丝网印刷制备适用于AC-PDP的LaB6介质保护层的研究

为了进一步降低PDP面板着火电压,提高其放电效率,采用丝网印刷方法在商用PDP玻璃衬底上印刷LaB6薄膜.分别对PDP玻璃衬底上印刷的LaB6薄膜的可见光范围内的透过率、薄膜表面形貌进行了研究;对印刷了LaB6薄膜的PDP玻璃衬底进行了封装,测试了其在Xe-Ne环境下的放电特性.结果表明,印刷了LaB6作为添加层的放电单元相比传统单一MgO保护层的放电单元,其着火电压和放电延迟分别降低了5％和25％.说明采用高二次电子发射系数的六硼化镧材料能够有效提升PDP的放电性能.     

基于多球面封装透镜的LED微型投影仪的光源设计

提高光能利用率是现阶段LED微型投影仪的技术难题,而提高光源的取光效率则是提高整机光效的前提和根本途径。对于以LED为代表的朗伯源,其光学元件的结构是制约光能利用率的最大因素。我们提出了一种基于多球面单透镜的LED光源设计方案并进行了光学仿真,将LED的一次封装和二次光学设计整合为一体,简化了光源系统结构,取光效率提高到94.9%,同时压缩了出光角度和光学扩展量。     

提高CRT背投电视墙单元亮度均匀性的电路校正方法

本文介绍了一种针对彩色CRT型的背投影电视墙单元亮度均匀性的电路校正方法,并讲述了电路的实现方法及原理,解决了对于CRT投影电视墙亮度均匀性差的问题.本方案的优点在于不损失CRT电视墙总亮度的同时,电路较为简单并容易实现,对于不同的CRT背投电视墙可以实现自适应的校正过程.     

Preparation and characterization of in-plane polarized PZT piezoelectric diaphragms

The preparation and characterization of in-plane polarized lead zirconate titanate （PZT） piezoelectric diaphragms for sensors and actuators applications are demonstrated in this letter. The single phase PZT films can be obtained on SiO2-passivated silicon substrates via sol-gel technique, in which PbTiO3 （PT） films are used as seed layers. Al reflective layer is deposited and patterned into concentric interdigitated top electrode by lithographic process, subsequently. The diaphragms are released using orientation-dependent wet etching （ODE） method. The size of the diaphragms is 5 mm in diameter and the outer interdigitated （IDT） electrode diameter （4.25 mm） is fixed at 85~ of the diaphragm diameter. The three-dimensional （3D） profiles results indicate that the measured maximum central deflection at 15 V is approximately 9 μm. Sensing measurements show that the capacitance continually decreases with an increase of applied force, while the case of induced charge exhibits a reverse tendency.     

ZAO基底水热法制备ZnO纳米阵列及其形貌特征

采用水热法,在ZAO透明导电薄膜衬底上制备了不同形貌的ZnO纳米阵列.用SEM、紫外可见光分光光度计、四探针测试仪等测试手段对ZnO纳米阵列的形貌结构和物理特性进行了表征和测试.结果表明,不添加任何催化剂,0.075 M的乙酸锌水溶液中,90℃水温时可生长出形状规则的氧化锌纳米棒;相同的温度下,等摩尔浓度(0.05 M)的乙酸锌和六亚甲基四胺水溶液中,可生长出氧化锌纳米片阵列.光电性能测试表明所制备的ZAO/氧化锌纳米阵列具有良好的光透过性和导电性.     

场发射阵列(FEA)阴极的材料及制备工艺

目前，用于场发射阵列(FEA)的阴极发射体材料多种多样，按制备工艺可以分为蒸镀锥尖型、涂覆型和图形化阴极型等。本文概述近年来场发射阵列阴极材料及其制备工艺的研究现状，以及一些新型材料的应用情况。     

CMOS图像传感器光电二极管模型

为了更好的对CMOS图像传感器中光电二极管的光电转换物理现象进行研究,需要建立正确合适的光电二极管数学物理模型。通过少数载流子稳态连续方程建立光电二极管的一维物理模型,求解方程后,代入参数在MATLAB中对两层结构的n+/p-sub型和n-well/p-sub型,以及三层结构的p+/n-well/p-sub型二极管进行了计算模拟,得到了3种二极管响应率与波长的关系曲线。最后将结果与实际值进行了对比分析,确认了模型能够在一定程度上反映实际的物理情况。     

射频电子枪中LaB6阴极的研究

 一种用于射频电子枪中的LaB₆热阴极已经研制成功。分别研究了(100)、 (110)、(111) 晶向LaB₆单晶的热发射特性。选用(100)晶向的LaB₆单晶材料作为发射体并用铼做基底材料。试验表明,在1823K工作条件下,其热发射电流密度达到 30A/cm²;在真空条件为5×10^-5Pa下,寿命已达10000小时以上。在室温下反复多次暴露大气后,其发射性能保持不变。     

溶胶-凝胶法制备Zn2+掺杂MgO薄膜及光电性能表征

采用溶胶-凝胶(sol-gel)法,利用旋转涂覆技术在玻璃衬底及单晶Si(111)衬底上制备掺Zn2+的MgO薄膜。使用紫外可见光分光光度计测定掺杂薄膜的透过率,并采用XRD和EDS等测试手段研究薄膜的晶向结构和成分。结果表明,胶棉液的含量对成膜质量有重要的影响;随着Zn2+掺杂量的提高,薄膜透过率先增大后减小,在掺杂量为10%时,薄膜有最佳透过率;随着退火温度的升高,薄膜晶粒生长没有出现明显的择优取向。最后,对模拟放电单元进行放电测试,结果表明,在掺杂量为10%时,薄膜有最低着火电压和最高的记忆系数。     

磁控溅射ZnO基TFT的研究

采用直流磁控溅射在SiO2/n-Si(111)衬底上沉积了Al薄膜,经过光刻、刻蚀形成源漏极,再采用射频磁控溅射沉积ZnO薄膜作为有源层,成功制备了底栅顶接触结构的ZnO-TFT,Al膜厚135nm,ZnO膜厚110nm.实验结果表明,薄膜晶体管展示出明显的栅控特性以及饱和特性,ZnO薄膜沿C轴择优取向生长,且在可见光...