HV/CVD系统Si、SiGe低温掺杂外延

研究了硼烷（B2H6）掺杂锗硅外延和磷烷（PH3）掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系．B浓度与B2H6流量基本上成正比例关系;生长了B浓度直至1019cm-3的多层阶梯结构,各层掺杂浓度均匀,过渡区约20nm,在整个外延层,Ge组分（x=0.20）均匀而稳定．PH3掺杂外延速率随PH3流量增加而逐渐下降;P浓度在PH3流量约为1.7sccm时达到了峰值（约6×1018cm-3）．分别按PH3流量递增和递减的顺序生长了多层结构用以研究PH3掺杂Si外延的特殊性质．     

绝缘衬底上硅膜的激光侧向外延

对具有侧向籽晶的绝缘衬底上的多晶硅薄膜的连续氩离子激光再结晶进行了研究.实验结果显示出明显的籽晶外延效果,外延的最大晶粒已达 50μm× 40μm,晶向与籽晶一致,均为<100>.无侧向籽晶的多晶硅膜激光再结晶后晶粒也能长大,但是晶粒的晶向是随机的.     

基于集成压力传感器的无源胎压监控系统研究

汽车轮胎压力监测系统(TPMS),主要用于在汽车行驶时实时地对轮胎气压进行自动监测,对轮胎漏气和低气压进行报警,以保障行车安全,是当前汽车电子研究的一个热点.汽车轮胎的压力与温度是密切相关的,需要同时监控压力和温度信息.设计制作了一种压力温度集成传感器,可以同时监控汽车轮胎压力和温度的变化.基于这种集成压力传感器,设计了一种无源胎压监控系统.     

A novel dual-functional MEMS sensor integrating both pressure and temperature units

This paper proposes a novel miniature dual-functional sensor integrating both pressure and temperature sensitive units on a single chip.The device wafer of SOI is used as a pizeoresistive diaphragm which features excellent consistency in thickness.The conventional anisotropic wet etching has been abandoned,while ICP etching has been employed to etch out the reference cave to minimize the area of individual device in the way that the 57.4°slope has been eliminated.As a result,the average cost of the singl...     

不同偏置电压下SiGe HBT Early电压的理论研究

Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ和直流增益β是双极器件在模拟电路中应用的重要参数，本文研究了在器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下，ＳｉＧｅＨＢＴ中基区Ｇｅ含量以及ＶＣＥ对器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ的影响，并用数值计算的方法得到了在其它参数相同的情况下，器件的Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ随基区中Ｇｅ含量和偏置电压ＶＣＥ的变化规律，表明Ｅａｒｌｙ电压ＶＡ是随ＶＣＥ和Ｇｅ含量的增加而增加的．这些结果对ＳｉＧｅＨＢＴ在模拟集成电路中的设计和应用提供了指导．     

SiGe-HBT中雪崩击穿效应对电流电压特性的影响

本文报道了一个在较宽温度范围内能精确描述6H SiC JEFT性能(包括亚阈区)的器件模型，器件的电流电压特性由包含少数几个物理模型参数连续统一的解析表达式表述.该模型也包括了串联电阻效应、沟道中电子速度饱和效应、饱和区的有限输出电导、温度决定的模型参数等效应.载流子的计算考虑了SiC中杂质能级特点，采用两级电离模型，模拟了典型结构器件的高温特性，结果和实验符合很好.     

MOCVD制备PZT薄膜技术研究

采用直接液体输运-金属氧化物化学气相淀积技术(DLI-MOCVD),制备Pb (ZrxTi1-x)O3(PZT)薄膜;通过研究MOCVD中影响PZT质量的主要工艺参数,如温度、压力、系统的气体流量(Ar、O2)、衬底转速、蠕动泵速等,制备不同组分PZT薄膜;给出了不同衬底的PZT淀积结果.PZT薄膜的均匀性大于±5%,尺寸为25～200 mm,厚度50～500 nm.经XRD测试,可得PZT薄膜已形成钙钛矿结构.SEM分析也表明,制备出的PZT表面致密均匀.     

压阻式压力传感器零点输出及其温漂研究

零点输出及零点温漂是传感器制造中的重要指标。结合设计制作的压阻式压力传感器重点分析了零点输出的产生机理,并对其接头和布线失配、复合层结构造成的应力分布、光刻随机误差造成的电阻失配及其他效应进行了量的分析。同时分析了它们对零点温漂的影响。最后,给出了一种整体设计流程来控制零点输出与提高成品率。     

压阻式压力传感器零点输出及其温漂研究

零点输出及零点温漂是传感器制造中的重要指标.结合设计制作的压阻式压力传感器重点分析了零点输出的产生机理,并对其接头和布线失配、复合层结构造成的应力分布、光刻随机误差造成的电阻失配及其他效应进行了量的分析.同时分析了它们对零点温漂的影响.最后,给出了一种整体设计流程来控制零点输出与提高成品率.     

新型MOS晶体管式压力传感器

在应力作用下,MOS晶体管的源漏电流的大小会随着沟道区所受应力大小而变化.基于MOS晶体管的这种力敏效应,采用晶体管和电阻构成压敏电桥,提出了一种新型的MOS晶体管式压力传感器.该器件在与目前最常用的压阻式压力传感器相比,继承了其制作工艺简单、稳定性和线性度好等优点,大幅提高了传感器灵敏度并降低了功耗,使得器件性能得到整体提高.