基于MC68HC908MR16的逆变器死区补偿技术

分析了MOTOROLA电动机驱动专用控制芯片MC68HC908MR16（MR16）的死区补偿机理，详细介绍了其死区补偿的硬件设计和实现过程。并给出了相应的软件实现方案，最后给出了逆变器中实现该死区补偿技术的实验波形。     

上海石化双速电机变频调速技术改造

介绍了应用变频调速技术对进口再割针梳机进行电气传动改造过程，简述了原双速电机调速系统所存在的问题，对原电气传动系统进行技术分析，提出应用变频调速技术设计变频调速系统来改造原双速电机调速系统，并通过实践说明进口设备通过变频技术改造，产生了明显的经济效益。     

Riesz空间中的极大不相交系和表示理论

设Ｅ是阿基米德Ｒｉｅｓｚ空间，有弱单位元ｅ和极大不相交系｛ｅｉ：ｉ∈Ｉ｝，其中每一个ｅｉ都是投影元素．由ｅｉ生成的主带记为Ｂ（ｅｉ）．本文考虑如下论述：（ａ）存在完全正则Ｈａｕｓｄｏｒｆ空间Ｘ，使Ｅ是Ｒｉｅｓｚ同构于Ｃ（Ｘ）；（ｂ）对每一个ｉ∈Ｉ，存在一个完全正则Ｈａｕｓｄｏｒｆ空间Ｘｉ使Ｂ（ｅｉ）是Ｒｉｅｓｚ同构于Ｃ（Ｘｉ）．我们证明（ａ）可推出（ｂ）．但其逆在一般情况下不成立．当（ｂ）成立时，我们得到一些与（ａ）等价的论述．     

高电容密度硅基MIS芯片电容北大核心CSCD

制备了一种3D结构的硅基金属-绝缘层-半导体(MIS)芯片电容,通过深孔结构增大了电容的有效电极面积,从而极大程度地提升了电容密度,在耐压70V下其电容密度高达20nF/mm2,是传统平面MIS电容的50倍,在-55~150℃内其温度系数小于1%。     

新型含吡啶酰胺基希夫碱多齿配体的合成,光谱,晶体结构及抑菌活性研究

采用稀释法与胺5倍过量合成了一种新型的含吡啶环的开链二胺1a（N，N′-双(2-氨基乙基)－2，6-吡啶二甲酰胺）。此外，合成了六个新型多齿希夫碱配体N，N′－双(β－R－苯甲醛亚胺基乙基)－2，6－吡啶二甲酰胺[其中，R=H(2a)，o-OH(2b)，p-OH(2c)，m-NO₂(2d)，p- N(CH₃)₂(2e)]及N，N′-双[γ-水杨醛亚胺基正丙基]－2，6－吡啶二甲酰胺2f。通过元素分析,紫外－可见光谱，红外光谱，氢核磁共振谱及质谱对化合物进行了表征。通过化合物2e的单晶结构X－射线单晶衍射分析表明该晶体属于立方晶系P－1空间群，其晶胞参数为：a=11.010(2) nm，b=13.865(3) nm，c=9.6537(19) nm，α=102.77(2)º，β=92.07(3)º，γ=87.98(3)º，V=1435.7(5) nm³，Z=2，D_c=1.230 mg•cm^-3，M_r=531.66。微量热法检测了化合物对大肠杆菌的抑制作用，并初步分析了化合物结构与抗菌活性之间的关系。实验结果表明，所有化合物都对大肠杆菌有抑制作用，其中水杨醛希夫碱的抑菌活性最好。     

基于(R)-1,1’-联萘硫脲的手性荧光受体: 合成与手性识别

Two chiral fluorescent receptors 1 and 2 based on (R)-1,1‘-binaphthylene-2,2‘-bisthiourea were synthesized, and their chiral recognition properties for enantiomeric mandelate anions were studied by fluorescence spectra and molecular modeling. Addition of the L- and D-mandelate anions caused considerable fluorescent increases in the fluorescent intensity of the host solution. The L-enantiomer can enhance the fluorescence intensity of 1 much more than the D-enantiomer can do, and 1 shows a better enantioselective recognition ability than 2.     

退火温度对La_(0.4)Nd_(0.1)Sr_(0.5)MnO_3薄膜结构及CMR的影响

利用射频磁控溅射法结合后退火工艺在LaAlO3(100)衬底上制备了La0.4Nd0.1Sr0.5MnO3(LNSMO)一系列薄膜样品。通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、光电子能谱(XPS)、四探针法对其结构及性质进行了测试。结果表明,薄膜在700～900℃温度区间退火形成单相的赝立方钙钛矿结构。退火温度不同导致薄膜中氧含量发生变化并且对晶粒的尺寸也有很大影响。经过850℃退火的薄膜样品,在室温300 K,磁场为1.5 T的条件下,磁电阻达到24.9%。