GaAs高温栅全平面离子注入技术研究及运算放大器差分输入电路的实现

<正>本工作主要从事高温栅离子注入全平面工艺的研究,并应用此技术设计和制备了具有良好性能的耗尽型GaAs MESFET和GaAs运算放大器差分输入电路.80年代初期,由于离子注入、干法技术的发展、高温栅离子注入全平面工艺逐渐取代了传统的凹栅工艺,成为更有前途的GaAs MESFET集成电路技术.该工艺通过直接在半绝缘衬底上注入和退火的方法,形成有源层和n~+层;以高温栅取代传统的A1栅和其它低温栅,并引进干法刻蚀技术取代传统的“剥离”技术;同时以高温栅为掩蔽,自对准注入n~+层.离子注入形成的有源层,具有更好的均匀性;通过调整注入剂量和能量,来调整MESFET夹断电压,更具灵活性,易控制,精度高.同时,以栅为掩蔽自对准注入n~+层,大大减小了串联电阻;整个电路制作在同一平面上,克服了凹栅工艺布线成品率较低的问题.整个电路一致性、均匀性都较好,成品率也大幅度提高.     

关于印制电子电路工业园

文章概述了建立印制电子电路工业园的重要意义与好处。其优点主要有两个方面——改善“节能减排”和促进“技术创新”发展。     

PCB工业“绿色生产”的好形式——建立电子电路“工业园区”的启示

文章概述了在“绿色生产”的挑战下，最佳方案是采用“工业园区”和“技术革命”的道路。从“节能减排”和“制造过程”等角度看，喷墨打印技术／印制电子技术是最有前途的。     

高倍显微物镜的激光束聚焦分析

本文分析了高倍显微物镜的激光聚焦特性,导出聚焦光束束腰位置及光斑尺寸的计算公式,并以一典型阿米西物镜为例,给出了计算结果。     

污染不可转移意识--环保意识与治理（2）

文章概述了在环境保护和政府行政等原因形成的有围绕企业的“搬迁”问题。在有污染企业的“搬迁”中，要防止污染转移和分散的做法，更要防止污染水源的更严重后果!     

PCB的低介电性能要求与发展

文章概述了PcB中介质性能对信号传输性能的影响。低介质性能的主体方向是降低增强材料和“复合”增强材料。     

PCB用高频（毫米波）材料与技术概述

文章概述了商用毫米波PCB材料的选择与技术。目前,商用微波设计走向毫米波体系并强烈要求薄型、高性能的基板材料。     

在PCB中埋置有源元件

摘要文章概述了埋置有源元件的重要意义和主要埋嵌方法。它较详细地评述了三种埋嵌有源元件方法——“先”埋嵌有源元件、“中间”埋嵌有源元件和“最后”埋嵌有源元件,而“最后”埋嵌有源元件是较好的方法。文章提供了“最后”埋置有源元件的样品与效果。     

对称四甲基取代六元瓜环对醋酸地塞米松的增溶作用

利用微孔滤膜分离方法研究了对称四甲基取代六元瓜环(TMeQ[6])对醋酸地塞米松的增溶作用,并利用差热分析法(DTA)分析TMeQ[6]和醋酸地塞米松的包结物。结果表明,TMeQ[6]对醋酸地塞米松有一定的增溶作用,随TMeQ[6]浓度增大,醋酸地塞米松的溶解度呈增大趋势,当TMeQ[6]浓度从0.04mmol/L提高至0.28mmol/L增溶倍数可达4～17倍;当温度从10℃升至70℃,增溶倍数先下降然后趋于稳定。同时,还利用共溶剂法制备了TMeQ[6]与醋酸地塞米松的固体包结物,并对其主客体作用进行了DTA研究。     

射频MEMS压控电容器

研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶ 1