术,设计并制作了带有1.55μm多量子阱激光器和InP/InGaAs 异质结双极晶体管驱动电路的光发射单片光电集成电路.在1.5Gbit/s 223-1伪随机码调制下器件有张开的眼图,光输出功率为2dBm,芯片功耗约120mW.     

Gb/s级光前置放大器的基本电路形式

通过对由InGaAs-PIN或InGaAs-APD与GaAsFET或HEMT配合组成的光前置放大器分类比较,找出了适合Gb/s高速光纤通信前置放大器的电路形式。介绍了几种典型电路,讨论和分析了其设计、制作和测试结果。     

1/4μm低噪声GaAsFET

采用普通光学光刻法制造了新的1/4μm栅GaAsMESFET,在12和32GHz之间频率范围,超过了所有已报导的FET而成为当今具有最好噪声系数的器件。     

GaAs低噪声混频二极管串联电阻的研究

本文论述了混频二极管的关键参数之一——串联电阻对器件微波参数的重要影响;较详细地叙述和计算了影响串联电阻r_s的各种主要因素。叙述了为减小串联电阻所采取的工艺方法和措施,列出了实验结果。势垒直径φ=6μm,串联电阻最小值为1Ω,典型值为1.4Ω。器件在兄弟单位整机中使用效果良好。     

GaAsMESFET可靠性研究

唯象地研究了栅长1微米的小讯号 GaAsMESFFT 的三种主要的失效模式,即:由于源和漏接触的退化引起的缓慢退化;由于冲击脉冲引起的突变损坏;以及由于使用过程中电特性的不稳定或可逆漂移而失效。为了认可产品质量和保证器件的可靠性,设计了并且在生产流程中实施了一套质量控制程序。提出了用等效电路模型计算射频参数和直流参数之间的相互关系,描述了低成本的寿命推测方法。表明沟道工作温度在100℃时 GaAsMESFET 的平均失效时间(MTTF)超过10~8小时。