InGaAs-APD门模单光子探测及其应用

对单光子探测使用InGaAs—APD并采用门模控制的核心问题进行了阐述，总结了探测器件的特性和门模控制系统的特点，并归纳了在这种探测方式中实际存在的问题和可能解决的方法，最后着重介绍它在量子保密通信中的应用。     

PCB激光投影成像装置关键技术参数分析

对用于印制电路板(PCB)工业化生产的激光投影成像装置中的激光投影系统和激光照明系统的关键技术参数进行了分析,在对装置整体性能设计要求下,理论推导和分析了符合实际场景的关键技术参数,包括分辨率、焦深、物镜结构、激光光源、照明相干度、像素密度和曝光时间,得到了相关的具有一定参考价值的结论.     

不同氮源对水稻幼苗根氨同化酶的影响

将氮索含量相同、但来源不同的氮源分别加入到水稻培养液中,分析了不同氮源对水稻幼苗根氨同化酶活性的影响．与无氮培养的水稻根相比,(NH4)zSO4,NH4NO3,KNO3,谷氨酸(Glu)和谷氨酰胺(Gin)都能分别促进水稻根谷氨酰胺合成酶(GS)、依赖于NADH的谷氨酸合酶(NADH-GOGAT)和依赖于NADH的谷氨酸脱氢酶(NADH-GDH)活性．(NH4)2SO．对GS和NADH-GOGAT活性促进最为显著,而Gln对GS和Glu对NADH-GOGAT的活性分别影响最小．Glu对NADH-GDH活性的诱导稍强于其它氮源．这些结果提示,不同氮源对水稻根氨同化酶活性影响的差别也许反映了这些物质对水稻根部氮索代谢的影响以及对这些酶诱导能力的不同．     

剪切电子散斑干涉技术在金属梁测量工程中的应用

利用剪切电子散斑干涉技术对金属梁的挠曲度进行测量,获得金属梁受不同加载时的位移倒数场,并将其实验值与理论值进行比较,结果表明在一定的加载范围内该方法是确实可行,而且快速,简单,方便。     

调制因子对拉曼 纳斯声光衍射的影响

通过建立拉曼-纳斯衍射模型,运用数值模拟法,获得了拉曼-纳斯声光衍射的各级光强分布规律.表 明调制因子对拉曼-纳斯衍射现象的产生有重大作用,且随着调制因子的增加,各衍射级的光强相对系数变化明显,且各级衍射光强变得匀滑.同时进行了相应的实验测试,实验结果与理论分析一致.     

水稻根谷氨酰胺合成酶同工酶某些性质研究

对水稻根两种不同形式的谷氨酰胺合成酶（ＧＳｒａ和ＧＳｒｂ）进行了动力学性质研究．ＧＳｒａ对热比较稳定，而ＧＳｒｂ比较敏感；ＧＳｒａ的最适温度为５５℃，ＧＳｒｂ为４３℃．ＧＳｒａ和ＧＳｒｂ的最适ｐＨ都为７．５．ＧＳｒａ对Ｌ－谷氨酸、羟胺和ＡＴＰ的表观Ｋｍ分别为４．１６、０．６０和０．３４，而ＧＳｒｂ分别为１５．７３、０．６０和０．５８．ＭＳＯ对两者均表现为竞争性抑制作用     

激光光刻大面积扫描投影成像光学系统测试及评价

基于351nm XeF激光大面积投影成像光刻系统,通过对其光学系统包括光学照明系统和折叠投影系统进行光学性能测试。由激光经过柱面透镜、微透镜阵列均束器以及投影折叠物镜之后产生的能量及光束质量变化,将准分子激光光束均匀性评价指标部分运用到光学系统的评价之中,得到光学系统在不同关键位置的能量分布曲线以及平顶因子关系图,表明微透镜阵列均束器虽保证了整个光学系统各处光斑的均匀性,但衍射却造成了能量利用率的降低。同时,通过对印制电路板(PCB)和玻璃(ITO)进行曝光和显影实验,表明该双远心共焦投影光学系统,只要控制使均匀输出的能量符合曝光剂量,就能够满足分辨率的要求。     

复合物Mg＋-NCSCH3, Ca＋-NCSCH3光解离光谱研究

研究了复合物Mg^＋-NCSCH₃在230～440 nm波段和Ca^＋-NCSCH₃在320～560 nm波段的光解离光谱. 复合物Mg^＋-NCSCH₃, Ca^＋-NCSCH₃光诱导反应的产物质谱表明有非反应猝灭产物Mg^＋(Ca^＋), C—S键断裂产物Mg^＋(Ca^＋)NC 和Mg^＋(Ca^＋)NCS以及重排反应产物Mg^＋(Ca^＋)-CHSH通道. 在原子跃迁谱线(3²S→3²P, 对于Mg^＋; 4²S?4²P, 对于Ca^＋)的红和蓝两边, Mg^＋-NCSCH₃的光解离光谱由两个宽峰组成; 而对于Ca^＋-NCSCH₃, 则是由三个谱峰构成. CIS/6-311＋＋G^**等级上, 对应于基态构型的Mg^＋-NCSCH₃电子态跃迁能量和振子强度与实验光谱较为一致; 而Ca^＋-NCSCH₃有较大的差别. 这是因为CIS方法忽略电子相关效应, 而Ca^＋-based的跃迁中3d和4s轨道间存在较强的混合所致.     

应用于光刻领域中的固态紫外激光源的制作

以半导体侧泵钇铝石榴石激光器为泵浦源,采用腔内泵浦两块三硼酸铯晶体,产生满足高功率与高光束质量要求的三倍频355 nm紫外激光.通过使用法拉第旋转器谐振腔优化设计与热效应补偿提高输出光的光束质量,并且使用体光栅作为输出镜,在实现线宽窄化同时保持准相位匹配的高效性能.该光刻用紫外激光源成功地替代准分子激光器,使用在一套大面积亚纳米级投影式光刻系统上,工作时紫外光输出功率为4.37 W,光束质量因子为2.27.     

应用于光刻领域中的固态紫外激光源的制作

以半导体侧泵钇铝石榴石激光器为泵浦源,采用腔内泵浦两块三硼酸铯晶体,产生满足高功率与高光束质量要求的三倍频355 nm紫外激光.通过使用法拉第旋转器谐振腔优化设计与热效应补偿提高输出光的光束质量,并且使用体光栅作为输出镜,在实现线宽窄化同时保持准相位匹配的高效性能.该光刻用紫外激光源成功地替代准分子激光器,使用在一套大面积亚纳米级投影式光刻系统上,工作时紫外光输出功率为4.37W,光束质量因子为2.27.