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11.
MoS2是一种具有特殊能带结构的二维半导体材料,当层数较少时,其带隙会随层数显著减小。因此,基于MoS2势垒层的磁性隧道结会展现出更丰富的物理特性。文章通过理论计算分别得到了单层、双层、三层以及五层MoS2势垒层磁性隧道结的温度-偏压相图,研究了铁磁电极半交换劈裂能对相图特性的影响。计算结果表明:单层和三层MoS2势垒层磁性隧道结适合应用于低温器件中。其中,单层MoS2势垒层磁性隧道结在高功率工作环境下具有优异的性能。双层MoS2势垒层磁性隧道结的优化区域位于室温和低偏压区,因此适用于信息存储领域。五层MoS2势垒层磁性隧道结可通过调节铁磁电极参数使其工作在较宽的功率范围内。上述研究结果为MoS2势垒层磁性隧道结的应用奠定了坚实的理论基础。 相似文献
12.
13.
原子簇P12(D3d)的理论研究 总被引:1,自引:1,他引:1
利用Gaussian-92程序在6-31G基组下优化P12(D3d)构型,研究了3P4(Td)→P12(D3d)的相对能量,计算结果为△E=Ep12(D3d)-3Ep4(Td)=-79.844kJ/mol,优化P12(D3d)获得的P-P键键长接近于实验测得的P-P单键键长,并进一步在该基组下计算了P12(D3d)原子簇的振动频率,得到的全部为正频率,表明原子簇P12的D3d构型是位能面上的稳定点 相似文献
14.
15.
Al掺杂对尖晶石型LiMn2O4结构及循环性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
用柠檬酸作为螯和物的载体,采用溶胶-凝胶法合成了A l3 掺杂的锂离子电池正极材料L iA lxMn2-xO4。XRD,SEM研究表明,于800℃煅烧可获得单一尖晶石结构的物相;随着A l3 掺入量的增加,L iA lxMn2-xO4的晶格常数变小,晶格更趋于完整,有利于抑制因锂的反复脱嵌而造成的结构破坏。x=0.05时,首次放电容量为103.8 mAh.g-1,25次循环后放电容量还有100.6 mAh.g-1,容量衰减仅为3.08%。 相似文献
16.
本文使用密度泛函理论设计了两个无需配体的具有Mg-Mg和Zn-Zn单键的团簇Mg2B7-和Zn2B7-. 这两种团簇的全局能量最低构型均以M22+(B73-)的形式存在,其中M-M单键处于准平面六边形形状的B7部分的上方. 化学键分析证实了这些团簇中Mg-Mg和Zn-Zn单键的存在,这些单键是在异常稳定的B73-的驱动下生成的. 该B73-部分同时具有σ和π双重芳香性. 计算得到Mg2B7-和Zn2B7-的垂直跃迁能分别为2.79 eV和2.94 eV. 相似文献
17.
18.
二氯二茂锆同异丁基格氏试剂以1:2摩尔比反应,于室温下生成有机锆中间体,后者同烯烃、炔烃或二烯反应,最后生成还原的二聚物或分子内环化产物。 相似文献
19.
用热重分析法研究氢氧化镧的热分解过程 总被引:1,自引:0,他引:1
在研究固相交换反应过程中,我们对氢氧化镧进行了热重分析,发现氢氧化镧的热分解过程是分两步进行的,由其热重曲线计算了氢氧化镧热分解反应的活化能和反应级数。 相似文献
20.
电化学氧化增强金属钴卟啉的自组装研究 总被引:1,自引:0,他引:1
应用电化学方法将钴(Ⅱ)卟啉氧化成钴(Ⅲ)卟啉以增强它与4-巯基吡啶(MP)自组装膜的轴向配位作用,从而快速制备了有序钴卟啉自组装修饰电极CoTMPP/MP/Au(E).电化学石英晶体微天平(EQCM)测试证实电化学氧化对钴卟啉膜生长过程的增强作用.Ram an光谱及修饰电极电催化还原氧研究显示,该修饰电极与经过长时间浸渍法得到的CoTMPP/MP/Au(I)修饰电极具有完全相似的有序结构和性质.与直接将钴卟啉吸附在电极表面的CoTMPP/Au修饰电极相比,以巯基吡啶为桥键得到的钴卟啉修饰电极具有更好的电催化活性和稳定性. 相似文献