首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1611篇
  免费   218篇
  国内免费   175篇
化学   318篇
晶体学   16篇
力学   51篇
综合类   26篇
数学   147篇
物理学   285篇
无线电   1161篇
  2024年   7篇
  2023年   46篇
  2022年   39篇
  2021年   46篇
  2020年   52篇
  2019年   32篇
  2018年   32篇
  2017年   36篇
  2016年   31篇
  2015年   36篇
  2014年   95篇
  2013年   79篇
  2012年   105篇
  2011年   68篇
  2010年   89篇
  2009年   100篇
  2008年   87篇
  2007年   91篇
  2006年   93篇
  2005年   105篇
  2004年   97篇
  2003年   91篇
  2002年   73篇
  2001年   59篇
  2000年   49篇
  1999年   42篇
  1998年   34篇
  1997年   43篇
  1996年   27篇
  1995年   19篇
  1994年   21篇
  1993年   32篇
  1992年   12篇
  1991年   17篇
  1990年   25篇
  1989年   17篇
  1988年   12篇
  1987年   8篇
  1986年   6篇
  1985年   8篇
  1984年   4篇
  1983年   12篇
  1982年   11篇
  1981年   11篇
  1980年   1篇
  1964年   1篇
  1958年   2篇
  1957年   1篇
排序方式: 共有2004条查询结果,搜索用时 15 毫秒
151.
<正>本工作主要从事高温栅离子注入全平面工艺的研究,并应用此技术设计和制备了具有良好性能的耗尽型GaAs MESFET和GaAs运算放大器差分输入电路.80年代初期,由于离子注入、干法技术的发展、高温栅离子注入全平面工艺逐渐取代了传统的凹栅工艺,成为更有前途的GaAs MESFET集成电路技术.该工艺通过直接在半绝缘衬底上注入和退火的方法,形成有源层和n~+层;以高温栅取代传统的A1栅和其它低温栅,并引进干法刻蚀技术取代传统的“剥离”技术;同时以高温栅为掩蔽,自对准注入n~+层.离子注入形成的有源层,具有更好的均匀性;通过调整注入剂量和能量,来调整MESFET夹断电压,更具灵活性,易控制,精度高.同时,以栅为掩蔽自对准注入n~+层,大大减小了串联电阻;整个电路制作在同一平面上,克服了凹栅工艺布线成品率较低的问题.整个电路一致性、均匀性都较好,成品率也大幅度提高.  相似文献   
152.
153.
综合业务数字网及宽带网、ATM是目前通信人热衷于谈论的话题,人们把通信发展的美好明天都寄托在宽带网上,宽带ATM网络的实现给我们带来了无限的想象空间,同时也使我们今天的通信手段和能力大大加强,本文将对这三个网络的概念和关系作一简要陈述。  相似文献   
154.
美国经典的Hi—Fnd音响品牌麦景图(McIntosh)自1949年成立以来至今已有60多年的历史.在这60多年中几乎每年都有新产品出现.其研发速度非一般厂家可比。麦景图拥有强大的研发团队.不仅大量进行新产品的创新.而且不时对经典的老产品进行复刻改良.因此我们时时可以看到麦景图的新机出现。  相似文献   
155.
文章概述了建立印制电子电路工业园的重要意义与好处。其优点主要有两个方面——改善“节能减排”和促进“技术创新”发展。  相似文献   
156.
文章概述了在“绿色生产”的挑战下,最佳方案是采用“工业园区”和“技术革命”的道路。从“节能减排”和“制造过程”等角度看,喷墨打印技术/印制电子技术是最有前途的。  相似文献   
157.
高倍显微物镜的激光束聚焦分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文分析了高倍显微物镜的激光聚焦特性,导出聚焦光束束腰位置及光斑尺寸的计算公式,并以一典型阿米西物镜为例,给出了计算结果。  相似文献   
158.
159.
采用纳秒激光光解技术研究了含冠醚螺吡喃化合物(简称BN-BIPS)的光致变色过程.结果表明:BN-BIPS是经一激发单线态生成醌式结构的部花菁B;在乙腈溶液中,激发生成的部花菁B的瞬态吸收有较明显的衰减,同时440 nm左右有新的瞬态吸收生成;当在BN-BIPS的乙腈溶液中加入高氯酸钠后,激发生成的部花菁B的瞬态吸收衰减加快, 440 nm左右的瞬态吸收生成也同步加快.但在BN-BIPS相对应的不含冠醚的螺吡喃BIPS中,未观察到异构体C的生成.  相似文献   
160.
介绍了等离子体选址液晶显示的研发历史、主要特点、基本原理和制造工艺,对其中一些关键技术和问题进行了讨论,最后分析了其应用市场。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号