光电测量仪器中玻璃微珠反射板的研制

研制了高反射率的玻璃微珠,并制成了玻璃微珠反射板,可替代光电测量仪器中使用的普通平面反射镜。借助于玻璃微珠的正向反射特性,克服了普通平面反射镜由于环境振动导致反射镜振动引起的测量精度下降的缺陷,确保了在动态测量时光学系统的稳定性和测量的精确性。     

共沉淀法合成Cr3+∶Al2O3纳米粉体及其发光性能研究

NH₄MO(OH)HCO₃(M=Al³⁺， Cr³⁺) precursors were synthesized by a co-precipition method with the solutions of mixed nitrates as starting materials and ammonium bicarbonate as precipitator. The precursors and powders sintered at various temperatures were characterized by thermogravimetry/differential thermal analysis(TG/DTA)， infrared spectroscopy(IR)， X-ray diffractormetry(XRD)， transmittion electron microscopy(TEM). The luminescent spectra of Cr³⁺∶Al₂O₃ nano-powder was measured. The XRD results show that the pure-α-Al₂O₃ phase can be obtained at 1 200 ℃. TEM analysis indicates that the nano-powders about 20～30 nm are well-dispersed and less-aggregated. Spectral analysis demonstrates that the sample has good photoluminescence.     

SrHfO3：Ce纳米粉体与陶瓷的发光特性研究

采用共沉淀法制备了Sr0.99Ce0.01HfO3纳米粉体，采用常压烧结工艺制备了Sr0.99Ce0.01HfO3陶瓷材料，烧结温度和烧结时间分别为1600℃和4h。采用XRD，SEM，TEM等手段表征了粉体和陶瓷样品，讨论了材料的激发光谱和发射光谱。Sr0.99Ce0.01HfO3纳米粉体的激发光谱由2个激发峰构成，峰值分别位于216和309nm；220nm激发的粉体的发射光谱主要由两个发光谱带组成，其峰值分别是398和467nm，分别对应5d→^2F，2和5d→^2F7/2发光跃迁。而309nm激发的粉体的发射光谱只有一个宽带发射峰，峰值位于392nm。Sr0.99Ce0.01HfO3陶瓷样品的激发光谱由一个宽带激发峰构成，峰值位于312nm；发射光谱由一个宽带发射峰构成，峰值位于402nm。     

建立液晶方向特色学科的研究与实践

近年来我国液晶面板生产能力的大幅提升,使国内各大液晶面板企业面临人才匮乏的问题.而高等院校相关专业开设少、培养规模小.面对这种情况,长春理工大学依托现有材料化学专业,调整课程设置,开设液晶材料方向,同时结合企业实际生产与需求设计实验课程与定向实习等有效措施.使液晶材料专业培养的学生受到大型液晶面板企业的青睐,提高了学生就业率高.本文就国内液晶面板企业的现状及长春理工大学在液晶材料专业的建设上取得的经验加以介绍以供借签.     

CaAl2O4:Eu2+,Nd3+纳米粉体的合成与发光性质

采用溶胶-凝胶法制备了CaAlO4：Eu^2＋,Nd^3＋纳米粉体发光材料。利用DTA,TG,XRD,SEM,光谱分析等手段对样品进行了结构和性能分析。实验结果表明,800℃烧结的样品形成已CaAl2O4晶相,样品平均晶粒尺寸为20～40nm,与CaAlO4：Eu^2＋,Nd^3＋粗晶材料相比,样品的发光光谱发生了“蓝移”,热释光峰值向高温移动了96℃,且曲线形状变宽,发光衰减是由初始的快衰减和随后的慢衰减构成,发光余辉时间5h。     

Sr2Si5N8∶Eu2+荧光粉的制备与发光性能

以α-Si₃N₄,SrCO₃,Eu₂O₃为原料,采用碳热还原氮化法制备了Sr₂Si₅N₈∶Eu²⁺荧光粉。研究了材料的结构与光谱特性,分析了影响材料发光性能的工艺因素。结果表明,石墨粉含量和助熔剂的用量对Sr₂Si₅N₈相的形成和发光性能有重要影响。当n_C/n_Sr=1.5,助熔剂用量为4wt%时,合成样品的主晶相为正交晶系Sr₂Si₅N₈,在400~550 nm可见光激发下,可发射峰值波长位于609 nm荧光。激发带的位置与Eu²⁺离子浓度无关,为400~550 nm之间的宽带激发;但发射强度随Eu²⁺离子浓度的增加而增加,Eu²⁺离子浓度达到5mol%时发射强度达最大值,在Eu²⁺离子浓度为2mol%~5mol%之间,观察到发射峰的红移现象。     

石英玻璃衬底上纤锌矿Mg0.25Zn0.75O薄膜的结构及光学性能

Mg_xZn_1-xO材料是一种新型光电功能材料.采用溶胶凝胶法在石英玻璃上制备了Mg_0.25Zn_0.75O薄膜,理论结合实验研究了Mg_0.25Zn_0.75O薄膜的结构和光学性能.研究表明,石英玻璃衬底上Mg_0.25Zn_0.75O薄膜呈六方纤锌矿结构,薄膜均匀,平均粒径约为20nm.吸收光谱表明吸收带边始于3 关键词： 0.25Zn_0.75O薄膜')" href="#">Mg_0.25Zn_0.75O薄膜 溶胶凝胶法 石英玻璃衬底 紫外发光     

存储型上转换发光材料CaS∶Eu,Sm的发光机理研究

采用低温燃烧合成(LCS)法制备了存储型上转换发光材料CaS∶Eu,Sm,并对其上转换发光机理进行了研究.研究表明:样品的激发光谱位于200～600nm之间,紫外或可见光均可有效地激发该材料来完成充能过程,且可见光激发占优势;样品的红外响应光谱范围为800～1600nm,由辅助激活离子Sm所形成的劈裂的深陷阱能级是该材料具有宽频谱红外转换特性的根本原因;样品的热释光谱高温峰值位于351.02℃,计算得到的陷阱能级深度为0.82eV,深度适中,利于激发能的储存和上转换发光的产生.     

Si(100)衬底上Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜的结构及光学性能

采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜,研究了Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜的结构和光学性能。结果表明,Si(100)衬底上Mg_(0.33)Zn_(0.67)O薄膜呈六方纤锌矿结构,薄膜沿c方向取向生长,且c轴方向晶格增大0.03 nm。薄膜呈现优异的半导体特性,激子吸收峰位于297 nm,禁带宽度约为4.3 eV。薄膜平均粒径约为20 nm。薄膜在深紫外激发下的荧光发射位于368 nm。     

石英玻璃衬底上纤锌矿Mg0.25Zn0.75O薄膜的结构及光学性能

MgxZn1-xO材料是一种新型光电功能材料.采用溶胶凝胶法在石英玻璃上制备了Mg0.25Zn0.75O薄膜,理论结合实验研究了Mg0.25Zn0.75O薄膜的结构和光学性能.研究表明,石英玻璃衬底上Mg0.25Zn0.75O薄膜呈六方纤锌矿结构,薄膜均匀,平均粒径约为20 nm.吸收光谱表明吸收带边始于360 nm,相应的禁带宽度为3.83 eV.发光光谱包含三个发射峰,分别位于384.9 nm(3.23 eV),444.8 nm(2.79 eV)和533.6 nm(2.32 eV),激发光谱峰位于378 nm.由于Mg离子的间隙缺陷导致Mg0.25Zn0.75O薄膜晶格增大,禁带宽度变宽,紫外、蓝光和绿光发射分别红移59,14和12.6 nm.