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61.
采用LMTO能带方法,对两种不同应变状态下(自由形变和以InP为衬底),应变层超晶格(InAs)1(InP)1(001)和与应变层超晶格的分子层相对应的应变体材料,以及无应变的体材料进行了第一原理计算,并采用冻结势方法求出了两种超晶格各分子层的平均键能。结果表明,能存在应变的情况下,异质界面两边的平均键能非常一致,且这种一致性受应变状态的影响很小,因而可以把它用来作为确定应变层超晶格价带边不连续值(△Ev)的普遍适用的参考能级。研究了应变对
关键词: 相似文献
62.
本文从二元样条空间的理论出发,构造了一类新的差分格式,并利用它得到了一类自共轭椭圆型方程的样条解,并证明了这样的解的唯一性和收敛性问题.最后,给出了一个数值例子,说明了本方法是可行的. 相似文献
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64.
关于二元四次样条插值与逼近 总被引:4,自引:0,他引:4
文[1]中讨论了上的插值问题,其中的插值函数表达式用到被插值函数的二阶导数.本文进一步研究空间上的一类新的二元样条插值形式,其中仅用到插值函数的一阶导数.证明了该插值形式的唯一性与存在性,且不需要解高维的线性方程组.最后给出了逼近度问题. 相似文献
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70.
关于Szász-Mirakjan—Durrmeyer算子在Besov空间上的逼近阶 总被引:2,自引:0,他引:2
本文主要给出了Szasz-Mirakjan-Durrmeyer算子在Besov空间上逼近阶的特征刻划 相似文献