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211.
半导体太赫兹量子级联激光器(THz QCL)是一种相干性好线宽窄的太赫兹辐射源,有潜力获得高的输出功率.采用基于非平衡格林函数(NEGF)方法的计算工具设计、生长、制备了基于砷化镓系材料的THz QCL.在10 K温度下,峰值功率达到270 mW,平均功率为2. 4 mW,单位面积的输出功率与已报道的最高值相当.采用NEGF方法对器件的温度变化特性做了详细的分析. 相似文献
212.
采用渠道火花烧蚀技术在普通玻璃基板上制备了掺钼氧化铟In2O3∶Mo透明导电薄膜,研究了烧蚀时氧气压强对薄膜光电性能的影响. 在基板温度Ts=350℃时,薄膜的电阻率和载流子浓度随氧气压强增大分别呈凹形和凸形的变化趋势. 薄膜电阻率最小值是4.8e-4Ω·cm,载流子浓度为7.1e20cm-3. 载流子迁移率最高可达49.6cm2/ (V·s) . 可见光区域平均透射率大于87%以上,由紫外光电子谱分析得到薄膜的表面功函数为4.6eV. X射线衍射分析表明,薄膜结晶性良好并在(222)晶面择优取向生长. 原子力显微镜观察薄膜样品表面得到方均根粗糙度为0.72nm,平均粗糙度为0.44nm,峰谷最大差值为15.4nm. 相似文献
213.
物联网设备有着资源受限的特性,往往处于受限的网络环境中,在这之上又面临着安全的挑战。目前常见的受限网络协议栈为CoAP-DTLS/UDP-6LoWPAN,传输层使用UDP,其安全性由DTLS协议维持。但DTLS协议作为TLS在UDP上的扩展,基于PKI连接建立的方式使其在直接应用到受限环境下会产生诸多性能上的问题。针对DTLS协议在受限环境下的性能问题,国内外的研究学者提出了诸多解决方式,包括但不限于改进加密算法、使用特定硬件、优化证书链、委托可信三方进行密钥协商(即将DTLS握手委托给第三方)。因此,对委托握手的DTLS协议使用Scyther进行形式化分析,得出其交付密钥材料时使用长期预共享密钥存在的安全问题,并提出重用TLS/DTLS协议中PRF函数的改进方式,对改进后的方法进行分析,证明了该方法能有效降低交付密钥材料时存在的风险。 相似文献
214.
含磷稠环8,9,16,17-四脱氢-6,14-二硫羰基-6,14-三巯基-7,8,15,16-四氮-5,13-二氧-6,14-二磷杂二苯并[a,b]蒽烷吡啶盐及其衍生物的合成和结构 总被引:1,自引:0,他引:1
The syntheses of the title compound and its eleven derivatives I (R = alkyl, benzyl, allyl, CH2CO2Et) are described. The crystal and mol. structures of the pyridinium compound and its several derivatives were also determine 相似文献
215.
研究了溶液酸度、光强度、有机酸及其浓度对Fe(Ⅲ)-5-Br-PADAP络合物光化学还原反应的影响,并对该光化学还原反应的机理作了初步探讨.结果表明,在pH为5.5的HAc-NaAc缓冲溶液中,Fe(Ⅲ)-5-Br-PADAP络合物的光化学还原反应速度较快;光强度增加,该光化学还原反应速度加快;甲酸等有机酸能加速该光化学还原反应;乙二酸、丙二酸能明显抑制该光化学还原反应;能促进反应的有机酸浓度增加,该光化学还原反应的速度加快. 相似文献
216.
218.
用分子束外延系统生长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱(ACDQW),用组合注入的方法,在同一块衬底上获得了不同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元,没有经过快速热退火过程,在常温下测量了不同单元的显微光荧光谱,发现了带间跃迁能量最大变化范围接近100meV,组合注入所导致的能量移动要大于单独注入导致的能量移动。 相似文献
219.
钴(Ⅱ)-过氧化氢-DCF 偶氮胂体系催化动力学光度法测定中草药中痕量钴 总被引:8,自引:0,他引:8
在邻苯二甲酸氢钾-氢氧化钠介质中,以钴(Ⅱ)催化过氧化氢氧化 DCF 偶氮胂的褪色反应为指示反应,建立了测定痕量钴(Ⅱ)的新方法。测定了反应级数和表面活化能。方法的检出限为 2.6×10-12 g/mL,线性范围为 0~23 ng/10mL。用于测定几种中草药样品中的钴,相对标准偏差为 2.8%~3.0%。 相似文献
220.