SEU 加固存储单元中的多节点翻转

使用3D器件模拟了SEU加固单元的多节点翻转(multiple node upset,MNU)问题.结果表明瞬时悬空节点和电荷横向扩散是MNU的关键原因.对比了MNU和不同存储单元之间的MBU(multiple bit upset),发现它们之间的特点存在较大差异.最后讨论了避免MNU的方法.     

CABAC熵编码机制下有效的变换域码率估计技术

 CABAC是H.264/AVC视频压缩标准中采用的一种熵编码机制,结合RDO模式选择技术,可以降低20％的码率.在RDO模式选择过程中,需要对编码块的每一种候选模式进行熵编码以获得编码位数,这在很大程度上增加了视频编码的计算复杂度.为了避免复杂的Lagrange耗费计算,本文第一次提出了一种CABAC熵编码机制下的变换域码率估计方法,基于量化变换系数和运动向量差对熵编码位数进行估计.在此基础上,本文将码率估计技术应用在RDO模式选择中,提出了基于码率估计的快速模式选择算法,减少了模式选择的计算时间.模拟结果显示,本文提出的CABAC熵编码机制下的变换域码率估计技术在对编码性能影响不大的情况下,减少了模式选择中51％的率失真耗费计算时间,采用全搜索运动估计算法时,节省33％的总编码时间.     

基于深度学习的两阶段联合声学回波和混响抑制技术

在现代通信系统中，通信语音的质量和可懂度会被回波与混响严重损害，人与人之间的交流因此会被严重干扰。为了同时消除回波与混响的负面影响，本文提出了一种基于深度学习的两阶段联合声学回波和混响抑制系统。该系统逐步地消除加性声学回波与多径效应产生的混响干扰，从而获得目标语音。系统首先使用基于理想比值掩蔽（Ideal Ratio Mask，IRM）的模型去除与目标信号不相关的声学回波，紧接着对于与目标信号强相关的混响干扰，系统通过利用一个基于“隐掩蔽”的谱映射模型将其去除。两阶段模型最后进行联合训练以获得更好的系统性能。一系列不同声学环境下的实验结果表明，本文所提出的系统可显著地消除回波与混响干扰，从而极大地增强了目标语音的语音质量与可懂度。      

传输网络评估指标体系研究

随着国家“提速降费”政策的持续推进,各运营商越来越重视投资与效益的匹配。中国移动提出以“降本增效”为目标,推进网络建设。通过对传输网络的分析,从客户感知、业务接入、基础资源及投资效益等方面着手研究,建立“4一级7二级42三级”三级指标体系,并确定各项指标权重。通过象限图、雷达图分析各地市(区县)传输网络情况,确定投资重点,进行差异化精准投资。     

蛇形机器人整体设计与实现

文章主要描述蛇形机器人的设计,包括蛇形机器人的当前发展情况,蛇形机器人整体的设计与实现.实现设计时选用一种集电机、伺服驱动、总线式通讯接口为一体的SR518舵机,采用ARM嵌入式单片机stm32作为控制器,使用多种传感器增加蛇形机器人功能.     

一种土壤剖面CO2气体通量的测试方法

设计和研制了一套土壤剖面CO2气体通量原位测试的方法和装置,该方法和装置可用于土壤剖面不同深度（0～200 cm）土壤CO2气体通量的观测、不同深度土壤层CO2气体存储量的估测、土地利用/土地覆盖变化引起土壤CO2气体释放量变化的测算和估计,以及植被或地力恢复速率的评价等。     

非线性渗流力学研究进展

非线性渗流力学、多重介质渗流力学、计算渗流力学(包括优化控制理论)以及渗流物理学,是现代渗流力学领域的四个重点发展方向。我国近年来多重介质渗流力学发展较快,在某些方面接近国际水平或略为领先。计算渗流力学也做了不少工作。可是,近10年来与生产实际需要关系密切的大部分内容都和非线性渗流有关。这方面国外发展很快。这应引起我国流体力学界重视,结合我国生产实际需要,将一部分科研力量转移到这个新的生长点上。      

复配表面活性剂对新型阻挡层抛光液抛光性能的影响

针对新型阻挡层抛光液存在Cu和正硅酸乙酯(TEOS)抛光速率一致性差、运输贮存过程中细菌滋生造成抛光表面缺陷的问题,选取脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)非离子表面活性剂和作为杀菌剂的阳离子表面活性剂十二烷基二甲基苄基氯化铵(DDBAC),通过复配2种表面活性剂研究其对Cu和TEOS抛光速率一致性以及杀菌效果的影响,并阐述相关的影响机制。实验结果表明：Cu和TEOS抛光速率随着复配表面活性剂体积分数的增加而降低,复配表面活性剂主要控制测量点到晶圆中心的距离为70～150 mm区域内的铜抛光速率,对于TEOS,复配表面活性剂主要控制0～70 mm区域内的铜抛光速率;复配表面活性剂体积分数的增加可同时提高Cu和TEOS抛光速率一致性,但高体积分数复配表面活性剂可造成表面划伤;DDBAC作为非氧化性的杀菌剂,具有较强的抗菌抑菌能力,可通过改变细菌膜通透性,使细菌裂解死亡,杀菌效果显著。     

Supply voltage scaled dependency of the recovery of single event upset in advanced complementary metal-oxide-semiconductor static random-access memory cells

Using the technology computer-aided design three-dimensional simulation, the supply voltage scaled dependency of the recovery of single event upset and charge collection in static random-access memory cells are investigated. It reveals that the recovery linear energy transfer threshold decreases with the supply voltage reducing, which is quite attractive to the dynamic voltage scaling and subthreshold circuits radiation-hardened design. Additionally, the effect of supply voltage on charge collection is also investigated. It is concluded that the supply voltage mainly affects the bipolar gain of parasitical bipolar junction transistor (BJT) and the existence of the source plays an important role in the supply voltage variation.     

New insight into the parasitic bipolar amplification effect in single event transient production

In this paper, a new method is proposed to study the mechanism of charge collection in single event transient (SET) production in 90 nm bulk complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. We find that different from the case in the pMOSFET, the parasitic bipolar amplification effect (bipolar effect) in the balanced inverter does not exist in the nMOSFET after the ion striking. The influence of the substrate process on the bipolar effect is also studied in the pMOSFET. We find that the bipolar effect can be effectively mitigated by a buried deep P⁺-well layer and can be removed by a buried SO₂ layer.