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81.
Double-layered, low-voltage ZnO varistors have been fabricated by feeding two kinds of ZnO powders into a die using dry extrusion molding. Compared with ZnO varistors fabricated by the conventional route, the layered ZnO varistors have larger non-linear coefficients, lower breakdown electric fields, and lower leakage current densities. The improvement in electrical performance of the layered low-voltage ZnO varistors is attributed to the asymmetric band structure at grain boundary between the two layers. 相似文献
82.
一种新型无机传热元件 总被引:1,自引:0,他引:1
随着电子设备的结构越来越紧凑,组装密度越来越高,功耗越来越大,设备的散热问题越来越严重,传统的热设计技术已很难满足其要求,应积极跟踪并应用新的热设计技术,以满足现代电子设备的发展需要.对一种新型无机传热元件的工作原理进行了详细说明,对其传热效果进行了验证,给出了应用实例,可供从事军用电子设备研制的设计人员参考.该传热元件能有效解决大功率设备和密封设备的散热问题,从而确保设备工作的稳定性,提高其可靠性. 相似文献
83.
85.
提出了一种新型的方形腔耦合金属波导结构,该结构由两个相互平行的矩形金属波导和一个内嵌可连通的方形谐振腔构成。利用方形谐振腔局域表面等离子体实现带阻滤波特性,并通过多路复用实现双端口全光等离子体开关。采用时域有限差分方法(FDTD)研究了方形腔的边长、折射率和谐振距离对强透射特性的影响。结果表明,基于方形腔耦合金属波导结构的光开关在工作中具有较好的阻带特性和透射特性,其最大透射率可达92%,最小阻带透射率达0.2%,工作波长范围为607~785nm。 相似文献
86.
制备了Al/Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容,分别采用氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺处理InP表面。研究了在150、200和300 K温度下样品的界面特性和漏电特性。实验结果表明,硫钝化工艺能够有效地降低快界面态,在150 K下测试得到最小界面态密度为1.6×1010 cm-2·eV-1。与硫钝化工艺对比,随测试温度升高,氮等离子体钝化工艺可以有效减少边界陷阱,边界陷阱密度从1.1×1012 cm-2·V-1降低至5.9×1011 cm-2·V-1,同时减少了陷阱辅助隧穿电流。氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺分别在降低边界陷阱和快界面态方面有一定优势,为改善器件界面的可靠性提供了依据。 相似文献
87.
肝细胞癌(HCC)是世界上最具侵袭性的实体恶性肿瘤之一,尽管近几十年来在肝切除术、射频消融和肝移植等方面取得了显著进展,但HCC患者的愈后仍不乐观,主要原因是HCC的高复发率和转移率以及该疾病对化疗和靶向治疗的耐受性。VEGFR2和PD-L1抑制剂联合应用能对小鼠体内的HCC肿瘤进行显著抑制并延长其寿命,因此开发VEGFR2与PD-L1双靶点抑制剂对HCC的治疗具有十分重要的意义。本文基于计算机辅助药物设计(CADD),经过以分子对接为基础的虚拟筛选、MM-GBSA和ADMET评价以及QSAR模型预测,得到了一系列VEGFR2和PD-L1的双靶点活性化合物,有望为后续抑制剂的开发提供思路和方向。 相似文献
88.
89.
随着移动通信技术的发展,4G技术开始在室内覆盖建设过程中得以广泛应用.4G技术的引进可以有效的提高运营商的网络容量,从而为用户提供更好的服务.与此同时,在4G环境下,同轴电缆室内分布系统在运行速率、带宽、天线等方面都面临着更高的要求.本文针对现有分布系统中存在的问题,结合相关的应用需求,介绍了4G室内覆盖系统发展演进的相关方案. 相似文献
90.