0.12mm不锈钢薄板光纤激光回转法打孔工艺优化分析

利用光纤激光加工系统对厚度为0.12mm的SUS304材料进行回转法打孔。通过正交实验方法分析了激光功率比、占空比、切割速度、重复频率、辅助气压等参数对打孔质量的影响。实验结果表明,激光打孔工艺最优参数组合是:切割速度为12mm/s,占空比为8%,重复频率为1.5kHz,功率比为85%,辅助气压为0.8MPa。在此优化参数下得到的最小打孔锥度为0.05°,且微小孔边缘热影响区较小,孔真圆度较好,可以保证较高的打孔质量。     

一种低功耗4H-SiCIGBT的仿真研究

针对传统沟槽栅4H-SiC IGBT关断时间长且关断能量损耗高的问题,文中利用Silvaco TCAD设计并仿真了一种新型沟槽栅4H-SiC IGBT结构.通过在传统沟槽栅4H-SiC IGBT结构基础上进行改进,在N+缓冲层中引入两组高掺杂浓度P区和N区,提高了N+缓冲层施主浓度,折中了器件正向压降与关断能量损耗.在...     

一种具有低寿命区的阳极短路4H-SiCIGBT仿真研究

传统沟槽型4H-SiC IGBT中关断损耗较大,导通压降和关断损耗难以折中.针对此问题,文中提出了发射极区域含有低寿命区,同时集电区引入阶梯型集电极的LS-IGBT结构来降低器件的关断损耗.通过同时控制集电区注入的空穴载流子数量和P基区载流子的寿命,在基本维持器件击穿电压的前提下降低器件的关断损耗.使用Silvaco ...     

一种具有低寿命区的阳极短路4H-SiC IGBT仿真研究

传统沟槽型4H-SiC IGBT中关断损耗较大,导通压降和关断损耗难以折中。针对此问题,文中提出了发射极区域含有低寿命区,同时集电区引入阶梯型集电极的LS-IGBT结构来降低器件的关断损耗。通过同时控制集电区注入的空穴载流子数量和P基区载流子的寿命,在基本维持器件击穿电压的前提下降低器件的关断损耗。使用Silvaco Atlas器件仿真工具对改进结构进行特性仿真分析,并与传统结构进行对比。仿真结果显示,在击穿电压一致的前提下,新结构的关断损耗提升了84.5 %,同时器件的导通压降降低了8.3 %,证明了设计思想的正确性。     

知识分子：一个概念的社会学考评—— 基于“德雷福斯事件”的话语权分析

人文知识分子从未停止过剖析自我,对“镜中我”以及人性、意识形态问题的研究。在既有研究领域,知识分子对自身思想活动以及群体内部系统不断批判与反思,从微观侧面也反映出社会文化变迁在知识再生产领域的投影。从方法论上来说,知识分子群体的自我定义总是存在着价值预设,且这一预设所带来的自我评价总存在误区。在人类社会史发展的各个时期,伴随着知识分子群体自身的不断发展,其自我命名的具体含义也有所改变。在同一历史时期知识分子内部也分化为不同的次级群体。群体内部的自我命名所指涉的含义仍有所不同。     

高效液相核磁共振仪联用技术及微量探头技术在天然产物分析中的应用

以下工作在VARIAN公司的INOVA 500 MHz仪器上完成，使用了高灵敏度的LC-NMR联用探 头及先进的WET脉冲序列进行溶剂峰压制. 通过运用高效液相-核磁共振仪联用技术及微量探头技术对几个天然产物混合物进行分析，展示了高效液相-核磁共振联用（HPLC-NMR）技术及微量探头技术在天然产物分析中的优势，既高效，快速，微量. 二者结合使用，使得用NMR技术分析天然产物混合物变得切实可行.     

大型国企信息系统开发团队模式探讨

由于大型国企从业人员多、结构复杂,造成信息系统必须按照先分布再集中地形式进行建设,每一个基层单位的信息化建设进度都会影响到整个企业的建设步伐。在信息系统建设中需要更多考虑建设模式、方式方法。敏捷开发模式是近些年应用开发行业推出的一种信息系统开发模式,是一种以人为核心、迭代、循序渐进的开发方法。本文对利用这种开发模式完善大型国企信息开发团队以提升信息系统建设步伐做了探讨。     

衬底温度对ZnMgO薄膜结构和光致发光性能的影响

利用超声喷雾热解方法以不同的沉积温度(450～550 ℃)在石英衬底上制备出一系列ZnMgO薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光谱(PL)表征了样品的晶体结构、表面形貌和光学性能。结果表明衬底温度对薄膜结构性能和光学特性影响显著。所有薄膜都呈六角纤锌矿多晶结构,其中在530 ℃条件下制备的样品C轴择优最明显,晶粒尺寸均匀,表面形貌平整,结晶质量最好。薄膜的光致发光谱显示随着温度的升高深能级跃迁范围逐渐减小,近紫外带边发光峰逐步出现。衬底温度为530 ℃时在374.5 nm处出现了明显的近紫外发光峰,且几乎没有明显的深能级跃迁出现。     

云时代机房绿色改造方法探索

能源消耗问题已经成为制约数据中心发展的关键因素之一,对于设备高密集的云计算中心这一问题更加严重,建设绿色云计算中心是云计算发展的必然趋势,然而对现实工作中大多数数据中心,投资建设新的绿色机房是费时费力的一项工作,同时还会严重影响现有系统的正常运行。本着实用主义至上的原则,对现有机房进行绿色改造,在不影响正常业务的有序开展情况下循序渐进的降低能源消耗和环境影响,这种做法不失为一种比较现实的方法。文中围绕本单位机房改造工作过程,对传统机房绿色改造方法进行探索,提出了一些看法和建议。     

一种具有N埋层的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

为了进一步提高GaN HEMT器件的击穿电压,并保持低的导通电阻,文中提出了一种具有N型GaN埋层的AlGaN/GaN HEMT.该埋层通过调整器件的电场分布,降低了高场区的电场峰值,从而降低器件关断时的泄漏电流.该埋层使得栅漏之间的横向沟道电场分布更加均匀,提高了器件的击穿电压.通过Sentaurus TCAD仿真发...