矩形光场LED一次透镜光学设计

定义LED器件的光学结构,建立LED封装的数学模型及其方程,运用龙格一库塔法在Matlab求解方程,获得具有矩形均匀照度光场的LED在x、y两个方向截面曲线的相关数据,在Solidworks中建立自由曲面模型,将模型导入Tracepro软件,通过Tracepro修改模型及光学仿真,得到希望的LED矩形光场一次透镜光学模型.     

基于数据安全网关的数据安全防护体系研究

伴随着网络信息安全产业集聚式发展，数据安全形势日益严峻，我国近年来相继出台多项法律、制度、规定对数据使用进行安全规范。随着政府、企业对数据安全的认知愈加完善，数据安全建设需求也更加强烈。为了进一步完善数据安全防护要素，以分析现有的数据中心数据安全建设落地困难为切入点，结合已有的数据安全治理能力，提出了一种基于数据安全网关的数据防护体系设计，为数据安全建设实践提供新的方案参考。     

里里外外看硬盘：—浅谈硬盘技术和国内硬盘市场

计算机的硬盘担负着与内存互通信息的任务，在计算机的存储设备中使用率最高。IT领域是一个日新月异的地方，新技术的发展带来了一次又一次革命，硬盘同样也不例外。进入本世纪90年代后，各项磁盘制造新技术的发展使得硬盘的容量和读写速度直线上升。硬盘容量从过去的几十MB、几百MB，扩大到现在的几GB、十几CB2数据传输速率则从10Mhps提高到333Mbps.80Mbps。技术的发展，市场需求的不断增长同时还吸引了更多厂商的加入，也必然的引发了硬盘价格的下降。计算机的基本功能是数据处理，用户使用计算机处理信息，最终这些数据、信息大多…     

Windows95下如何配置局域网环境的电子邮箱

Ｗｉｎｄｏｗｓ９５下如何配置局域网环境的电子邮箱●徐涌力图１输入管理员帐号的详细资料图３“ＡｄｄＵｓｅｒ”对话框Ｗｉｎｄｏｗｓ９５正被越来越多的用户所接受，而且已经成为时下微机上的主流操作系统。Ｗｉｎｄｏｗｓ９５包含了较为丰富的网络通信功能，在网络硬...     

等离子发射光谱法测定煤中总硫的方法研究

本文提出以ICP－AES直接测定煤中总硫。通过对样品溶液的制备、光谱干扰等方面的研究，确定了最佳分析条件，建立了以ICP－AES测定煤中总硫的方法。方法快速、准确，测定结果与国标法一致。方法回收率在96％以上，六次测定相对标准偏差小于3％。     

MOCVD制备PbTiO3铁电薄膜的研究

由于在动态随机存储器、传感器和探测器等器件中的应用，使铁电薄膜的备成为研究热点。本文报道了利用低压ＭＯＣＶＤ工艺分别在（００１）取向ＳｒＴｉＯ３和重掺杂硅单上制备ＰｂＴｉＯ３电薄膜的工作。通过Ｘ射线衍射、ＡＦＭ和Ｒａｍａｎ光谱对薄膜的微结构进行分析，在ＳｒＢｉＯ３衬底上获得了单畴多畴等几各 态，从实际上证实了铁电薄膜中的形成莫厚度有关；得到了铁电薄膜令痊面台阶生长的实验证据，对薄膜的晶格畸变，晶格     

费米子的相对论自旋输运理论

在重离子碰撞中,自旋轨道耦合可以导致整体极化现象.自从2017年,STAR工作中发现超子Λ在Au+Au碰撞中的整体极化,整体极化效应引起了学术界的广泛关注.整体极化效应的微观产生机制可以利用粒子之间非定域的散射过程来描述：在重离子碰撞中产生了热密物质,热密物质中的粒子之间通过非定域的碰撞过程实现了轨道角动量向自旋角动量的转换,从而导致散射后的粒子自旋极化.为了描述这一微观过程,在相空间描述自旋轨道耦合更加方便,而自旋轨道耦合又是一种量子效应,所以基于协变维格纳函数的量子动理学理论将是描述整体极化现象的有力工具.本文介绍了基于维格纳函数的量子动理学理论以及自旋输运理论.近期自旋输运理论的发展为以后数值模拟自旋极化现象的时空演化提供了理论基础.     

第十一届全国实验力学学术会议征文通知（第一轮）

经中国力学学会批准，由实验力学专业委员会主办、大连理工大学承办的第十一届全国实验力学学术会议将于2005年7月26日至29日在辽宁省大连市召开，具体时间见第二轮通知．全国性的实验力学学术会议一般每3年举行一次，至今已举办10届．本次学术会议旨在邀请实验力学同行交流最新研究成果，切磋新的试验测试技术，研讨新的发展方向，     

拓扑缺陷对Armchair型小管径多壁碳纳米管输运性质的影响

采用密度泛函理论和非平衡格林函数方法研究了纯净的及带有不同数目的 Stone-Wale拓扑缺陷下的扶手椅型单壁,双壁和三壁小管径碳纳米管的能带结构和电子输运性质,通过计算并分析不同偏压下的微分电导和非弹性电子隧穿谱(IETS),计算结果表明单壁,双壁和三壁碳纳米管的特征偏压区间分别为[-1.0 V,1.0 V],[-0.5 V,0.5 V]和[-0.25 V,0.25 V],特征偏压区间内SW拓扑缺陷所产生的电导波动平缓,而特征偏压区间外因缺陷的数目变化所带来的电导波动显著,通过IETS谱线的分析得到单壁,双壁和三壁碳纳米管的特征峰偏压分别为±1.25 V,±0.625 V和±0.125 V.碳纳米管的特征偏压区间和IETS特征峰偏压可为较小管径碳纳米管单壁,双壁和多壁类型的区分提供一种新的途径,同时也为小管径多壁碳纳米管的输运性质在出现拓扑缺陷时的响应提供参考依据.