频率捷变雷达系统的电子抗干扰特性分析

在扼要地叙述频率捷变雷达系统的性能之后,讨论了这种系统的电子抗干扰一般特性,描述了频率捷变发射机。指出了系统对最佳电子抗干扰设计的实质,也讨论了干扰频率捷变雷达的原理相对不同程度干扰妾求而决定的干扰机的组成。最后,按现代信号处理的观点,讨论了机械调谐磁控管的电子抗干扰特性,并且得出结论:即使和先进的干扰机进行对抗时,用快速调谐磁控管精心设计的脉冲振荡波形,将具有很显著的电子抗干扰能力。     

在N型GaAs上Ni/Au-Ge合金膜的冶金和电学性能

本文介绍了一种复合薄膜合金特性的实验研究结果,这种复合膜通常用于GaAs的欧姆接触。为了较好地了解这种接触的合金性质和电学性能之间的联系,对淀积于N型外延GaAs上并用Ni薄膜复盖的共晶组成的Au-Ge层做了研究。在很宽的合金温度和合金时间范围内,测量了Ni/Au-Ge/GaAs系统的势垒能量Ψ_(Bn)和特征接触电阻。用俄歇电子频谱和扫描电子显微镜获得Ni/Au-Ge/GaAs系统的冶金性能。用俄歇频谱与在同一设备内溅射腐蚀相结合的方法,测定Ni/Au-Ge/GaAs接触在合金前后所有组份随深度的分布。在低于Au-Ge共熔温度下进行热处理的样品中,发现Ni迅速地穿过Au-Ge层,聚集在GaAs界面上,而且Ψ_(Bn)的有效值增加到Ni/GaAs肖特基二极管的数值。在高于Au-Ge共熔温度热处理的样品中,获得了欧姆接触性能,而且发现在GaAs界面存在Ni是获得均匀合金接触表面的原因。在所有合金温度和时间下,由于GaAs分解,总有Ga的外扩散和表面积累现象。Ga的外扩散似乎可以用非常低的激活能来表征。     

未来的光刻技术及设备

<正> 人们在预测未来微细光刻技术时,自然会有许多争论的余地吧!预测未来技术及其所用设备,并以这种预测为依据制定工作计划是不大可靠的。在这里如果对现状加以分析,我们就会知道,其中绝大部分已处于研究之中,本文选出一些难理解的问题分两个阶段(即最近三年和未来五年)加以论述。现状:三种光刻技术实际用于生产中的光刻技术如表一,表中给出了设计规则,实际使用指标和各种光刻方式的技术极限。     

光纤传输再生中继器链内定时抖动的积累

提出了一种关于光纤传输再生中继器链中定时抖动累积的理论。在每一个中继器中是以相位锁定环路(PLL)作为定时电路模型的。在链内任一个中继器的定时抖动和校准误差的频响是用各种系统参量表达的。用计算机模拟获得的结果与理论值极好地吻合。     

现代飞机使用的平视显示器

综 述:我想不少人认为电子式显示器是航空领域里的一项崭新的革新。其实,最初的电子式显示器就是早期的雷达显示器,曾在二次大战期间就使用了。令人惊讶的是,平视显示器(HUD)同样也在二次大战中使用过。不过当时的HUD是电子机械式的,而且在显示信息量方面受到极大限制。 首先人们要问:什么是HUD?简单的回答是,HUD是在驾驶员观察飞机前方外界的同时能给他提供信息的一种装置,信息显示在驾驶员正常视场内无限远处。     

陶瓷芯片载体——一种封装新标准

文章分为两部分,在第一部分中,作者研究了芯片载体的一些使用方法,调查了有关的实际工艺。     

CO_2在与高振动激发NaH碰撞中的量子态分辨能量再分配

利用简并受激超拉曼泵浦激发NaH基态到高位振动态(ν″=14,J″=20)。研究了NaH(14,20)与CO_2(00°0)间的振转能量转移。利用吸收系数和瞬时Doppler线宽,得到不同池温下NaH(14,20)分子密度,测量CO_2(00°0,J)与NaH高振动态碰撞前后的瞬时泛频激光感应荧光谱线的相对强度,确定了CO_2(00°0,J=2~80)的初生态布居,它们呈现双指数转动分布。拟合实验数据得到两个转动温度T_(rot)=(650±80)和(1 531±150)K。较冷的分布约占CO_2(00°0)的79%,它是由弹性或弱非弹性碰撞产生的,因而CO_2只有很小的转动激发。另有21%的CO_2(00°0)较大地增加了转动能,故有较热的转动温度。对碰撞产生的CO_2(00°0,J)进行高分辨率瞬时泛频荧光谱线的轮廓测量,得到各转动态平移能的改变。对于CO_2(00°0,J=56~80),转移能从582cm~(-1)(对于J=60)增加到2 973cm~(-1)(对于J=80)。探测转动态布居数的改变,得到各转动态的产生速率系数k_(app)~J之和为(7.2±1.8)×10~(-10) cm~3·mol~(-1)·s~(-1),而平均倒空速率系数〈kdep〉=(6.9±1.7)×10~(-10)cm~3·mol~(-1)·s~(-1)。     

中性及其带电Cu_n(n=12-16)团簇体系的几何和电子结构的密度泛函理论研究

结合半经验Gupta原子间相互作用势及遗传算法,采用密度泛函方法系统计算研究了中性及带电Cu_n、Cu_n~±(n=12-16)团簇的基态与低激发态的几何结构与电子结构.结果表明:带电明显影响团簇结构稳定性,除Cu_(12)~-及Cu_(15)~+基态结构与相应中性团簇(Cu_(12)及Cu_(15)一致外,其它带电团簇基态结构与相应中性团簇均不相同;带电对团簇近基态同分异构现象也产生影响,全部带正电Cu_n~+(n=12-16)团簇均出现近基态同分异构体,而对中性及带负电团簇同分异构现象并不明显;计算所得Cu_n(n=12-16)团簇的电子离化能、电子亲和势及能隙的变化趋势均与实验结果相一致.     

质子化4，4＇-联吡啶盐与二苯并-24-冠-8的包合行为

通过^1HNMR,ESI—MS,紫外-可见光谱等分析手段研究了两个新的质子化联吡啶盐客体与冠醚二苯并-24-冠-8在溶液中和气态下的包合行为．研究结果表明,质了化的联吡啶盐与冠醚主要形成1：1的超分子包合物,且存在夹心式的几何结构,双质子化的联吡啶盐比单质子化的联吡啶盐具有更强的结合冠醚的能力,其缔合常数分别为200,116L&#183;mol^-1．     

硫代磺酸酯和磺酰卤的绿色合成研究

利用2-碘酰基苯甲酸(IBX)的氧化作用,在四丁基溴化铵(TBAB)作为添加剂的条件下,硫酚、硫醇类化合物在室温快速反应生成相应的硫代磺酸酯类化合物,共获得了11个硫代磺酸酯,产率为54%～83%;而该氧化体系在加入浓盐酸(w=36%)或浓氢溴酸(w=46%)的条件下,硫酚或硫醇均顺利被氧化卤代成相应的磺酰氯或磺酰溴,分别获得了11个磺酰氯和11个磺酰溴产物,产率为62%～84%.这两种体系都简单、高效,使用了绿色氧化剂和溶剂、具有处理简单、条件温和等优点,所有合成产物均经¹H NMR、¹³C NMR结构确证.