WCDMA和GSM1800宏蜂窝共基站干扰分析

当前3G移动通信产业已逐步走向商用化阶段，我国也为3G不同的技术体制（FDD与TDD）标准划分了2GHz附近的核心频段和补充频段，具体规划如图1所示。     

低功耗多核H.264处理器

正当业界纷纷议论低功耗设计之时,2004年Intel将多核思想印入人们的脑海.当时Intel正处在从时钟频率可伸缩转向处理器内核的可伸缩性来设计处理器的转折点.     

偶然的相遇——实试胆时达T-100MKⅡ微型电子管专业耳放

偶遇“胆时达” “虽是偶然的相遇，我却不能忘记你。你的心中可否已有我的一番深情意。”哗!不得了!随着CD唱盘徐徐转动，陈洁丽暖融融、甜蜜蜜、渗透着玫瑰花香的歌声轻柔地在笔者的耳膜中流淌着!伊人半带微笑的嘴型历历在目，含情脉脉的“眼波”随着歌声不断在传情达意。旁边许乐弹奏的钢琴更是晶莹瑰丽，     

海尔的经营战略与质量管理

一、海尔追求卓越的20年发展楞程回顾 1.1海尔成为中国第一个规模过千亿的拥有自主品牌的集体企业 2004年平均每个海尔人创造的营业客相当于84年企业全年的营业额.     

3D打印用高分子材料及其复合材料的研究进展北大核心CSCD

3D打印技术亦称为增材制造,是基于三维数学模型数据,通过连续的物理层叠加,逐层增加材料来生成三维实体的技术。作为第三次工业革命的代表性技术之一,3D打印材料是影响3D打印技术发展与应用的关健因素。而高分子聚合物在打印材料中占据主要地位,其中高分子复合材料具有明显优势。本文综述了近年来3D打印用高分子材料及其复合材料的研究现状,包括高分子丝材、光敏树脂、高分子粉末、高分子凝胶及其它高分子材料,并对高分子材料在3D打印领域的发展进行了展望。     

硅霍耳元件和特斯拉计

霍耳效应是美国物理学家霍耳于１８７９年在金属中发现的．１９４８年以后,半导体的霍耳效应得到了广泛重视,制成了各种霍耳元件．首先出现的是锗霍耳元件,１９５５年出现了硅霍耳元件．近二十年来,随着化合物半导体材料（如ＩｎＡｓ,ＩｎＡｓＰ,ＧａＡｓ等）的出现,用化合物半导体制造的霍耳元件由于有较高的稳定性而越来越引起人们的重视（如西德西门子公司的ＦＡ,ＦＣ和ＳＶ系列,美国贝尔公司的ＢＨ系列）．其中有?...     

激痛点体外发散式冲击波联合艾灸治疗肩周炎临床研究

摘 要: 目的 探究体外发散式冲击波联合艾灸治疗肩周炎的临床疗效。方法 纳入我科门诊肩周炎患者60例,随机分为两组,每组30例,对照组接受推拿和超短波治疗,治疗组接受体外发散式冲击波和艾灸治疗,同时两组患者均行肩关节功能训练。2 w为1个疗程。评价治疗前后视觉模拟评分（Visual Analogue ScaleScore,VAS）、Constant-Murley肩关节功能评分和临床有效率,随访时间4 w。结果 经治疗后,两组患者的VAS评分均较治疗前明显降低,治疗组明显优于对照组,差异有统计学意义（P＜0.05）。经治疗后及4 w后随访时,2组患者的日常生活活动能力（Activities of Daily Living,ADL）、关节活动度（range or motion,ROM）评分均呈增长趋势,治疗组优于对照组,差异有统计学意义（P＜0.05）,治疗后4 w随访时,治疗组治愈率（33.3%）明显优于对照组（10.00%）,差异有统计学意义（P＜0.05）。结论 体外发散式冲击波结合艾灸治疗肩周炎疗效优于推拿按摩和超短波治疗。     

GaAs基RTD与MSM光电集成

报道了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)与金属-半导体-金属光电探测器(MSM PD)单片集成的两种光电集成电路,并在室温条件下分别测试了RTD器件、MSM器件和集成电路的电学特性.测试表明:RTD器件的峰谷电流比为4;由于改进了在半绝缘GaAs衬底上制作MSM的方法,5V偏压下的电流由原来的2μA增加到了18μA,基本实现了两种电路的逻辑功能.     

平面型RTD及其MOBILE的设计与研制

鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n+ GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设计研制平面型RTD和由其构成的单-双稳转换逻辑单元,此种结构可适用于以输出端作为公用端的所有电路.