三(2-羟基-苯甲醛)乙醇胺三足配体汞(Hg)配合物的合成、结构及其与DNA相互作用的研究

合成了基于邻羟基苯甲醛的三足配体Tris[(p-hydroxybenzaldehyde)ethyl]amine(L),得到了该配体与汞的配合物,应用单晶X射线衍射技术测定了配体及其汞配合物的结构;应用用紫外吸收光谱、荧光光谱和粘度测定研究该配合物与小牛胸腺DNA的作用。结果表明,该配合物与小牛胸腺DNA以插入的方式相结合。     

影视调色技术在短视频中的应用

随着短视频成为人们生活娱乐中不可或缺的组成部分,短视频行业面临的竞争也愈演愈烈。越来越多的短视频创作者利用数字调色技术对画面修饰,并创造风格,提升短视频的画面表现力,帮助短视频进行更好的叙事,使观众更好地走入视频内容。此外,伴随着4K、HDR等新技术的产生,短视频调色进一步迎来了新的机遇与挑战。     

基于多层次模糊关联算法的通用航空产业知识挖掘研究

为挖掘通用航空产业领域知识的类型与发展规律,明确产业规划、推动产业健康发展,利用采集的3869份通用航空产业主题相关的网页资料,根据主题信息的关键词对通用航空产业领域知识进行分类,并基于多层次模糊关联算法进行知识挖掘分析.结果表明,通用航空产业领域知识中的通用航空产业主体与通用航空产业产品存在着紧密的联系和规则,而且采...     

一种新型基片集成波导带通滤波器的设计

基片集成波导是一种具有低差损、低辐射、高品质因数的新型平面导波结构．文中利用基片集成波导结构设计并制作了一种工作于X波段的带通滤波器,该滤波器易与其它微波平面电路集成．实测结果表明,该滤波器的中心频率是9.75 GHz,相对带宽是15.4％,通带内反射系数均小于-15 dB,插入损耗均优于1.5 dB,与仿真结果基本吻合,验证了设计方法的正确性．     

均匀液滴尺寸及间距的实验研究

液滴发生器产生液滴的尺寸和间距影响液滴层的辐射和蒸发特性,液滴尺寸及间距的可控性值得重点关注。根据Weber的射流不稳定修正方程,确定了均匀液滴流产生的无量纲波数及扰动频率范围,结合射流质量守恒,分析了均匀液滴流中液滴的尺寸和间距与无量纲波数的关系。在不同喷孔直径和射流压力下,对理论和实验结果进行了对比,验证了液滴尺寸和液滴间距的理论计算结果,为液滴层辐射蒸发特性的研究提供了依据。     

气相色谱法测定乙酸阿比特龙中1,1,3,3-四甲基胍

建立气相色谱测定乙酸阿比特龙原料药中1,1,3,3-四甲基胍的方法。选择乙酸乙酯为溶剂溶解样品，以安捷伦CP-Volamine毛细管柱（30 m×0.32 mm,0.45μm）作为分离色谱柱，采用氢火焰离子化检测器（FID）进行检测，外标法定量分析。1,1,3,3-四甲基胍的质量浓度在10.22～204.38μg/mL范围内与色谱峰面积线性关系良好，相关系数为0.999 4，定量限为10.22μg/mL。样品加标回收率为97.9%～113.7%,9份样品测定结果的相对标准偏差为5.0%。该方法操作简单，可用于乙酸阿比特龙原料中1,1,3,3-四甲基胍的测定。     

基于普通F-Theta透镜与远心F-Theta透镜的晶圆标识工艺的研究

为研究聚焦系统对晶圆标识工艺的影响，搭建以1 066 nm的声光调Q脉冲光纤激光器为光源，分别使用普通F-Theta透镜和远心F-Theta透镜的晶圆激光打标系统，使用相同的工艺参数分别在晶圆表面进行点阵标识，研究两种聚焦系统下晶圆的烧蚀阈值、离焦效果和点的形貌。采用白光干涉仪对晶圆标识区域的三维形貌进行评估，研究发现普通F-Theta透镜与远心F-Theta透镜对晶圆的烧蚀阈值的影响区别不大。在离焦效果方面，普通F-Theta透镜随着离焦量增加，标识点直径逐渐变小；而远心F-Theta透镜随着离焦量增加，标识点直径先增大后减小。在打标范围内的标识质量方面，两者在打标范围中心的标识质量基本相当，离中心越远，远心透镜也未能表现出更好的标识形貌。     

硅晶圆激光标识工艺的研究

聚焦开发清晰、无飞溅、无碎屑且深度满足半导体晶圆后道加工工序要求的激光标识工艺，实现清晰可辨、高洁净度的硅晶圆激光标识。采用波长532 nm的激光器研究平均功率、脉冲重复频率和扫描速度等激光工艺参数对晶圆标识质量的影响，借助目视、显微镜和白光干涉三维轮廓仪来评估标识码的清晰程度、标识点的深浅程度和隆起高度以及热影响区。研究表明，在低脉冲频率小于50 kHz时，随着平均功率的上升，标识码的清晰度逐渐增加，但是硅渣的数量及其分布区域增大；在高脉冲频率大于60 kHz时，平均功率增加对标识码清晰度的影响及硅渣数量和分布区域的变化没有低频段表现明显。在平均功率为20%,脉冲重复频率为60～80 kHz,扫描速度为2 500～3 500 mm·s^-1的工艺窗口内可以优化参数组合，在硅晶圆上实现清晰可辨、无飞溅和碎屑污染，字体深度为0.5～5μm并且隆起小于1μm的激光标识。     

基于1066 nm光纤激光对裸硅晶圆与镀膜晶圆的标识工艺研究

针对SEMI标准对12寸(约300 mm)薄晶圆标识的要求，采用1 066 nm光纤激光晶圆标识系统对裸硅晶圆与镀膜晶圆进行激光标识工艺的研究。通过控制变量法改变激光器的功率百分比，分别在两种晶圆上标记Dot样式的SEMI字体，并对标识的质量和识读率进行评估。研究发现，裸硅晶圆标识从无到有，甚至到严重溅射对应的激光功率范围是11.77～19.25 W,镀膜后的硅晶圆对应的功率范围是4.40～11.77 W。在裸硅晶圆上标识的Dot形貌更符合SEMI标准要求。镀膜后的晶圆熔融阈值变小，但是工艺窗口变窄，标识字符和条码Dot圆度较差，飞溅不易控制。两种晶圆OCR的识读率差异不大。     

355 nm紫外激光在硅晶圆上标识二维码的工艺研究

利用紫外纳秒标识系统对硅晶圆表面进行二维码直接标识试验研究。采用控制变量法，分别研究不同的脉冲占空比、重复频率、光斑重叠率对标识材料的热损伤、表面形貌以及二维码识读效果的影响规律。研究结果表明，脉冲占空比和重复频率对标识区域的环宽和热损伤影响效果明显，二维码的读取率和识读时间同时受占空比、重复频率、光斑重叠率影响。单脉冲能量在10.7～20μJ范围内可以标识出符合SEMI标准的均匀、细腻、稳定、高识读率的无尘标识。