Effect of Hydrogen Implantation on SIMOX SOI Materials

Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.     

基于非锐化掩模的实时自适应图像增强算法

针对传统的非锐化掩模算法的局限性,依据图像中各像素点及以其为中心的若干相邻像素点的均方差值,提出了自适应图像增强算法的原理,并分析其硬件实现方法,然后给出了该算法与其它算法应用于图像增强的对比结果,最后在FPGA（field programmable gate array）实验板上进行验证.实验结果表明,此算法有效的增强图像的细节区域,防止图像边缘区域出现过冲现象,抑制图像平坦区域的噪声放大.因此,该算法取得了良好的视觉效果,硬件实现简单,适合于实时条件下图像的增强.     

本征吸除硅片特性研究

本文描述硅本征吸杂片的特性参数,如吸除区宽度、洁净度,氧沉淀密度、MOS电容寿命,介绍了表面态密度及残余间隙氧浓度的检测方法和工艺对参数的影响及参数之间的内在联系,文章还实验论证了不同参数水平对器件成品率的影响,建立了以MOS电容寿命为主导的参数控制方法,利用本文提供的控制参数,可使CCD-512器件成品率达60％,以上优品率≥85％。     

纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象

对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂,B掺杂效率比P高,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer-Neldel规则,并有反转Meyer-Neldel规则出现.掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一.非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献.     

对虾肝胰腺肌上皮细胞的杆状病毒

对虾肝胰腺肌上皮细胞的杆状病毒邹国祥，谭金山，侯颖一叶孝经王文兴（青岛医学院电镜室，青岛２６６０１２）（黄海水产研究所）（国家海洋局一所）在国外，就虾类传染性病毒的研究已有近２０年的历史，已知在亚、太、美等地，在约２０种对虾中，至少已发现有６种病毒，...     

光纤传感器的标定曲线拟合与误差分析

本文介绍了一种求取实际光纤传感器标定曲线及函数的有效方法。以压电式光纤电压传感器实测数据为例，详细患解出了其标定函数和曲线，并进行了误差分析。     

局域网通讯安全的实现

尽管当前有许多维护网络安全的策略，但是局域网内部通讯安全却往往被忽略，文章首先分析当前一些安全策略在维护局域网内部通讯安全的不足，然后提出一种具有加密功能的以太网网卡，用以解决局域网内部通讯的安全问题。