机械合金化Al—Ce非晶态合金

采用高能球磨使晶态的Al-Ce合金转化成了非晶态的Al_(96)Ce_4合金,并结合X射线衍射、热分析和透射电子显微分析研究了机械研磨时从晶态到非晶态的固相反应过程。同时,探讨了机械合金化形成非晶态合金的机制。     

钒氢化物电子结构的量子化学研究

利用电荷自洽离散变分Xα(SCC-DV-Xα)方法计算了钒基固溶体中钒氢反应前后钒及其氢化物(VHx, x=0, 1, 2)、假定原子簇模型VHx*(x=1, 2)和VHx′(x=0, 1)的电子结构. 结果表明：钒与氢气反应生成VH时, 化学效应和结构效应都使V 3d和H 1s轨道向低能量方向移动, 氢化物VH中V 3d和H 1s轨道重叠最多, V－H之间的相互作用较强。VH再与氢气反应生成VH₂时, 结构效应使V 3d和H 1s轨道都向高能量方向移动, 氢化物VH₂中V 3d和H 1s轨道重叠最少, V和H之间的相互作用较弱。氢化物VH和VH₂中不仅存在离子性相互作用, 而且还存在共价性相互作用. 结构效应导致VH₂中V－H键的共价性减弱, 从而导致VH₂中V和H之间的相互作用减弱. 氢化物VH的费米能级比VH₂的低, 说明VH更稳定.     

高温下制焦温度对煤焦气化活性的影响

研究了高温下扎莱诺尔、后布连、东胜、西山和沈阳五种煤焦的碳转化率和气化速率与制焦温度的关系，并考察了气化温度对不同制焦温度下所制得扎莱诺尔煤焦气化活性的影响。实验表明：制焦温度对煤的气化活性的影响不尽相同，在较低的制焦温度1000℃下，五种煤焦表现出很大的气化速率和碳转化率的差距，但随制焦温度的提高煤焦的气化活性下降，制焦温度在1200℃时，四种煤焦的气化速率逐步接近，当制焦温度达到1400℃时，除沈阳煤外，四种煤焦的气化反应速率与碳转化率分别趋于相同。从五种煤以及不同制焦温度下所制得相应焦的SEM分析发现，当制焦温度超过相应煤灰分的软化温度时，制焦温度将直接影响焦中矿物质的分散程度及聚集状态。随着温度的提高，矿物质颗粒也开始从初始的随机分散分布发展到团聚，温度越高，聚集态的矿物质颗粒尺寸越大，其催化作用也越弱。在高温下灰份的熔融是制焦温度影响煤焦气化速率的最重要原因之一。     

机械合金化制备Al—La非晶合金

研究了铝和镧单质混合粉经机械合金化获得非晶合金的可能性。通过Ｘ射线结构分析及透射电镜观察研究了Ａｌ－Ｌａ合金在球磨时的结构变化，采用Ｘ射线方法测定了粉末微晶尺寸和微观应变。结果表明，Ａｌ－１０ａｔ％Ｌａ和Ａｌ－２０ａｔ％Ｌａ在机械合金化时都形成Ａｌ４Ｌａ金属间化合物，而Ａｌ－２０ａｔ％Ｌａ在球磨时微晶尺寸极度碎化，形成了非晶态合金。     

AP型破乳剂界面张力的研究

本文研究了煤油-水的界面张力随聚醚型非离子表面活性剂—AP型高效破乳剂浓度、分子中EO含量、PO链段在分子中的首尾分布和温度的变化, 并以多种原油的破乳实验为例, 讨论了它们与破乳作用的关系。     

MISCIBILITY, THERMAL STABILITY AND RETENTION OF PVP FOR CROSSLINKED PVA/PVP BLENDS

The thermal behavior, miscibility, crystallite conformation and thermal stability ofcrosslinked(CL-) PVA/PVP blends were studied by DSC and TG methods, respectively. DSCresults showed that in the blend, the crystallinity,T_m and T_c of PVA were obviously lower thanthose of pure PVA; the crystal growth changed from three dimensional to two dimensional andonly a single T_g was detected. These facts demonstrated that this crystalline and amorphousblend have good miscibility. TG curves showed that providing the quantity of K_2S_2O_8 added ismore than 3 wt%,in the blends PVA will form a stable CL-network, whose thermal degradationtemperature was near to that of PVP. But crosslinking reaction will not take place for PVP. Theprocesses of thermal degradation of CL-blends are based on combining both the thermaldegradation of PVP and that of PVA crosslinked with corresponding quantity of K_2S_2O_8 CL-agent, respectively. The UV measurements showed that 75 wt% of PVP may be remained in CL-blend hydrogelscrosslinked by adding (3--5 wt% )K_2S_2O_8. This is mainly due to the stable CL-network formed and the good compatibility and properentanglement between the composites in the CL-blends.     

降低有线电视网络供电故障率的几点措施

近年来,随着有线电视网络的规模化、数字化发展,对有线电视网络的维护管理提出了更高的要求,在有线电视网络维护管理过程中,我们发现与电源有关的网络故障占所有故障的30%以上,分析其原因主要有以下几点:一是电网停电造成放大器不工作;二是电缆接头氧化、接触不良引起供电异常;三是电网电压不稳定或雷电冲击脉冲引起放大器保险丝烧断;四是放大器进水、雷电冲击等引起放大器电源故障。针对以上问题谈谈笔者的几点解决措施。     

计算机查找方法在集成电路ESD故障定位中的应用

为了缩短复杂集成电路在ESD测试中出现的故障问题的定位次数及定位时间,提出了五种测试定位方法。对这些方法以顺序查找法、二分查找法及分块查找法为基础进行了定位次数及定位时间的通用公式推导,进而进行了定位次数及定位时间的分析对比。针对分块查找法,延伸出了三种不同的查找方法;同时针对这五种查找方法提出了测试定位效率的概念。发现对于超过8个管脚的复杂集成电路,二分法是减少测试定位次数的最佳选择,分块法2是减少测试定位时间及提升测试定位效率的最佳选择;对于少于8个管脚的集成电路,顺序法和二分法是较好的选择方法。     

浅沟槽隔离对MOSFET电学特性的影响

随着工艺制程的不断进展,浅沟槽隔离技术(STI)成为深亚微米后的主流隔离技术。文章通过测试分析不同栅到有源区距离(SA)晶体管(MOSFET)器件的栅和衬底电流,分析了180 nm N沟道晶体管中STI对于栅和衬底电流的影响。结果表明栅电流随着SA的缩小呈现先缩小后增大的趋势,衬底电流在常温以及高温下都随着SA的减小而减小。文章用应力机制导致的迁移率以及载流子浓度的变化对栅和衬底电流的变化趋势进行了分析,通过改进伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型(BSIM)模拟了STI对衬底电流的影响,为设计人员进行低功耗设计提供了衬底电流模型。     

126I高自旋态的认定

利用重离子融合蒸发反应¹²²Sn(¹¹B,5n2p)布居了双奇核¹²⁶I的激发态,首次建立了具有集体带结构特征的能级纲图,其中包括20条新γ跃迁.所建能级纲图的核素归属指定得到了核反应¹²⁴Sn(⁷Li,5n)的交叉支持.简单讨论了所建带结构的可能组态.