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使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)法对GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量进行分析.实验结果表明:采用该技术生长的Ga极性GaN外延薄膜中的晶体表面残留Ga滴密度大大降低,GaN外延薄膜的表面形貌得到改善,其均方根粗糙度(RMS)由3nm降低为0.6nm,同时XRD双晶摇摆曲线测试的结果表明,GaN外延层的晶格质量也得到改善. 相似文献
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本文从大学生电子大赛出发,通过对高频电子线路课程内容的阐述,以及对近年来大学生电子大赛题目中涉及的高频电子线路知识的探讨,体现出了高频电子线路知识在大学生电子设计大赛中的广泛应用。 相似文献
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Excel中的数据分析功能十分强大,可以对数据进行分析得出数据的来源属于哪类分布,进而对数据进行哪一分布的拟合,为我们对实际模型进行决策分析。就实际决策模型而盲,努力获得具有代表性的数据样本是非常重要的。 相似文献
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介绍了衍射微透镜阵列的设计原理与制作工艺方法,在此基础上研制出适用于 3~5 μm波长256×256 PtSi红外焦平面的 8相位 256×256硅衍射微透镜阵列,阵列中微透镜的孔径为 50μm,透镜 F数为 f/2.5,微透镜阵列的中心距为 50μm。实测衍射效率大于 80%,能在红外波前传感器中较好应用。 相似文献
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平顶绿光晶化制备多晶硅薄膜 总被引:3,自引:1,他引:3
利用倍频Nd∶YAG激光器使玻璃基底上沉积的非晶硅薄膜成功实现了晶化.YAG激光器的倍频绿光经蝇眼透镜阵列整形后得到一光强均匀分布的平顶光束,并用此光束对非晶硅薄膜进行扫描晶化处理.分别测量了激光晶化前后薄膜的拉曼谱和表面形貌.测量结果表明,非晶硅实现了到多晶硅的相变,且晶化处理后表面起伏度明显增大.根据拉曼谱的数据计算了不同激光能量密度下薄膜的粒度大小和结晶度.结果表明,在一定能量密度(400~850 mJcm2)范围内,结晶膜的晶粒粒度和结晶度随激光能量密度升高而增大.然而能量密度大于1000 mJ/cm2后,检测不到明显的多晶硅特征峰.激光能量密度在850 mJ/cm2左右可得到最佳晶化效果. 相似文献
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