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931.
超高速光电摄影系统是目前最常用的一种高速摄影设备。在进行超高速光电分幅相机光学系统的设计时,由于面数较多、结构较为复杂,很容易在像面附近形成鬼像,从而影响成像的锐度和对比度,干扰目标的识别。为了解决鬼像的问题,本研究从光学系统中的关键器件像增强器出发,分析了鬼像形成原因,并进一步采用光纤面板对像增强器进行了优化设计,从而克服了鬼像问题。采用本光学系统组成的超高速光电分幅相机拍摄了高压火花放电的过程,实验结果表明,得到的图像无鬼像。利用该系统可以方便地进行纳秒时间尺度的超高速摄影实验研究,拍摄的照片无鬼像,有利于目标的精确识别和解读。  相似文献   
932.
本文介绍了微电脑时控开关的基本工作原理和哈里斯发射机远程控制接口,将时钟控制开关应用于发射机自动化控制改造,以最小的成本实现了发射机自动开关机,减轻了值机人员的工作强度和压力,提高了自动化控制水平。  相似文献   
933.
表面粘贴作为光栅主要的粘贴方式之一,简单方便,应用广泛。光纤光栅实际栅区长约1.0~1.5cm,解调仪反映的是栅区的综合变化,实际粘贴长度影响测量结果。该文就光纤光栅不同粘贴长度影响应变测量结果作了实验研究,发现粘贴长度越长,结果与实际应变的误差就越小,实验结果将为光纤光栅封装等提供参考。  相似文献   
934.
基于Dyakonov-Shur 效应(D-S 效应)利用MOSFET 可构建太赫兹源。研究表明MOSFET沟道内的1mV信号在偏置电压的作用下产生波动并形成等离子波,其电学特性与谐振腔相似。当MOSFET 外接5 V 的偏置电压源时,输出频率为2.15THz、峰值为2mV 的等离子信号。通过调节偏置电压(1~20 V)可以使输出信号在0.96~4.30THz 范围内调频。此外,MOSFET 在5V 的偏置电压和5A的偏置电流的共同作用下,沟道内产生的等离子波随时间的推移以指数形式放大。受器件限制和沟道夹断效应影响,该信号源的最大输出电压为20V,电压增益最大可达到86dB,最大输出功率为200W。在器件允许范围内,偏置电压越大信号频率越高、偏置电流越大起振时间越短,且偏置电流引起的信号频偏小。  相似文献   
935.
研究发现辐照能使双极线性稳压器LM117的输出1/f噪声性能退化。本文在研究双极线性稳压器LM117的辐照失效机理基础上,认为LM117的内部带隙基准是其噪声性能退化的关键部件,辐照引起的带隙基准内部的双极性晶体管的基极表面复合电流的退化,导致LM117输出1/f噪声发生退化。通过对比,可以看出1/f噪声比电参数敏感,也可以用来表征LM117辐照损伤。  相似文献   
936.
基于半监督稀疏多流形嵌入的高光谱影像分类   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种半监督稀疏多流形嵌入方法,并应用于高光谱影像分类.该方法充分利用少量标记和大量无标记样本,采用稀疏表示方法得到样本的稀疏系数,并选取来自同一流形的点作为近邻点,然后构建相似图来表征多流形结构,得到样本在每个流形上低维鉴别特征,增加来自同一流形的数据点聚集性,进而提升分类性能.本文方法在PaviaU和Salinas两个高光谱数据集上的总体分类准确度分别达到84.91%和89.74%,相较于其他方法明显提高了地物分类性能.  相似文献   
937.
为了快速验证机械臂控制系统的操控准确性与执行机构稳定性,研制了一套机械臂测控与状态监测系统。在介绍基于NI CompactRIO平台的Profibus、CANopen、485总线以及快速IO总线技术应用的基础上,阐述了基于LabVIEW FPGA技术的测试数据高速采集、分析与处理等软件模块的具体实现方法。为了验证测试与显控平台的性能,针对摇摆试验台上的机械臂进行了摇摆状态PID控制与姿态显示测试,结果表明,机械臂的稳定控制角度误差为±0.40,控制信号传输延迟为0.3ms,姿态反馈延迟时间为50ms,PC端显控画面刷新时间为0.04 s,系统可不间断持续运行,性能优越,满足机械臂状态监测与性能测试要求。  相似文献   
938.
针对主电极间距20mm以上的沿面击穿型多棒极触发真空开关(TVS),研制了开关触发源。触发源利用脉冲变压器产生脉冲高压输出,在脉冲变压器高压侧并联小容值电容并在电容后串联陡化间隙。陡化间隙的加入可以使触发源输出不受触发沿面金属蒸气沉积的影响。通过调节间隙击穿电压也可以提高电容充电电压及储存能量,从而增加TVS触发沿面被击穿时注入到其中的触发能量。使用该触发源对TVS进行导通实验,结果表明,加入陡化间隙后的触发源输出能量大幅提高且不受触发沿面金属蒸气沉积的影响,能够实现TVS的100%可靠导通。  相似文献   
939.
介绍了一种纳秒级脉冲激光光斑能量分布测量电路的设计方法,采用自动跟踪积分方式,根据预测先将脉冲光电流积分并保存,然后用速度较低的A/D芯片进行A/D转换,该方法避免了采用高速A/D芯片,且可以获得较高的采样分辨率,特别是在需要采集的通道数较多时具有明显优势。  相似文献   
940.
为建立有效的晶闸管模型来仿真晶闸管关断时过电压,减小晶闸管过压损坏的概率,以最大通流150 kA、耐压5.2 kV的脉冲晶闸管为研究对象,将其前置于脉冲形成单元回路中作为大功率开关使用,记录放电过程中晶闸管两端电压及电流。实验数据表明:恢复过程中的电流下降率、反向恢复电荷、反向恢复电流峰值随通态电流峰值的增大而增大,晶闸管关断时间随通态电流峰值的增大而减小。此外,在关断过程中,当电流下降率在-50~1000 A/s时,电流下降率与电流峰值为线性关系。因此,在大脉冲电流条件下,推导反向恢复过程参数与通态电流参数的关系时电流下降率可用与电流峰值的线性关系代替。基于Matlab仿真平台,建立了具有反向恢复过程的脉冲晶闸管模型。该模型仿真得到的晶闸管反向恢复电流峰值与实测结果较为吻合,反向恢复电压尚待进一步修正。  相似文献   
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